死时间

具有45V输入1-MHz半桥转换器的正时元素的主动死时间控制电路

摘要 - 在这项研究中，提出了一个死时间控制电路，以生成半桥转换器开关的高和低边的独立延迟。除了大大减少电源转换器的损失外，该提出的方法还通过应用叠加功率开关来减轻射击电流。此处介绍的电路包括一个切换的电容器体系结构，并在AMS 0.35 µM技术学中实现。在实施中，提议的死时间控制电路占据了70 µm×180 µm的硅面积。为了意识到这一技术，采用了双面宽的挥杆电流源。当前源的每个侧面都有两个电容器，两个施密特触发器和三个变速门。结果表明，投影半桥转换器开关的低和高侧分别需要35 ns和62 ns。通过与半桥转换器组装来评估所提出的死时间电路的性能。拟议的死时间原型在半桥电路中的功率损失下降了40％。