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World File Search System气隙
使用无线电源传输技术增强起搏器电池寿命
WPT系统的耦合系数公式为：$$ k = \ frac {m} {\ sqrt {l_t \ times l_r}} $$ ..WPT的效率随耦合系数的提高。当一个线圈的所有磁通线切开第二个线圈的所有磁通线时，就会发生完美的耦合（k = 1），从而导致相互电感等于两个个体电感的几何平均值。这会导致满足关系$$ \ frac {v_1} {v_2} = \ frac {n_1} {n_2} $$的感应电压。图11提出了一种动画可视化，展示了磁通密度对发射器和接收器线圈之间气隙距离变化的响应。参数AC磁研究生动地证明了反相关关系：随着气隙距离的增加，磁通量密度达到二次线圈的降低，反之亦然。
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
二维 ScB MBene 的带隙工程
MBenes 是二维 (2D) 材料中的一种新兴成员，因其独特的机械和电子特性以及多样化的晶体对称性和结构而备受关注，这些特性使其成为不同类型应用的有希望的候选材料 [1, 2]。然而，原始 MBenes 的固有金属性质可能会成为光学领域中涉及光子吸收、发射和电子学的多种应用的障碍。在半导体材料中，带隙是最重要的参数，人们投入了大量精力来寻找具有广泛带隙的新型纳米材料。虽然 MBenes 通常表现出金属行为，但可以通过能带工程将其调整为半导体。在这项工作中，ScB MBenes 的电子能带结构已利用表面功能化和应变电子学等能带工程技术进行了修改。我们研究了 ScB MBenes 的各种晶体对称性，并检查了它们的结构和动态稳定性。我们的结果表明，具有六方晶体对称性的 ScB 是最稳定的。我们已经研究了具有 O-、F-、OH- 和 H- 官能团的 ScB 的电子结构，并且能带结构计算表明，用 O 官能化的 ScB 在 DFT+U 和混合交换关联函数 HSE06 中分别具有约 0.1 eV 和 0.5 eV 的半导体带隙。除了用 O 官能化之外，施加的平面双轴应变还使带隙进一步增大了 0.8 eV。这可以使 ScBO MBene 充分利用电子、光学和其他多种应用。
曲率校正低压带隙基准
稿件于 1992 年 9 月 8 日收到；修订于 1993 年 2 月 17 日。M. Gunawan 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于印度尼西亚政府。GCM Meijer 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。J. Fonderie 曾就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。他目前就职于 Phihps Semiconductors，邮编 94088，加利福尼亚州桑尼维尔。JH Huijsing 就职于荷兰代尔夫特理工大学电气工程系电子仪器实验室，邮编 2628 CD 代尔夫特。IEEE 日志号 9209023。
MIT开放访问文章高速转子系统...
增加机械速度是提高电动机特定功率的关键途径，但挑战包括在操作过程中保持紧密的气隙间隙。即使是由于转子定位偏移量的转子偏移而导致的气隙部分损失也会产生不稳定的电磁力，从而对动力动力的稳定性产生负面影响，其方式与涡轮机械中的流体压力力相似。提出了一个用于兆瓦级电动机驱动器的高速转子系统，在旋转坑测试中，转子结构完整性在额定速度和温度下实验验证。转子系统利用固体阻尼器（O形圈）来避免流体阻尼器的成本和复杂性，并设计和测试了具有原位阻尼器调音机制的新型轴承外壳模块，以减轻相关风险。
通过 HVDC 技术实现电网恢复 - 亚马逊 AWS
Larsson M 、Törnkvist C、Borg K、Arevalo L 、Wu D。“球面气隙中的非连续正先导传播”。电气工程讲义，丛书，Springer，第 599 卷，第 1205 – 1214 页 https://doi.org/10.1007/978-3-030-31680-8_115 。ISBN 978-3-030-31679-2。2019
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。
适用于极端温度和辐射环境的宽带隙半导体
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基于超宽带隙氮化铝平台的下一代电子产品
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宽带隙技术：效率潜力和... - IEA 4E
关于国际能源署《节能终端使用设备实施协议》（4E）：节能终端使用设备技术合作计划（4E TCP）自 2008 年以来一直致力于支持各国政府协调有效的能源效率政策。14 个国家和一个地区已联合起来建立 4E TCP 平台，以交流技术和政策信息，重点是增加高效终端使用设备的生产和贸易。然而，4E TCP 不仅仅是一个信息共享论坛：它汇集了各种项目的资源和专业知识，旨在满足参与国政府的政策需求。4E 的成员发现这是对稀缺资金的有效利用，其成果比单个司法管辖区所能实现的更为全面和权威。4E TCP 是在国际能源署（IEA）的支持下成立的，是一个功能和法律上独立的机构。 4E TCP 的现有成员为：澳大利亚、奥地利、加拿大、中国、丹麦、欧盟委员会、法国、日本、韩国、荷兰、新西兰、瑞士、瑞典、英国和美国。