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World File Search System氧化
通过系统地结合氧化石墨烯
3伊利诺伊州立大学化学系，伊利诺伊州北部61790-4160； jkim5@ilstu.edu *通信：rubchem@kmu.ac.kr（H.-H.P. ）; jkim5@ilstu.edu（J.-H.K.）3伊利诺伊州立大学化学系，伊利诺伊州北部61790-4160； jkim5@ilstu.edu *通信：rubchem@kmu.ac.kr（H.-H.P.）; jkim5@ilstu.edu（J.-H.K.）
评估DNA损伤概况和氧化...
炎症性肠病（IBD），包括溃疡性结肠炎（UC）和克罗恩病（CD），是一种慢性肠炎症病因的慢性炎症性疾病。由于结肠屏障功能，细菌和病毒感染的变化，结肠菌群改变和饮食习惯，由于遗传，免疫和环境是多因素：遗传，免疫和环境。CD可以影响胃肠道的任何部分，而UC仅涉及直肠和结肠。据估计，在欧洲，约有0.3％的人口（25-30万人）患有IBD。病态从每10万人的1.5至213例不等，对于每100,000人的溃疡性结肠炎的2.4至294例[1]。与氧化应激结合的炎症细胞激活会导致遗传和表观遗传学变化，从而促进致癌性[2]。对肠粘膜细胞的氧化损伤和炎症反应的加剧已被提出为涉及IBD病理生理学的氧化应激的两种重要机制[3]。
硫电池中同时抑制和氧化还原的氧化还原的双词电解质添加剂
作者的完整列表：Rafie，Ayda； Drexel大学，化学与生物学工程Pai，Rahul； Drexel大学工程学院，化学与生物工程学院Kalra，Vibha； Drexel大学，化学和生物学工程
氧化镍超导体在高温下超高...
在第二年，铜氧化物 *2中高温超导性的发现是极快的杰作，并且是一部杰作，它将留在科学史上。自2000年代初以来，Kuroki教授及其小组一直在研究实现TC的策略，该策略超过了氧化铜。尽管可以在理论模型的范围内实现高T C，但使用真实材料实现这一点并不容易。经过各种考虑，黑子教授和其他人在2017年的论文A中发现，即使不是理想的理论模型本身，La 3 Ni 2 O 7也可以达到类似的情况。六年后的2023年5月，来自中国中央大学的一个小组在其预印式服务器Arxiv上宣布，La 3 Ni 2 O 7在压力下以T C = 80K的最大t c = 80K表现出高温超导性，并于9月在自然界发表（H. Sun等人，自然，自然621，493（20233））。自从本文出现在5月的Arxiv上以来，Kuroki教授，Sakakibara副教授和Ochi副教授已经开始了联合研究，并于6月发表了有关Arxiv的论文。从那时起，关于ARXIV的大量相关实验和理论论文已经发表，并且在全球范围内一直在蓬勃发展。
基于氧化还原的电子询问和反馈...
作者：S Wang · 2023 · 被引用 7 次 — 将细胞与含有 4 臂 PEG-SH 单体 (50 mM) 的溶液混合。79 氧化还原介质二茂铁 (Fc, 5 mM)，以促进电极诱导...
1锰氧化石墨烯海绵...
图1。扫描电子显微镜（SEM）（a）rgo，（b）lmn x o y rgo，（c）lmn x o y nh 2 rgo，（d）hmn x o y rgo和（e）hmn x o y nh 2 rgo。
氧化石墨烯支持的Co
摘要在这项工作中，使用简单和低成本的水热途径合成了氧化石墨烯（GO）电催化剂在氧化石墨烯（GO）上支撑的纳米颗粒，用于燃料电池中的氧还原反应（ORR）。使用现场发射扫描电子显微镜（FESEM），X-射线衍射（XRD），拉曼光谱，循环伏安弹药（CV），Lineareartamper（Lineareartamper（Lineareartamper）（Lineareartamper）（chronemetmet）（lsv）（lsovemetmet）（lsv），在碱性培养基中研究了尿素浓度对物理化学和电化学特征的影响。使用乙酸钴四氢钴和尿素制备的电催化剂，摩尔比为1：1，在0.88 V通过25°C的四电子机制在0.88 V时具有最高的ORR活性（E发作）。与PT/ C相比，合成的电催化剂也显示出提高的稳定性。与PT/ C（173.6 MWCM⁻2）相比，CN1-1表现出较低的功率密度（37.9 MWCM⁻2），但仍然有望作为质子交换膜燃料电池（PEMFC）的ORR电催化剂。关键字：电催化剂；燃料电池；氧化石墨烯；水热；氧还原反应
4H-SIC MOS电容器的氧化栅极
硅是电子中使用的主要材料。电力电子的演变以及对更多功率效率的半导体设备的需求，将硅带到了极限。碳化硅是一种具有宽带隙，高临界电场，高温电导率和饱和速度的电子应用的有希望的材料。除了其优越性，碳化硅碳化物具有与硅2界面相比，在SIC/SIO 2界面中的界面陷阱的缺点大约有两个数量级。此缺点的结果是将压力在MOS电容器和功率MOSFET的门上施加应力时，带有带电压的转移。为了研究SIC/SIO 2界面的纯特性，两种应力方法，当前的脉搏应力和栅极电压升压，已应用于室温和较高温度下的硝基氧化物的4H-SIC电容器上。检查了频段电压恢复。可以在室温下恢复频带电压，而在较高温度下则不需要恢复，而在室温下可以恢复。研究了最大电压（初始电压）和下降的电压速率，并显示出更高的初始电压和较低的电压速率，显示出更好的V FB恢复。实施了200毫秒的电流脉冲应力，并且几乎具有与持续50秒的电压上升相似的影响。
