NIST 最初成立于 1901 年,当时名为美国国家标准局,致力于增强美国工业的竞争力;推动科学和工程发展;改善公共卫生、安全和环境。该机构的基本职能之一是制定、维护和保管国家测量标准,并提供将科学、工程、制造、商业、工业和教育中使用的标准与联邦政府采用或认可的标准进行比较的手段和方法。
竞争力;推动科学和工程发展;改善公共卫生、安全和环境。该机构的基本职能之一是制定、维护和保管国家计量标准,并提供将科学、工程、制造、商业、工业和教育中使用的标准与联邦政府采用或认可的标准进行比较的手段和方法。
在电信智能天线系统中,透镜可用于主波束聚焦、旁瓣抑制和波束切换目的 [1]。透镜具有各种各样的形状和材质,但介电损耗非常低。陶瓷在较高温度下具有良好的稳定性,并且其介电常数可以调整。同时,它也有一个缺点,那就是制造温度高,导致制造过程中的能耗高,从而增加了生产成本。室温制造法 (RTF) 发明后,锂钼氧化物 (Li 2 MoO 4 ,LMO) 陶瓷的水基悬浮液可以在室温下制造,而不必在 400 ◦ C 以上的温度下制造 [2]。它的相对介电常数为 5.1,在 9.6 GHz 时的损耗角正切值为 0.0035 [3, 4]。此外,已经展示了 4 GHz 下的 LMO 陶瓷贴片天线 [5]。在 LMO 混合物中添加不同的介电材料可以改变其介电性能。 Li 2 MoO 4 -TiO 2 复合材料在 9.6 GHz 时的相对介电常数为 6.7–10.1,损耗角正切值为 0.0011–0.0038,具体取决于其体积百分比 [6]。(1 − x )Li 2 MoO 4 - x Mg 2 SiO 4 在 9 GHz 时的介电常数为 5.05–5.3(未提及损耗角正切)[7]。3D 打印 LMO 在 9.6 GHz 时的介电常数为 4.4,损耗角正切值为 0.0006 [8],据报道,超低介电常数 LMO 复合材料的介电常数为 1.12,损耗角正切值为 0.002 [9]。LMO 复合材料的射频应用研究尚处于早期阶段。在本信中,制作了直径为 30 毫米的钼酸锂 (Li2MoO4,LMO) 空心玻璃微球 (HGMS) 复合材料和透镜,并在 Ku 波段用波导馈源进行了分析。
图 2.5 激活函数:(a)S 型函数,(b)双曲正切函数,(c)整流线性单位函数,(d)泄漏整流线性单位函数。......................................................................................................................... 18
由于其优异的介电性能,玻璃可以作为表面离子阱制造中石英或蓝宝石的低成本替代材料。与高电阻率(5000 Ω·cm)硅衬底(20 MHz 时的典型损耗角正切为 1.5)相比[24],本文采用的玻璃衬底(Corning SGW 8.5)在 5 GHz 时的损耗角正切为 0.025,体积电阻率为 10 10 Ω·cm(数据可从产品信息表获得)。这省去了硅阱所需的射频屏蔽层和绝缘层,并使制造程序变得更加简单。此外,透明玻璃(波长为 300 至 2400 nm 的透射率为 90%)可以使光的传输和收集更加灵活,例如,通过在下面放置光纤和/或光电探测器。 [25]与其他介电材料(如蓝宝石和石英)相比,玻璃不仅成本低,而且可制造性更先进,可以实现高可靠性的玻璃通孔、[26,27]阳极键合、[28]
本报告涵盖了通过搭接剪切、TGA、DSC 和电气测试评估纳米 SiC 粒子对环氧树脂机械、热和电性能影响的研究结果。还研究了填充有微 SiC 粒子的环氧复合材料以进行比较。详细讨论了性能改进的机制。结果表明,在相同的负载下,硅烷处理的纳米 SiC 填充纳米复合材料具有最佳性能。添加硅烷处理的纳米 SiC 粒子后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加小于添加其他填料后体积电阻率的下降、介电常数“的增加和损耗角正切 tanðÞ 的增加。纳米粒子的硅烷处理改善了每项性能,包括增加了剪切强度、热稳定性、体积电阻率并降低了“和()。纳米SiC粒子的加入显著提高了环氧树脂的剪切强度、介电常数和界面黏度,同时略微提高了环氧树脂的热稳定性。8vol.%硅烷处理的纳米SiC/环氧树脂复合材料具有最高的剪切强度10.6MPa,与纯树脂相比最大提高了80%。它还具有良好的介电性能的温度独立性和足够的体积电阻率,满足一些微电子材料的要求。关键词:SiC/环氧树脂复合材料/纳米复合材料/机械性能/热性能/介电性能/
摘要 量子机器学习是一个快速发展的研究领域,它可以促进量子计算的重要应用,并对数据驱动科学产生重大影响。在我们的工作中,基于复杂性理论和物理学的各种论点,我们证明单个克尔模式在处理基于核的方法时可以提供一些“量子增强”。利用核属性、神经正切核理论、克尔非线性的一阶扰动理论和非扰动数值模拟,我们表明量子增强可以在收敛时间和泛化误差方面发生。此外,我们明确指出了如何考虑高维输入数据。最后,我们提出了一种基于电路 QED 的实验协议,我们称之为量子克尔学习。
摘要 ─ 提出了一种基于平面结构的嵌套互补开口环谐振器 (CSRR)。这项工作的主要目的是获得更高的品质因数 (Q 因子),同时将复介电常数的误差检测降至最低。传感器在 3.37GHz 谐振频率下工作,并通过 ANSYS HFSS 软件进行仿真。随后,在传感器上放置了多个被测材料 (MUT),制造并测试了设计的传感器。结果实现了 464 的高空载 Q 因子。理论、模拟和测量的误差检测参数结果具有很好的一致性,低于 13.2% 的实部介电常数和 2.3% 的损耗角正切。所提出的传感器在食品工业、生物传感和制药工业应用中非常有用。