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采用 0.25 m pHEMT 技术的 5G 毫米波紧凑型压控振荡器
所提出的 VCO 架构基于参考文献 [16-18] 中研究的 Colpitts 结构以及作者在 [12] 中提出的结构，如图 2 所示。该振荡器的有源部分由两个晶体管 pHEMT 1 和 pHEMT 2 组成：每个晶体管有 4 个指状物，栅极长度和宽度分别为 0.25 µm 和 20 µm。指状物数量越多，输出功率就越大 [19]。每个晶体管都偏置在工作点 (VDS=2.2 V, VGS -0.6 V)，三个电感 Ld1、Ld2 和 Lg 分别等于 0.15 nH、0.15 nH 和 0.1 nH。电路的性能在很大程度上取决于偏置条件 [20]，因此偏置电压和电感的值需要仔细选择。 VCO 的谐振电路基于两个源漏短路晶体管 pHEMT 3 和 pHEMT 4。因此，这两个晶体管充当变容二极管，其电容值由施加到其栅极的电压源 Vtune 调整。
用于毫米波应用的各种 AlN/GaN HEMT 几何结构的热分析和统计分析
摘要 - 如今，缩小 HEMT 器件的尺寸对于使其在毫米波频域中运行至关重要。在这项工作中，我们比较了三种具有不同 GaN 通道厚度的 AlN/GaN 结构的电参数。经过直流稳定程序后，96 个受测 HEMT 器件的 DIBL 和滞后率表现出较小的离散度，这反映了不可否认的技术掌握和成熟度。对不同几何形状的器件在高达 200°C 的温度下的灵敏度评估表明，栅极-漏极距离会影响 R 随温度的变化，而不是 I dss 随温度的变化。我们还表明，中等电场下的 DIBL 和漏极滞后表现出非热行为；与栅极滞后延迟不同，栅极滞后延迟可以被热激活，并且无论栅极长度的大小如何都表现出线性温度依赖性。
（sub） - 毫米波电网校准和设备表征
摘要：精确度量在电子设备中起着至关重要的作用，特别是在使用BICMOS技术的设备中嵌入THZ应用中的硅具有异质结（HBT）的表征。由于最近在纳米范围内制造技术的创新，能够在亚毫升波区域运行的设备成为现实，并且必须满足对高频电路和系统的需求。将精确的模型达到此类频率，不再有可能限制参数以下的提取低于110 GHz，并且必须研究允许获得被动和主动设备的可终止测量的新技术。在本论文中，我们将研究不同无源测试结构的硅（磁力）上S参数的特征，而B55技术中的HBT SIGE从Stmicroelectronics（最高500 GHz）进行了SIGE的表征。我们将首先引入通常用于此类分析的测量设备，然后我们将转到IMS实验室中采用的各种测量台，最后我们将重点介绍校准和剥离技术（DE-DEMEDDIQUS（DE-EXED），通过审查高频率特征和两种效率上的校准劳ith钙的主要批评，以进行校准和剥离技术。 TRL）到WR-2.2条。在完成时，我们将提出一些测试结构，以评估对Miller Wave测量和新输电线设计解决方案的不良影响。将提出两个为IMS的磁力表征的光质产生的循环：我们将介绍一个新设计的浮球层设计，并评估其限制寄生效应以及其环境效果（底物，邻近的结构和diaphony）的能力。为了进行分析，我们将依靠紧凑型模型 +探针的电磁模拟和混合EM模拟，包括用于评估测量结果的探针模型，更接近实际条件。将仔细研究两个有希望的设计：“布局M3”，旨在以单个级别的校准表征DUT，而“曲折线”，通过避免在硅的测量过程中避免任何运动，从而保持两个恒定探测器之间的距离。关键字：表征，传输线，Terahertz，毫米波，校准，silicuim，tbh坐着
基于电磁带隙谐振器的新型毫米波振荡器
如今，基于石英谐振器的参考振荡器的工作频率被限制在几百兆赫。从这样的参考振荡器中获取千兆赫范围的信号需要倍频或频率合成。然而，倍频过程会根据倍频系数的 20log 10 增加输出信号的相位噪声，同时也会增加电路的复杂性。从这个意义上讲，直接在毫米 (mm-) 波段的基频上产生 LO 信号是有利的。然而，这需要一个高质量 (Q-) 因子谐振器，最好在几千兆赫下工作。采用金属腔的传统无源谐振器的 Q 因子受到金属中的电阻损耗的限制。或者，基于陶瓷谐振器的直接在基频下工作的振荡器提供平均相位噪声，并且通常在 25 GHz 以上不可用。
面向无线能量收集的毫米波高效整流
摘要 — 本文介绍了一种用于毫米波应用的 K 波段微带技术的简单双二极管整流电路。设计的整流电路具有特殊的结构，可以将整流波的直流分量与数据相关的 IF 信道分离。讨论了二极管特性以提高效率，这涉及精确的系统模拟。执行优化程序以最大限度地提高 RF-DC 转换效率。对于设计的电路，在 35 mW 输入功率下实现了 40% 的测量效率，与以前的工作相比，效率有所提高。该电路在用于无线电力传输和能量收集的集成微波和毫米波系统的设计中具有潜在的应用价值。
用于晶圆上测量应用的毫米波直通负载元件
摘要 — 本文介绍了一种创新的直通负载元件，旨在用于毫米波频率下的特性分析应用。根据直流控制电压，所提出的结构可以用作直通连接或 50 Ω 负载。除其他潜在应用外，该系统还可用于实现转换开关或衰减器。演示器采用 STM 55 纳米 BiCMOS 技术制造和测量。在 55 GHz 至 170 GHz 的宽带宽上，实验测量表明，当用作直通连接时，插入损耗最大为 1.6 dB，当用作 50 Ω 负载时，插入损耗最小为 14 dB。在这两种情况下，回波损耗都优于 10 dB。90 GHz 的插入损耗对于直通连接为 0.6 dB，对于 50 Ω 负载连接为 20 dB。
IEEE AWPL特殊群集2025上的“新兴光束转向技术用于毫米波的天线系统
毫米波（MMW）及以后，由于其有利的功能，包括高数据传输率，足够的容量和低潜伏期，引起了学术和行业的广泛关注和兴趣。然而，在毫米波带上以及超出对天线的严格要求，以维持链路预算，对毫米波带的重要空间路径损失和阴影效应的内在挑战。MMW和Anter Beyond Antennas的一个关键特征是光束转向，表明天线可以切换光束，以便有效地跟踪和通信移动或多个用户。考虑到高效和节能的5G MMW以及超越蜂窝和卫星通信，因此需要开发创新的光束驱动技术来满足不断发展的需求。工业部门和学术部门都已经适当地承认了这些挑战，并率先着眼于梁探手技术的研究和开发。
毫米波集成硅器件：有源与……
𝜖 O3 = 𝑆 0P 𝑑𝐵−𝑁𝐹。（5）𝜖 O3 可视为初步评估 LNA 基本性能的定性参考，与接收器性能的潜在优势有关。图 1(a) 和 (b) 中的 LNA 分别显示 𝜖 O3 为 -0.3 dB 和 3.1 dB。这意味着，图 1(a) 中的 LNA 具有负 𝜖 O3（NF 高于增益），可能会损害整体接收器性能，并且从成本效益的角度来看，采用它可能是不合理的，因为这取决于接收器下一阶段的性能，甚至可能导致性能下降和功耗浪费。对于图 1(b) 中的 LNA，𝜖 O3 略微超过 3dB，这可以视为其在接收器中采用的初步定性要求。尽管噪声系数略有增加，但 MT 0 和 𝜖 O3 均支持具有 IIM 的共源共栅放大器对于 MPmCN 的优势。
TC – radar：用于毫米波雷达对象检测的变压器– CNN混合网络
摘要：在智能运输中，辅助驾驶取决于来自各种传感器的数据集成，尤其是LiDAR和相机。但是，它们的光学性能会在不利的天气条件下降低，并可能损害车辆安全性。毫米波雷达可以更经济地克服这些问题，并得到了重新评估。尽管如此，由于噪声干扰严重和语义信息有限，开发准确的检测模型是具有挑战性的。为了应对这些实际挑战，本文提出了TC – radar模型，这是一种新颖的方法，该方法协同整合了变压器的优势和卷积神经网络（CNN），以优化智能运输系统中毫米波雷达的传感潜力。这种集成的基本原理在于CNN的互补性质，该性质擅长捕获局部空间特征和变形金刚，这些特征在数据中擅长建模长距离依赖性和数据中的全局上下文。这种混合方法允许对雷达信号的更强大和准确的表示，从而提高了检测性能。我们方法的关键创新是引入交叉注意（CA）模块，该模块有助于网络的编码器和解码器阶段之间的高效和动态信息交换。此CA机制可确保准确捕获和传输关键特征，从而显着提高整体网络性能。此外，该模型还包含密集的信息融合块（DIFB），以通过整合不同的高频局部特征来进一步丰富特征表示。此集成过程确保了关键数据点的彻底合并。在Cruw和Carrada数据集上进行的广泛测试验证了该方法的优势，模型的平均精度（AP）为83.99％，平均相交（MIOU）的平均交点为45.2％，表明了鲁棒的雷达感应功能。