1准确性声明4 2执行摘要5 3上下文,范围和理由8 3.1简介8 3.2 Worsley氧化铝项目和修订的提案的描述8 3.3目的9 4 GHGMP组件11 4.1 GHG排放估算估计11 4.2降低排放量15 4.3减少量尺寸。 2) 26 4.5 Alternative Abatement Options 32 4.6 Mitigation Measures Adopted –Scope 3 Emissions 32 4.7 Other Applicable Statutory DECISION-MAKING Processes 33 4.8 Consistency with Other Non-Statutory GHG Reduction Tools 33 4.9 Offsets 34 4.10 Operations Beyond 2050 34 5 Adaptive Management, Continuous Improvement and Review 35 5.1 MA5 - Adaptive Management Approach 35 5.2 Review and Revision of GHGMP 35 6报告和公共披露37 7利益相关者咨询39 8参考40 9定义,条款和缩写42 10文件控制43 11附录44
Contact: Gavin Edwards - Director Email: gedwards@prestonconsulting.com.au Website: www.prestonconsulting.com.au Phone: +61 488 737 273 Street Address: Level 3, 201 Adelaide Terrace, East Perth, Western Australia, 6004 Postal Address: PO Box 3093, East Perth, Western Australia, 6892 Disclaimer This Report has been prepared on behalf of and为了独家使用Albemarle Lithium pty Ltd,并应根据Preston Consulting Pty Ltd和Albemarle Lithium Pty Ltd. Preston Consulting Pty Ltd的协议承担并发行,并承担任何第三方报告或对本报告的使用或对任何对任何第三方的使用或对任何使用的责任或依赖的责任或责任。未经Preston Consulting Pty Ltd和Albemarle Lithium Pty Ltd的明确许可,复制本报告的任何部分。
宽带隙 (WBG) 半导体材料,例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3),使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前,全球约有一半的总能源消耗是电力,预计到 2030 年,80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而,基础科学和材料科学还有很大的发展空间;宽带隙材料确实无处不在;几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的,还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料,还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合,报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件将逐渐取代现有的硅技术,因为硅已经达到其物理电学性质的固有极限。 因此,自 2007 年以来,硅基器件已不再能够跟上摩尔定律的步伐,曲线出现了平台期:摩尔预测,集成电路制造商每年应该能够将单个硅芯片上可容纳的晶体管数量翻一番。 相反,晶体管尺寸正在以较慢的速度减小;自 2007 年以来,尺寸减小的进程已明显放缓。 美国劳伦斯伯克利国家实验室 (LBNL) 最近制造的最小硅 MOSFET 的宽度(沟道长度)仅为 7 纳米,即仅比单个硅原子的尺寸大一个数量级。 在这种几何尺寸下,可能会发生量子隧穿,并且器件将失去控制电流流动的能力。因此,最近的发展意味着硅技术正在接近该材料的理论物理极限。由于硅的特性阻碍了器件性能的进一步提高,微电子研发变得更具挑战性,需要投入大量资金,有时似乎不经济,因为它太昂贵了。
研究表明,浪费的扫描预约数量在统计上显著改善了需要进行 DNA 扫描的患者数量。以前,整体 DNA 扫描率相当于总扫描次数的 3%。现在,这一比例已降至 1%。平均 DNA 扫描次数已从每周 15 次减少到每周 6 次(DNA 扫描次数减少了 40%)。这相当于每月大约两天半的扫描时间。降低 DNA 扫描率释放了扫描能力,以便进行需要的紧急扫描,使患者能够在需要时接受检查,并降低了延误可能造成的风险。
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