线弧添加剂制造是一种近网状处理技术,可允许对大型和定制的金属零件的成本效益。在电弧添加剂制造中处理铝的处理非常具有挑战性,尤其是在孔隙率方面。在目前的工作中,研究了AW4043/ALSI5(wt%)的线弧添加剂制造中的孔隙行为,并开发了后处理方法。已经观察到,随着屏蔽气体流量的增加,铝零件的孔隙率也增加了,由于熔体池通过强制对流迅速固化而增加。更高的对流率似乎限制了气体夹杂物的逃脱。此外,从熔体池逸出的气体夹杂物在每个沉积层的表面上留出空腔。过程摄像机成像用于监测这些空腔以形成有关部分孔隙率的形成。观测值是由计算流体动力学模拟支持的,这些模拟表明,气流与线弧添加剂制造制造的铝制零件的孔隙率相关。由于较低的气体流速导致对流冷却的减少,因此熔体池在更长的时间内保持液体,从而使孔逸出更长的时间,从而降低了孔隙度。基于这些调查,提出了一种监视方法。
灵活范围 灵活范围适用于实验室根据 EMC、无线电、SAR 和 BLST(仅限 TEL 站点)时间表中列出的标准对 ISO/IEC17025:2017 和 GEN 4:2019 进行测试活动的认证 - 内部程序标准操作程序-ULID-006194。这还可能包括根据本时间表中未明确列出的标准或客户指定的方法对相同或相似产品类型进行的测试,前提是:(1) 该方法或标准不引入新的测量原理。(2) 该方法或标准不要求在本时间表中定义的参数边界之外进行测量。对于特尔福德的建筑环境活动,灵活的范围适用于:门窗、幕墙、雨幕覆盖系统和组件、玻璃和玻璃窗的防风雨性、耐久性和安全性测试,采用技术上等效的测试方法和实验室认可的标准的更新版本以及上述内容的任意组合,范围如下:力高达 20.0 kN,水压高达 4 bar,现场气压差高达 500 Pa,实验室气压差高达 10 kPa,扭矩高达 200 Nm,气体流量高达 360m3/hr,液体流量高达 20,000 l/h,高度、宽度和深度等尺寸高达 10m,质量高达 300 kg,使用标准操作程序 ULID-006194 开发的记录内部方法
CMOSens EcoLine 质量流量计的核心由 Sensirion 无与伦比的 CMOSens ® 传感器技术驱动。因此,CMOSens EcoLine EM1 质量流量计以极具吸引力的系统成本提供了无与伦比的性能。单个设备覆盖的范围为 0.05 ln/min 至 200 ln/min。CMOSens EcoLine EM1 以 5ms 的内部流量积分时间为运行。这可以正确测量和显示快速变化的信号。但通常,与快速单次测量相比,更长时间内的精确总流量更受关注。为此,CMOSens EcoLine EM1 质量流量计可以设置为较慢的读取时间(见表 2)。传感器内部仍以 5 ms 片段进行积分并识别快速信号变化,但对于读数,将计算整个周期内的总流量。因此,CMOSens EcoLine 质量流量计非常适合在需要监测快速变化的气体流量并进行精确汇总的困难测量条件下使用。CMOSens EcoLine EM1 质量流量计可测量真实质量流量,不受环境温度和压力变化的影响。只需将要测量的气体连接到 CMOSens EcoLine EM1 设备,即可获得瞬时气体质量流量积分,积分时间可在 5 毫秒至 640 毫秒之间选择。根据类型,通过连接 CMOSens EcoLine EM1 质量流量计,可直接测量 0.1 ln/min 至 200 ln/min 之间的流量范围。此外,
为了最大程度地减少或消除沟槽,最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此,我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻,这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果,因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率,尤其是使用两种类型的口罩:铝和硅二氧化物(Sio-dioxide)(Sio 2)。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是(100)方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁,以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上,并用激光光刻降低,以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜,例如铝,由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25],因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外,由于血浆中的寿命不足,尤其是在氧气中,因此与光致剂相比,金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是:p icp = 500 w,p sial = 5 w,压力= 5吨,气体流量= 25 sccm,温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
描述 Honeywell Zephyr™ HAF 系列传感器提供数字接口,用于读取指定满量程流量和补偿温度范围内的气流。热隔离加热器和温度传感元件有助于这些传感器对空气或气体流量做出快速响应。Zephyr 传感器设计用于测量空气和其他非腐蚀性气体的质量流量。标准流量范围为 10 SLPM、15 SLPM、20 SLPM、50 SLPM、100 SLPM、200 SLPM 和 300 SLPM,可提供自定义流量范围。传感器经过完全校准,并通过板载专用集成电路 (ASIC) 进行温度补偿。HAF 系列 >10 SLPM 在校准温度范围 0°C 至 50°C [32°F 至 122°F] 内进行补偿。最先进的 ASIC 补偿提供数字 (I2C) 输出,响应时间为 1 毫秒。这些传感器采用热传递原理测量空气质量流量。它们由微桥微电子和微机电系统 (MEMS) 组成,带有沉积有铂和氮化硅薄膜的温度敏感电阻。MEMS 传感芯片位于精确且精心设计的气流通道中,可提供对流量的可重复响应。Zephyr 传感器为客户提供增强的可靠性、高精度、可重复的测量以及定制传感器选项以满足许多特定应用需求的能力。坚固的外壳与稳定的基板相结合,使这些产品极其坚固耐用。它们是按照 ISO 9001 标准设计和制造的。
描述 Honeywell Zephyr™ HAF 系列传感器提供数字接口,用于读取指定满量程流量和补偿温度范围内的气流。隔热加热器和温度传感元件可帮助这些传感器快速响应空气或气体流量。Zephyr 传感器设计用于测量空气和其他非腐蚀性气体的质量流量。标准流量范围为 10 SLPM、15 SLPM、20 SLPM、50 SLPM、100 SLPM、200 SLPM 和 300 SLPM,可提供自定义流量范围。这些传感器经过全面校准,并通过板载专用集成电路 (ASIC) 进行温度补偿。HAF 系列 >10 SLPM 在 0°C 至 50°C [32°F 至 122°F] 的校准温度范围内进行补偿。最先进的基于 ASIC 的补偿提供数字 (I2C) 输出,响应时间为 1 毫秒。这些传感器采用热传递原理测量空气质量流量。它们由微桥微电子和微机电系统 (MEMS) 组成,其中的温度敏感电阻沉积有铂和氮化硅薄膜。MEMS 传感芯片位于精确且精心设计的气流通道中,可对流量提供可重复的响应。Zephyr 传感器为客户提供增强的可靠性、高精度、可重复的测量以及定制传感器选项以满足许多特定应用需求的能力。坚固的外壳与稳定的基板相结合,使这些产品非常坚固。它们是根据 ISO 9001 标准设计和制造的。
描述 Honeywell Zephyr™ HAF 系列传感器提供数字接口,用于读取指定满量程流量和补偿温度范围内的气流。隔热加热器和温度传感元件可帮助这些传感器快速响应空气或气体流量。Zephyr 传感器设计用于测量空气和其他非腐蚀性气体的质量流量。标准流量范围为 10 SLPM、15 SLPM、20 SLPM、50 SLPM、100 SLPM、200 SLPM 和 300 SLPM,可提供自定义流量范围。这些传感器经过全面校准,并通过板载专用集成电路 (ASIC) 进行温度补偿。HAF 系列 >10 SLPM 在 0°C 至 50°C [32°F 至 122°F] 的校准温度范围内进行补偿。最先进的基于 ASIC 的补偿提供数字 (I2C) 输出,响应时间为 1 毫秒。这些传感器采用热传递原理测量空气质量流量。它们由微桥微电子和微机电系统 (MEMS) 组成,其中的温度敏感电阻沉积有铂和氮化硅薄膜。MEMS 传感芯片位于精确且精心设计的气流通道中,可对流量提供可重复的响应。Zephyr 传感器为客户提供增强的可靠性、高精度、可重复的测量以及定制传感器选项以满足许多特定应用需求的能力。坚固的外壳与稳定的基板相结合,使这些产品非常坚固。它们是根据 ISO 9001 标准设计和制造的。
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valleytronic,光学,热,磁性和铁电性能在新型异质结构和设备中。它们的弱层间耦合可以通过机械堆叠2D材料来相对简单地制造垂直侵蚀。另一方面,侧面异质结构(LHSS)的层次是现代金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化导向器磁场晶体效应的基于微电极的基本结构,由于需要更多的复杂生长和兴奋剂技术,因此受到了探索的较少。受到可能从2D LHSS出现的潜在杰出性能和多功能调整自由的鼓励,在该领域进行了多项实验和理论研究。[1] The earliest experimentally realized 2D LHSs were those between graphene and hexagonal boron nitride (hBN) [2–6] grown by chemical vapor depo- sition (CVD), from which prototype field effect transistors (FETs) were demonstrated [2–5] Shortly later, a series of transition metal dichalcogenide (TMDC) mono layer (ML)通过一步或两步的CVD方法制备LHSS,包括MOS 2,MOSE 2,WS 2和WSE 2的组合。[7-12]所有这些TMDC LHSS都显示二极管样电流的整流效应。[26]同时,制造了具有高性能的原型设备,包括光电二极管和互补的金属 - 氧化物 - 半导体晶体管逆变器,[7,10–12]通过控制良好的气体流量切换技术或光刻辅助辅助阴离子的替代品,TMDC LHS的脱位量很清晰。 LHSS仅由一种材料组成,但具有不同的厚度,[16,17]或介电环境[18]在其界面上,产生了电子带隙,整流和光伏效应的修饰。将材料与不同空间对称性组合的2D LHS的其他形式,例如石墨烯-TMDC LHSS [19-22] HBN-TMDC LHSS,[19]石墨烯纳米替伯型LHSS与不同的兴奋剂[23]或宽度[23]或宽度[24] [24]单钙化剂 - 二甲基二苯二苯lhss [26]是通过各种增强的CVD方法创建的,例如机械 - 脱落的辅助CVD,[19]种子促进的CVD,[20]由等离子体蚀刻定义的模板生长,由等离子体蚀刻[21] [21] [21]和热层转化化学构图。
摘要。累积的碳纤维增强聚合物 (CFRP) 复合材料废料需要得到有效处理。到目前为止,最有效的热基回收技术,即热解,在英国和德国等发达国家已呈指数级增长,以实现工业规模。通常,即使是最轻微的错误也会导致如此大规模的操作环境(例如,> 1 吨/天的操作能力)中的不良结果和工作流程延迟。现有的半自动化和在某些情况下完全自动化的工厂应不断更新,以适应不同类别和体积的 CFRP 复合材料废料。为了克服此类研究差距和不精确的人工错误,提出了基于物联网 (IoT) 的框架。本文研究了基于物联网的框架在热解过程中回收 CFRP 复合材料废料的理论实现,以基于信息物理系统的原理管理该过程。所提出的框架由传感器和执行器组成,它们将用于收集数据并与中央管理进行通信,中央管理构建为一个平台,该平台将表达和操纵数据以满足回收过程的要求,并通过物理实体之间的逻辑关系进行计算建模。在这种情况下,管理单元可以是可控制的,也可以是远程监控的,以增加工厂的运行时间。我们的目标是提出一种可扩展的方法来改进回收过程,这也将有助于未来处理回收碳纤维的决策。具体来说,这项研究将超越该领域的最新技术,通过 (i) 自动计算废物的质量并调整运行时间、温度、大气压力和惰性气体流量(如果需要),(ii) 再生热量,以便在第一批回收后,高热值的树脂将被燃烧并释放能量,其产生的热量需要被困在炉内,然后再生到系统中,以及 (iii) 降低能耗并加快工艺流程时间。总之,提出的框架旨在提供用户友好的控制和温度监控,从而可以提高整个过程的效率,并避免可能的过程关闭,甚至通过热解反应器中的受控气氛形成焦炭。