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产品数据表
电磁兼容性 静电放电抗扰度试验 - 测试等级: 8 kV (空气放电) 符合 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰度试验 - 测试等级: 6 kV (接触放电) 符合 IEC 61000-4-2 电磁场敏感性 - 测试等级: 10 V/m (80 MHz ... 3 GHz) 符合 IEC 61000-4-3 电源频率磁场 - 测试等级: 30 A/m 符合 IEC 61000-4-8 电气快速瞬变/突发抗扰度试验 - 测试等级: 2 kV (电源线) 符合 IEC 61000-4-4 电气快速瞬变/突发抗扰度试验 - 测试等级: 2 kV (继电器输出) 符合 IEC 61000-4-4 电气快速瞬变/突发抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (I/O) 符合 IEC 61000-4-4 电快速瞬变/突发抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (串行链路) 符合 IEC 61000-4-4 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (电源线 (DC)) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 2 kV (电源线 (AC)) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 2 kV (继电器输出) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (I/O) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (屏蔽电缆) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 0.5 kV (电源线 (DC)) 符合 IEC 61000-4-5 1.2/50 µs 冲击波抗扰度试验 - 测试等级: 1 kV (电源线 (AC)) 符合 IEC 61000-4-5 传导 RF 干扰 - 测试等级: 10 V (0.15...80 MHz) 符合 IEC 61000-4-6 传导发射 - 测试等级: 79 dBμV/m QP/66 dBμV/m AV (电源线 (AC)) 符合 IEC 55011 传导发射 - 测试等级: 73 dBμV/m QP/60 dBμV/m AV (电源线 (AC)) 符合 IEC 55011 辐射发射 - 测试等级: 40 dBμV/m QP A 级(10 m) 符合 IEC 55011 辐射发射 - 测试等级: 47 dBμV/m QP A 类 (10 m) 符合 IEC 55011
航空航天和国防产品范围指南 - TTI Europe
oneywell 航空航天产品旨在应对挑战 - 无论是满足商业行业标准还是独特的高性能环境。霍尼韦尔的工程师专注于军事应用的要求，包括飞行员的安全性和舒适性、平稳准确的飞行控制、武器系统的可靠性以及需要高度可靠性能的其他应用。我们的产品在极端温度范围内运行，同时承受剧烈的振动和冲击，并能承受电磁干扰和电压瞬变。
航空航天和国防产品 - State Electronics
oneywell 航空航天产品旨在应对挑战 - 无论是满足商业行业标准还是独特的高性能环境。霍尼韦尔的工程师专注于军事应用的要求，包括飞行员的安全性和舒适性、平稳准确的飞行控制、武器系统的可靠性以及需要高度可靠性能的其他应用。我们的产品在极端温度范围内运行，同时承受剧烈的振动和冲击，并能承受电磁干扰和电压瞬变。
经认可的测试列表 - 包含固定字段的类别：0
发射测试、抗扰度测试 - 仅限“传导发射测量、辐射发射测量、谐波电流发射和闪烁测量、ESD 抗扰度测试、辐射射频抗扰度测试、电快速瞬变/突发抗扰度测试、浪涌抗扰度测试、对射频场感应的传导干扰的抗扰度、工频磁场抗扰度测试、电压骤降、短时中断和电压变化抗扰度测试”
硅MOS电容器中的低压AC电致发光
低功率硅的光源和检测器在易于过程集成的情况下对芯片光子电路具有吸引力。然而，常规的硅发光发射二极管发射光子，该光子在带边缘附近的能量，相应的硅光dectors缺乏响应性。另一方面，先前报道的使用反向偏置二极管的热载体电发光硅设备需要高工作电压。在这里，我们研究了在瞬态电压条件下运行的硅金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化载体电容。在每个电压瞬变期间，在源接触的边缘创建大能带弯曲，远大于稳态下可实现的要素。结果，将电子和孔从单个源对相应的电压瞬变处的硅通道进行效率注入，然后它们随后经过影响电离电离和声子辅助的侧带重组。值得注意的是，我们通过使用20 nm厚的高j门电介质显示低压操作至2.8 V。我们可以通过减少栅极介电厚度来显示进一步的电压缩放，从而为硅光电集成电路提供一个低压平台。
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
协变的stinespring定理-Bristol
使得f（x）= tr e（τxτ†）（在这里tr e：b（k⊗e）→b（e）是环境上的部分跟踪）。cp映射f是轨迹保留的，扩张τ是一个等轴测图。不同的扩张τ1：H→K⊗E1，τ2：H→K⊗E2与部分等距α：E 1→E 2相关。
褐变特性，抗氧化活性和
男性模式脱发（MPHL）和女性图案脱发（FPHL）也称为雄激素性脱发（AGA）是最普遍的脱发形式，影响了大部分人群。据估计，到70岁，至少80％的男性和50％的女性体验AGA（Devjani等，2023）。aga的标志是毛囊的逐渐微型化，导致脱发（Trüeb，2002）。处理脱发是一个具有挑战性且耗时的过程。经历脱发的人通常会偏离生活质量的降低，包括减少自我信心和抑郁症感的增强（Lee等，2002; Yeo等，2014; Marks等，2019）。因此，脱发的有效管理在改善人们的整体健康方面起着至关重要的作用。为了增强我们有效地预防和治疗Aga的能力，对对有助于其发展的潜在机制进行更全面的了解至关重要。然而，AGA发病率不断升级的确切原因尚未完全阐明。许多因素影响着AGA的起始和进展，内分泌因子和遗传易感性的相互作用是主要因素之一（Lolli等，2017）。研究表明，诸如新陈代谢，心理变化，环境暴露，饮食摄入和微生物等一系列外部因素可能会对头发寿命有不利影响（Lai等，2013; Phillips et al。，2017; Ho.Ho等，2019; Ho等，2019; Suzuki; Suzuki; Suzuki; Suzuki et al al al al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a al a an a al a al a al a al a al a al al a al a al a af Al a al a;最近，一项研究表明，肠道菌群也是AGA发展的重要因素（Jung等，2022）。但是，在与AGA有关的研究中，关于肠道微生物组在AGA中的特定作用的研究相对有限。在实施过程中，常规观察性研究容易受到许多潜在因素的影响，包括生活方式和社会经济地位，使其容易产生偏见。因此，我们从全基因组关联研究（GWAS）的结果中检查了现有的摘要数据，以研究肠道微生物群对AGA的影响。全基因组的关联研究与大型样本量揭示了一些与AGA和肠道微生物群相关的单核苷酸多态性（SNP）（Wang等，2019）。Mendelian随机化（MR）是一种采用与假设危险因素相关的遗传变异的方法，作为确定该暴露对特定结果的因果影响的代理（Birney，2022年）。在这项研究中，我们使用两样本的MR研究设计评估了肠道菌群和AGA的因果关系。我们的结果表明，特定的肠道菌群和AGA之间存在潜在的因果关系。
图生成的变分流匹配
我们将流匹配作为变异推理的公式，我们称为变异流匹配（VFM）。基于此公式，我们开发了Catflow，这是一种用于分类数据的流匹配方法。catflow易于实现，计算上有效，并且在图生成任务上取得了强大的结果。VFM中的关键观察是，我们可以根据后概率路径的变异近似来对流的矢量场进行参数化，这是轨迹的可能端点上的分布。我们表明，这种变分的解释既可以接受catflow目标，又将原始流量匹配目标作为特殊情况。我们还将VFM与基于分数的模型相关联，其中动力学是随机的而不是确定性的，并基于重新持续的VFM目标，在模型可能性上得出了绑定。我们在一个抽象的图生成任务和两个分子生成任务上评估catflow。在所有情况下，CATFLOW都超过或匹配当前最新的表现。