摘要:硼氢化镁(Mg(BH 4 ) 2 )具有较高的氢重量/体积容量和脱氢可逆性,是一种很有前途的材料基储氢材料。目前,缓慢的脱氢动力学和中间体聚硼烷的形成阻碍了它在清洁能源技术中的应用。本研究介绍了一种改变 Mg(BH 4 ) 2 物理化学性质的新方法,该方法涉及在气相中添加反应性分子。该过程使得研究一类用于材料基储氢的新型添加剂分子成为可能。研究了四种具有不同亲电性程度的分子(BBr 3 、Al 2 (CH 3 ) 6 、TiCl 4 和 N 2 H 4 )的影响,以推断如何利用化学反应性来调节添加剂 -Mg(BH 4 ) 2 相互作用并优化低温下氢气的释放。控制添加剂与 Mg(BH 4 ) 2 的接触量可防止 γ -Mg(BH 4 ) 2 晶体结构退化和氢容量损失。三甲基铝对 Mg(BH 4 ) 2 的影响最为显著,可保持 Mg(BH 4 ) 2 理论氢含量的 97%,并在 115 °C 时释放氢。这些结果有力地证明了该方法对控制 Mg(BH 4 ) 2 性能的有效性,并为基于添加剂的储氢材料改性提供了一条新途径。关键词:硼氢化镁、储氢、电解质、添加剂、气相化学、同步辐射■ 引言
近年来,机载气象设备越来越受欢迎,各种类型的设备都被引入驾驶舱。尽管它们很有效,但它们并不总能处理所有与天气有关的事件,例如大风、湍流和风切变。本文研究了与飞行阶段和天气事件相关的死亡率。分析数据来自美国国家运输安全委员会 (NTSB) 和航空安全报告系统 (ASRS) 数据库。研究了与通用航空相关事故和事件相关的天气条件,以更好地了解各种与天气有关的事件中最常见的具体因素。这两个数据库产生了 30,877 起事故/事件记录。本研究根据 14 CFR 第 91 部分一般操作和飞行规则从 NTSB 数据库中审查了 17,325 起事故和事件,以确定哪些是由天气引起的。在整个调查过程中,共发生了 1,382 起与天气有关的事故和事件。死亡率最高的飞行阶段是机动和航路阶段(28%)。在总共 30,877 起事故/事件记录中,有 13,552 起报告在 ASRS 数据库中。其中 358 起与天气有关。航路 (52%) 是飞行过程中发生与天气有关的事故/事件最多的阶段。
摘要:富 Ge Ge-Sb-Te 化合物具有较高的结晶温度,是未来相变存储器的理想材料,具有广泛的应用前景。本文,我们报道了通过金属有机化学气相沉积生长的自组装富 Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3 核壳纳米线。核心富 Ge Ge-Sb-Te 纳米线通过气相-液相-固相机制自组装,由 Si (100) 和 SiO 2 /Si 基底上的 Au 纳米粒子催化;随后在室温下进行 Sb 2 Te 3 壳的保形过度生长,以实现核壳异质结构。利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼显微光谱和电子能量损失谱对富Ge Ge-Sb-Te核和富Ge Ge-Sb-Te/Sb 2 Te 3核壳纳米线进行了广泛的表征,以分析其表面形貌、晶体结构、振动特性和元素组成。
结果和讨论在溶解能力方面进行了比较,包括乙酸乙酯,丙酮,己烷,甲苯,乙醇和三氯甲烷的不同稀释溶剂。只有用乙酸乙酯才能接受靶酯化合物的溶解作用,该乙酸乙酯被选为本研究的稀释溶剂。五个水平的浓度(4、10、20、50和100 mg/L),用于验证线性响应,检测极限(LOD),定量极限(LOQ)和面积计数可重复性(RSD%)。图1.
在法律规定的某些条件下,图书馆和档案馆有权提供复印件或其他复制品。这些规定条件之一是,复印件或复制品不得“用于除私人学习、学术或研究以外的任何目的”。 如果用户请求或随后将复印件或复制品用于超出“合理使用”范围的目的,则该用户可能要承担侵犯版权的责任,
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到:http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意:引用本作品时,请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021),绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进,真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜,39(5),051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
(1) 该项目被日本科学技术振兴机构选为促进创新中心建设的项目,该项目为期五年(从 2015 年 6 月 1 日到 2020 年 3 月 31 日)。本文讨论的研究是基于该项目的合作成果。 (2) 当两种或两种以上气体的混合物通过专门的流路(由缠绕在卷轴上的空心管组成,称为柱)时,混合物的各种成分会随着时间自然分离。气相色谱仪是一种利用这种时间分离现象来识别和测量气体混合物成分浓度的分析仪器。传统的气相色谱仪是大型仪器,通常安装在桌面上;虽然已经开发了便携式版本,但它们的灵敏度和精度通常不如大型仪器。
CAPVD 的主要优势包括:形成高密度、高附着力的涂层,具有良好的沉积速率和厚度控制(± 5 纳米)。ARCI 的半工业化设备配备 400 毫米长(Ф:110 毫米)圆柱形阴极,与任何其他传统 CAPVD 设备相比,它能够减少液滴形成。要涂覆的目标的最大尺寸可以是:350 毫米长 x 100 毫米宽(Ф)。CAPVD 设备具有独特的优势,可用于开发汽车、航空航天、制造、光学、电子、替代能源等主要领域的薄膜/涂层。
Technical Parameters WSPS2 - VPD automation system: • Open cassette stations • Robotic system: Fully automatic wafer handling and processing • PAD-Fume: Etching of surface and bulk Si • PAD-Scan: scanning of liquefied wafer surface • Scan options: Bevel scan (for wafer edges) and Hydrophilic surface scan