1989 年 4 月 12 日至 13 日,在新墨西哥州拉斯克鲁塞斯举办了“富氧环境下材料兼容性和敏感性”研讨会。该研讨会由 ASTM 委员会 G-4 主办,主题为“富氧环境下材料兼容性和敏感性”。美国宇航局约翰逊航天中心白沙试验设施的 Joel Stoltzfus、Jack Stradling 和 Frank Benz 担任研讨会联合主席。
摘要:高速氧燃料 (HVOF) 喷涂广泛应用于各个行业。这是因为它可以减少部件磨损、侵蚀和腐蚀。如果考虑机械性能和疲劳行为,HVOF 热喷涂涂层对部件的影响是可以争论的。这项工作的主要目标是研究涂有碳化钨-镍的碳钢的疲劳性能,并使用有限元分析来研究涂有碳化钨-镍的碳钢的断裂过程。这些研究的疲劳试验是在 ANSYS Workbench 软件中进行的,其中平均理论设置为 Goodman 理论。样本在 SolidWorks 软件中以狗骨形状建模。疲劳试验模拟是在试样的一端施加 9 kN、10.5 kN、12 kN 和 13.5 kN 的力,另一端施加固定支撑的情况下进行的。根据结果,与未涂层试样相比,涂层试样可以维持更长时间,而较大的力将缩短试样的使用寿命。结果还表明,与涂层试样相比,未涂层试样的最大损伤更大,而较大的力将使试样受到的损伤更大。对于疲劳强度,与涂层试样相比,未涂层试样具有更高的应力,而较大的力将使试样的疲劳强度更高。断裂结果表明,与涂层钢相比,未涂层钢具有最大的平滑区域。关键词:碳钢、涂层、疲劳、热喷涂、有限元分析
非晶态二氧化铪 (a-HfO 2 ) 广泛用于电子设备,例如超大规模场效应晶体管和电阻存储单元。a-HfO 2 中氧空位 (OV) 缺陷的密度对非晶态材料的电导率有很大影响。最终,OV 缺陷是造成导电细丝路径形成和断裂的原因,而导电细丝路径可用于新型电阻开关设备。在这项工作中,我们使用从头算方法研究了 a-HfO 2 中的中性 OV。我们研究了 OV 的形成能、双 OV 的结合能、不受干扰和在氢原子附近存在时的 OV 迁移以及氢原子向 OV 的迁移。与结晶 HfO 2 中的势垒 (2.4 eV) 相比,a-HfO 2 中存在浅而短程的 OV 迁移势垒 (0.6 eV)。附近的氢对 OV 迁移的影响有限;然而,氢可以通过在OV之间跳跃而轻易扩散。
暴露 [7] 或浸入水中时。 [8] 相比之下,据报道 MoTe 2 是反应性最强的 TMD 之一。 [9] 然而,人们对导致这些材料行为截然不同的原子级过程知之甚少。像差校正(扫描)透射电子显微镜 (STEM) 可以以亚秒级分辨率获取材料的精确原子结构。然而,用于成像的高能电子也会引起结构变化,正如已经在 MoS 2 和 MoTe 2 中证明的那样。在 MoS 2 中,连续的电子暴露会通过电子激发和连锁损伤的共同作用迅速导致硫空位 [10] 的形成,[11] 它们首先聚集成空位线,然后出现富含钼边缘的孔隙。 [12] 相反,大概由于 Te 的质量大于 S,连锁损伤被抑制,MoTe 2 中的空位形成速度明显较慢,从而可以在不去除原子的情况下发生动态相变。 [13] 尽管如此,在这两种材料长时间成像的过程中,结构变化是不可避免的。 因此,为了研究与氧化相关的结构变化,必须将它们与纯电子辐照引起的效应区分开来。 这就需要具有超高真空的仪器,并在成像过程中在样品周围引入受控的低压气氛。 [14] 此类实验已经表明,石墨烯中的化学蚀刻发生在氧分压 > 3 × 10 − 8 托时,[15] 远低于带有侧入支架的 TEM 仪器的典型压力,导致孔隙从缺陷位置开始生长。 [16] 原始石墨烯区域不受影响。 然而,对所有其他 2D 材料仍然缺乏类似的研究。在这里,我们使用同样的策略来比较低压(9 × 10 − 10 − 4 × 10 − 7 托)氧气气氛下悬浮的二维 MoS 2 和 MoTe 2 单层的行为,同时通过 STEM 进行原子分辨率成像。在电子辐照下,O 2 分子可以分裂成原子氧,从而将化学效应加速到实验可及的时间尺度。在我们的实验中,MoS 2 中的结构损伤与氧分压无关,显示出众所周知的[10,12,17]与电子束相关的空位产生以及随后的富钼边缘结构孔隙。相反,在 MoTe 2 中,不同氧气压力下的结构变化有明显差异。具体而言,在超高真空中,MoTe 2 中的损伤与 MoS 2 中的损伤相似,除了
对于永久性结构,建议温度高于 150 ° C。烤箱烘烤会增加交联,同时应力的增加最小。 存储 避免光照,存放在 4 – 21ºC 的直立密闭容器中。将光刻胶远离氧化剂、酸、碱和火源或点火。 处理和处置 请参阅 SDS 以了解处理和适当的 PPE。 HARE SQ™ 光刻胶含有易燃液体;远离火源、热源、火花和火焰。这种 HARE SQ™ 光刻胶与光刻胶处理中使用的典型废物流兼容。用户有责任按照所有当地、州和联邦法规进行处置。
从图 8A 的 SEM 结果中还可以观察到,纯 EP 树脂的断口形貌具有非常光滑的横截面和光滑的结构,呈现出明显的河流状形貌,这是典型的脆性断裂特征,表明纯 EP 树脂表现出有限的力学性能。然而,当添加适当含量的 S-TiO 2 (4.0 wt%) 时,EP 树脂的
毒理学概况是根据 1980 年《综合环境反应、赔偿和责任法》(经修订)(CERCLA 或超级基金)制定的。CERCLA 第 104(i)(1) 条指示 ATSDR 管理员“…实施和执行法规中与健康相关的权力”。这包括为 CERCLA 国家优先事项清单 (NPL) 上设施中最常见的危险物质准备毒理学概况,这些物质对人类健康构成最大潜在威胁,由 ATSDR 和 EPA 确定。CERCLA 经修订的第 104(i)(3) 条指示 ATSDR 管理员为清单上的每种物质准备毒理学概况。此外,ATSDR 有权为 NPL 地点未发现的物质准备毒理学概况,以便根据 CERCLA 第 104(i)(1)(B) 条“建立和维护有关有毒物质对健康影响的文献、研究和调查清单”,响应第 104(i)(4) 条下的咨询请求,并在必要时支持 ATSDR 针对特定地点采取的响应行动。
中性电解质中的OER首先发生在催化剂活性位点上吸附水分子(即反应物),然后形成反应中间体(如HO*、O*和HOO*),最后产生和释放O 2 。[14,15]因此,额外的水吸附及其解离过程是中性OER催化所必需的。调整催化剂的电子结构和增加反应物在催化剂表面的吸附以利于中性OER反应途径将是提高中性OER速率的途径。最近的研究表明,加入额外的过渡金属可以通过改变贵金属催化剂的电子结构来提高其本征活性。 [16] 此外,研究发现,在涉及水的反应中,水合金属阳离子(Mn +)与 HO* 相互作用可以生成 OH 和 -Mn + (H 2 O) x 物种,进一步增加水分子在催化剂/电解质界面的吸附。[17,18] Ca 2 +作为典型的水合金属阳离子,具有较高的水合能,可以增加水分子在催化剂表面的吸附。[19–21] 我们认为将 Ca 2 +引入 Ru-Ir 二元氧化物中可以获得最佳电子结构,从而增强活性位点的本征活性,同时增加吸附态 Pd 的局部浓度。
静息状态功能性磁共振成像 (rs-fMRI) 的最新证据表明,健康人脑具有时间组织,该组织以非常复杂的时间延迟结构为代表。这种结构似乎是大脑信息流、大脑活动的整合/传播以及信息处理的基础。因此,它可能与高度协调的复杂大脑现象(如意识)的出现有关。然而,在意识状态改变期间,这种结构可能发生的变化仍未得到充分研究。在这项研究中,我们假设由于高阶功能的中断和大脑信息流的改变,意识障碍 (DOC) 患者的自发性大脑活动的时间延迟结构可能会发生变化。我们通过比较 48 名 DOC 患者和 27 名健康对照 (HC) 受试者在静息状态下获得的 fMRI 静息状态数据的时间延迟投影来探索这一假设。结果表明,与 HC 相比,DOC 患者的时间延迟结构有所改变。具体而言,中扣带皮层 (mCC) 内潜伏期的平均值和方向性会随着意识水平的变化而变化。具体而言,mCC 内潜伏期的正值与意识状态的保持有关,而 DOC 患者的负值则与意识水平成比例变化。这些结果表明,mCC 可能在 HC 受试者中作为大脑活动的整合者发挥着关键作用,但这种作用在意识改变的状态下会消失。
在热固性材料固化过程中,低分子液体通过化学反应转化为高分子固体。随着固化的进行,玻璃化转变温度 (Tg) 会大幅升高。众所周知,Tg 可用作化学转化率的量度,尤其是在固化的后期,Tg 会随着转化率的变化而更敏感地变化。1 研究了二氰酸酯-聚氰脲酸酯 2 • 3 和环氧-胺体系的 Tg 随固化时间的变化。1 • 4 · 5 由于 Tg 是分析固化行为的重要参数,我们研究了催化环氧-酸酐体系中 Tg 变化与固化反应机理的关系。众所周知,环氧树脂与酸酐的催化反应通过两个主要固化反应进行;酯化和醚化。尽管报道的引发机理相互矛盾,6 - 8 但叔胺引发环氧基团产生两性离子,如方程式 I 所示。9