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基于化学计量学的气相色谱-质谱分析研究人脑肿瘤组织中的农药代谢物，探讨农药暴露与中枢神经系统肿瘤风险因素之间的假定相关性
摘要：农药被广泛使用，导致人类持续接触农药，并可能对健康产生影响。一些与农业工作有关的接触与神经系统疾病有关。自 2000 年代以来，文献中对农药在中枢神经系统 (CNS) 肿瘤发生中的作用的假设进行了更详尽的记录。然而，儿童脑癌的病因仍然很大程度上未知。这项工作的主要目的是根据问卷调查和统计分析从突尼斯斯法克斯哈比卜·布尔吉巴医院中部神经外科住院患者收集的信息，评估农药暴露作为中枢神经系统肿瘤风险因素的潜在作用，这些患者在 2022 年 1 月 1 日至 2023 年 5 月 31 日期间住院。它还旨在通过气相色谱-质谱技术开发一种简单快速的分析方法，用于研究一些收集的人脑肿瘤组织中农药代谢物的痕迹，以进一步强调我们对农药暴露与脑肿瘤发展之间这种相关性的假设。选取有高风险暴露史的患者进行进一步分析。采用化学计量学方法来辨别病理组和对照组之间的内在差异，并通过鉴定导致这种差异的差异表达代谢物来确定有效分离。三个样本显示出农药代谢物的痕迹，这些代谢物大多在早期检测到。一名 10 岁儿童的组织病理学诊断为髓母细胞瘤，27 岁和 35 岁成人的组织病理学诊断为高级别胶质瘤。双变量分析（比值比 >1 和 P 值 <5%）证实了暴露病例患癌症的可能性很大。Cox 比例风险模型显示，50 岁以后的致癌风险是农药毒性的长期影响。我们的研究支持农药暴露与人类脑肿瘤发展风险之间的相关性，表明孕前农药暴露，以及可能的怀孕期间的暴露，与儿童脑肿瘤风险增加有关。这一假设在鉴定出以神经毒性著称的氨基甲酸酯类杀虫剂代谢物痕迹以及以致癌性著称的哒嗪酮、有机氯 (OCs)、三唑类杀菌剂和 N-亚硝基化合物等代谢物痕迹后得到了进一步证实。2D-OXYBLOT 分析证实了杀虫剂的神经毒性作用，可诱导中枢神经系统细胞氧化损伤。在应激降解研究中鉴定出肟代谢物，证实了涕灭威具有脑致癌性。揭示 OC 类“氮丙啶”代谢物可能更好地强调了在早期检测农药代谢物痕迹的理论。总体而言，我们的研究结果促使我们建议限制农药在住宅中的使用，并支持为实现这一目标而制定的公共卫生政策，我们需要在上市后对人类健康影响的监测中保持警惕。
高质量的光电离检测器灯（PID）用于气体检测和气相色谱
光电子化是通过分子吸收高能光子的术语，该分子导致该分子电离。电离产生的电流与分子的浓度成正比，因此这提供了一种简单的方法来定量分析各种化合物。该技术无破坏性，因此可以与其他检测器结合使用来扩展分析。PID灯。在一般DC操作中是固定安装仪器（例如气相色谱仪）的首选选项，其中需要连续监测，并且可以支持高压电源。对于手持式探测器，RF版本为较小尺寸和低功率驱动电路的需求提供了解决方案。Heraeus在RF和DC版本中都为标准设计制造了广泛的PID灯。客户也可以从我们的设计专业知识中受益，因为Heraeus技术团队可以与OEM合作设计和制造产品，以达到其特定的维度和性能要求。
功能涂层的等离子增强化学气相沉积基础
摘要 几十年来，PECVD（“等离子体增强化学气相沉积”）工艺已成为在多种类型的基材（包括复杂形状）上合成有机或无机薄膜的最方便和通用的方法之一。因此，PECVD 如今已用于从微电子电路制造到光学/光子学、生物技术、能源、智能纺织品等许多应用领域。然而，由于该工艺的复杂性（包括大量气相和表面反应），制造针对特定应用的定制材料仍然是该领域的一大挑战，显然，只有通过对薄膜形成所涉及的化学和物理现象的基本理解才能掌握该技术。在此背景下，本基础论文的目的是与读者分享我们对 PECVD 层形成基本原理的认识和理解，考虑到不同反应途径的共存，可以通过控制气相和/或生长表面的能量耗散来定制这些反应途径。我们证明了控制 PECVD 薄膜功能特性的关键参数是相似的，无论其性质是无机的还是有机的（等离子体聚合物），从而支持对 PECVD 工艺的统一描述。气相工艺和薄膜行为的几个具体示例说明了我们的愿景。为了完善本文档，我们还讨论了 PECVD 工艺发展的当前和未来趋势，并提供了使用这种强大而多功能技术的重要工业应用示例。
使用丝网印刷和蒸气相聚合的纸电子设备
由于公众对可持续性的推动，纸电子产品的兴起已经加速。电子废物。在本报告中，可以证明导电聚合物聚（3,4-乙二醇氧噻吩）（PEDOT），多吡咯和聚噻吩可以通过丝网印刷与纸张底物上的蒸气相聚合结合并进一步掺入功能性电子成分来合成。高模式分辨率（100μm），PEDOT显示出令人印象深刻的板电阻值。PEDOT作为导电电路并在全印刷的电致色素显示器中作为导电电路。导电聚合物电路允许发射功能发光二极管，而电致色素显示器可与使用PEDOT在塑料底物上使用PEDOT相当。
气相渗透工艺中的限制步骤
气相渗透 (VPI) 是一种聚合后改性技术，可将无机物注入聚合物中以产生具有新特性的有机-无机混合材料。关于 VPI 工艺背后的化学动力学，我们仍有许多未解之谜。本研究旨在更好地了解控制三甲基铝 (TMA) 和 TiCl 4 渗透到 PMMA 中形成无机-PMMA 混合材料的工艺动力学。为了获得深入见解，本文首先研究了根据最近提出的 VPI 反应扩散模型计算出的无机物时空浓度的预测结果。该模型深入了解了 Damköhler 数（反应与扩散速率）和非 Fickian 扩散过程（阻碍），这些过程是由材料从聚合物转变为混合材料而产生的，如何影响无机浓度深度剖面随时间的变化。随后，收集了 90 °C 和 135 °C 下 TMA 和 TiCl 4 渗透 PMMA 薄膜的实验性 XPS 深度剖面。将这些深度剖面在不同渗透时间下的功能行为与各种计算预测进行定性比较，并得出关于每个过程机制的结论。对于本文研究的薄膜厚度（200 nm），TMA 渗透到 PMMA 中似乎从低温（90 °C）下的扩散限制过程转变为高温（135 °C）下的反应限制过程。虽然 TMA 似乎在几个小时内完全渗透到这些 200 nm 的 PMMA 薄膜中，但 TiCl 4 渗透到 PMMA 中的速度要慢得多，即使在前体暴露 2 天后也不会完全饱和。在 90 °C 下的渗透速度非常慢，以至于无法得出关于机制的明确结论；然而，在 135 °C 下，TiCl 4 渗透到 PMMA 中显然是一个反应限制过程，TiCl 4 仅在几分钟内渗透到整个厚度（低浓度），但无机负载在 2 天内以均匀的方式持续增加。近表面与反应限制过程预期的均匀加载偏差也表明 TiCl 4 渗透到 PMMA 中的扩散阻碍很大。这些结果展示了一种新的非原位分析方法，用于研究气相渗透的速率限制过程机制。
气相色谱/质谱法（GC/MS）半定量筛选方法的资格，用于分析可萃取物和浸润性FR
ISO-10993中概述了《医疗设备萃取物和浸润器的监管指南》，“医疗设备的生物评估”，第12、17和18部分，特别是1-3。可提取的测试方法通常提供两个（通常是分开的）目的，并量身定制以适合该特定目的。方法可以设计用于以半定量非目标方式对提取物进行一般筛选。或，可以使用针对特定的“靶向”化学实体评估所选方法性能标准的目标定量方法。尽管在所有情况下都需要高性能的方法，但在所讨论的特定测试文章（和这些物种的定量）中，预期在内源性水平上存在的方法性能与特定的可提取物种仅在目标方法中有目的地建立。筛选方法（非目标）仍然可以使用标准来验证色谱，方法性能，执行半定量，系统适用性（以及更多）。但是，理想地设计了可靠的筛选方法，无论其性质如何，或在进行测试时的任何矩阵中都使用。并且它们旨在最大程度地减少检测极限（与药物药物测定方法不同，在该方法通常不是问题的情况下）。
碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到：http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-187711 注意：引用本作品时，请引用原始出版物。Huang, J., Militzer, C., Wijayawardhana, C., Forsberg, U., Pedersen, H., (2022)，碳化硅涂层的保形和超保形化学气相沉积，真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜，40(5)，053402。https://doi.org/10.1116/6.0001909
化学气相沉积三硫化钛纳米结构中的异常重掺杂
纳米级过渡金属三硫属化物如 TiS 3 在基础研究和应用开发方面都表现出巨大的潜力，但它们的自下而上的合成策略尚未实现。在这里，我们探索了 TiS 3 的化学气相沉积 (CVD) 合成，其晶格各向异性使得其能够沿 b 轴优先生长，从而得到长宽比可通过生长温度调节的矩形纳米片或纳米带。所获得的纳米结构在保持与原始半导体 TiS 3 一样的光谱和结构特征的同时，表现出高电导率和超低载流子活化势垒，有望作为纳米级导体。我们的实验和计算结果表明，CVD 生长的 TiS 3 中 S 2 − 2 空位的存在是造成重 n 型掺杂直至简并能级的原因。此外，预计通过用环境中的氧原子钝化 S 2 − 2 空位可以恢复半导体性能。因此，这项工作预示着利用缺陷工程三硫属化物半导体构建纳米级电子器件的诱人可能性。
用于电子应用的新型气相沉积介电聚合物薄膜
摘要。从电缆绝缘到先进电子设备，介电材料在众多应用中都备受关注。设备小型化的新趋势使得对能够精确生产纳米级介电薄膜的需求不断增加。此外，通常还需要特殊的机械性能，例如在柔性有机电子领域。聚合物是此目的的首选材料。然而，通过湿化学方法生产具有低缺陷密度且不含残留溶剂等的精确纳米级薄膜极其困难。引发化学气相沉积 (iCVD) 是一种无溶剂聚合物薄膜沉积工艺，可用于生产具有纳米级控制的高质量介电薄膜，从而避免了这些问题。这项工作通过一些新的 iCVD 应用示例展示了 iCVD 工艺在电气应用领域的多功能性。例如，通过在柱状氧化锌 (ZnO:Fe) 气体传感结构上添加疏水性有机硅氧烷薄膜，乙醇到氢气的选择性发生了变化，并且在高湿度水平下的性能也得到了改善。因此，改进后的传感器可用于潮湿环境，尤其是用于呼吸测试，这可以通过尖端的非侵入性方法诊断某些疾病。
通过气相-液相-固相联合生长和边缘附着制备独立的大型超薄硒化锗范德华带
在 IV 族单硫族化物中，层状 GeSe 因其各向异性、1.3 eV 直接带隙、铁电性、高迁移率和出色的环境稳定性而备受关注。电子、光电子和光伏应用依赖于合成方法的开发，这些方法可以产生大量具有可控尺寸和厚度的晶体薄片。在这里，我们展示了在低热预算下，在不同基底上通过金催化剂通过气相-液相-固相工艺生长单晶 GeSe 纳米带。纳米带结晶为层状结构，带轴沿着范德华层的扶手椅方向。纳米带的形态由催化剂驱动的快速纵向生长决定，同时通过边缘特定结合到基面而进行横向扩展。这种组合生长机制能够实现温度控制的纳米带，其典型宽度高达 30 μm，长度超过 100 μm，同时保持厚度低于 50 nm。单个 GeSe 纳米带的纳米级阴极发光光谱表明，在室温下具有强烈的温度依赖性带边发射，其基本带隙和温度系数分别为 E g (0) = 1.29 eV 和 α = 3.0×10 -4 eV/K，证明了高质量 GeSe 和低浓度的非辐射复合中心，有望用于包括光发射器、光电探测器和太阳能电池在内的光电应用。