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绿色 CVD-迈向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021)，绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，39(5)，051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
用于电子应用的新型气相沉积介电聚合物薄膜
摘要。从电缆绝缘到先进电子设备，介电材料在众多应用中都备受关注。设备小型化的新趋势使得对能够精确生产纳米级介电薄膜的需求不断增加。此外，通常还需要特殊的机械性能，例如在柔性有机电子领域。聚合物是此目的的首选材料。然而，通过湿化学方法生产具有低缺陷密度且不含残留溶剂等的精确纳米级薄膜极其困难。引发化学气相沉积 (iCVD) 是一种无溶剂聚合物薄膜沉积工艺，可用于生产具有纳米级控制的高质量介电薄膜，从而避免了这些问题。这项工作通过一些新的 iCVD 应用示例展示了 iCVD 工艺在电气应用领域的多功能性。例如，通过在柱状氧化锌 (ZnO:Fe) 气体传感结构上添加疏水性有机硅氧烷薄膜，乙醇到氢气的选择性发生了变化，并且在高湿度水平下的性能也得到了改善。因此，改进后的传感器可用于潮湿环境，尤其是用于呼吸测试，这可以通过尖端的非侵入性方法诊断某些疾病。
碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-187711 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Huang, J., Militzer, C., Wijayawardhana, C., Forsberg, U., Pedersen, H., (2022)，碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，40(5)，053402。https://doi.org/10.1116/6.0001909
定向气相形成难以捉摸的硅锗烷自由基 (H 3 SiGe, X 2 A '' )
一个多世纪以来，朗缪尔对等价性的理解，即“两个具有相同数量价电子的分子实体具有相似的化学性质” [1]，对合理化分子结构的基本原理和等价体系的反应性，以及推动新型合成化学和现代化学键概念发挥了重要作用。 [2] 人们特别致力于将第十四主族元素锗 (Ge) 和硅 (Si) 的化学性质与第二行类似的碳 (C) 化学性质进行比较。 [3] 尽管朗缪尔的概念设想等价体系的分子结构和化学键应该相同，但涉及第十四主族元素的等价体系的实际分子几何形状可能存在显著差异。 因此，由于多键合、较重主族物质的化学性质具有不寻常的化学性质、结构以及通常奇特的化学键，它们引起了广泛的兴趣。 [4] 在发现这种化合物之前，人们几十年来一直怀疑较重的第十四主族元素（Si、Ge、Sn、Pb）中是否存在双键和三键。
化学气相沉积三硫化钛纳米结构中的异常重掺杂
纳米级过渡金属三硫属化物如 TiS 3 在基础研究和应用开发方面都表现出巨大的潜力，但它们的自下而上的合成策略尚未实现。在这里，我们探索了 TiS 3 的化学气相沉积 (CVD) 合成，其晶格各向异性使得其能够沿 b 轴优先生长，从而得到长宽比可通过生长温度调节的矩形纳米片或纳米带。所获得的纳米结构在保持与原始半导体 TiS 3 一样的光谱和结构特征的同时，表现出高电导率和超低载流子活化势垒，有望作为纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD 生长的 TiS 3 中 S 2 − 2 空位的存在是造成重 n 型掺杂直至简并能级的原因。此外，预计通过用环境中的氧原子钝化 S 2 − 2 空位可以恢复半导体性能。因此，这项工作预示着利用缺陷工程三硫属化物半导体构建纳米级电子器件的诱人可能性。
温室气
土耳其统计研究所杜汉土耳其统计研究所电话： +90-312-4547053电子邮件：duhan.civit@tuik.gov.gov.tr mualla gizem gizem umutdoğandoğandoğandoğandoğandoğandoğanto Betül DEMİROK Turkish Statistical Institute Tel: +90-312-4547791 e-mail: betul.bayguven@tuik.gov.tr Erhan ÜNAL (National Inventory Focal Point) Turkish Statistical Institute Tel: +90-312-4547803 e-mail: erhan.unal@tuik.gov.tr Kadir AKSAKAL土耳其统计研究所电话： +90-312-4547802电子邮件：kadir.aksakal@tuik.gov.tr elif yilmaz yilmaz yilmaz turkish turkish统计研究所电话： +90-312-4547817电子邮件： +90-312-4547819 e-mail: fehmipar.bekci@tuik.gov.tr Turkish Statistical Institute is responsible for all cross-cutting issues, energy (except for 1.A.1.a Public Electricity and Heat Production and 1.A.3 Transport), industrial processes and product use (except for fluorinated gases), agriculture and waste sectors.
使用相...
高位率无线通信要求高频率[1]，例如24-GHz WLAN [2]，IEEE802.11AD [3]和24-29 GHz 5G手机[4]。高频无线系统中的必需电路块之一是电压控制的振荡器（VCO）。进行正交信号处理[5,6,7,8,9]的[5,6,7,8,9] [10，11，12，12，12，13，14，15，16，17]，但是，高频率VCO通常需要一个非常非常高的CMOS技术和/或特殊QMOS技术和特殊的QMOS技术阶段[18] 噪音。 因此，他们的过程成本可能很高。 在这封信中，提出了使用相调整架构来抑制相位噪声的正交VCO。 可以在不增加过程成本的情况下实现此体系结构。进行正交信号处理[5,6,7,8,9]的[5,6,7,8,9] [10，11，12，12，12，13，14，15，16，17]，但是，高频率VCO通常需要一个非常非常高的CMOS技术和/或特殊QMOS技术和特殊的QMOS技术阶段[18] 噪音。因此，他们的过程成本可能很高。在这封信中，提出了使用相调整架构来抑制相位噪声的正交VCO。可以在不增加过程成本的情况下实现此体系结构。
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为