1) 传统策略优化化学成分(参考钢 EUROFER97),使用计算热力学模型和改进的热机械处理 (TMT) 来生产更高性能的低活化铁素体/马氏体 (RAFM) 钢。在 Eurofusion 项目中,研究了几种添加氮的马氏体钢,旨在提高机械和蠕变抗力,以及耐腐蚀性。这些钢是在 CSM 工厂生产的,并经过了充分表征。
摘要:在这里,在第一次,我们介绍了有关高室,单相钙晶的质子电导率的数据。bazr 0.2 sn 0.2 ti 0.2 hf 0.2 ce 0.2 o 3 - δ,bazr 0.2 sn 0.2 sn 0.2 ti 0.2 ti 0.2 hf 0.2 hf 0.2 hf 0.2 -y 0.2 o 3 -δ,bazr 1/7 sn 1/7 sn 1/7 ti 1/7 ti 1/7 ti 1/7 hf 1/7 hf 1/7 hf 1/7 hf 1/7 nb 1/7 nb 1/7 y 1/7 y 1/7 y 1/7 o 3 0.15 0.15 ti 0.15 ti 0.15 haz and bazr and bazr and bazr and bazr CE 0.15 NB 0.15 Y 0.10 O 3-δ单相蛋白酶合成。在电测量之前,使用X射线差异(XRD),扫描电子显微镜(SEM),X射线光电光谱(XPS)和热重分析(TGA)表征材料。以下实验结果表明,研究的高渗透钙晶是质子导体:(1)从干燥到潮湿的气氛转换后观察到的质量增加,将水掺入材料结构中。(2)电化学阻抗光谱(EIS)表明,在大气中存在水蒸气的情况下,总电导率增加,而其激活能量降低。(3)用H 2 O和D 2 O彼此之间的大气中的电导率彼此之间存在,显示了质子导体典型的同位素在高渗透氧化物中的效应。o
3.1 Introduction .............................................................................................................................................. 71 3.2 Analysis of the metal support .............................................................................................................. 71 3.3 Deposition of bilayer NiO-YSZ anode by APS ............................................................................... 78 3.3.1 Preparation of NiO-YSZ mixed powder by spray drying .......................................................... 79 3.3.2 Optimization of APS deposition parameters ................................................................................. 83 3.2.3 Deposition of bilayer anode on ITM .............................................................................................. 94 3.4 Deposition of 8YSZ/GDC10 bilayer electrolyte by RMS with PEM system .......................... 99 3.4.1 Deposition of 8YSZ electrolyte layer ........................................................................................... 101 3.4.2 Deposition of GDC10 as electrolyte layer and buffer layer ......................................................................................................... 107 3.5结论...................................................................................................................................................................................................................................................................................
术语“石墨烯”是指石墨的组合,石墨是碳的结晶形式,带有辅助的“ -ene”表示二维结构。石墨和钻石都是天然存在的碳同素异肌,由由碳原子组成的三维结构组成。2个格雷恩是类似于蜂窝的二维晶格结构。它由紧密堆积的碳原子组成,这些碳原子在厚度仅厚度仅一个原子的层中产生一个。石墨烯的碳原子通过SP 2杂交链接。2为了创建厚1毫米的石墨结构,它需要300万层的石墨烯。的确,单平方米的石墨烯仅重0.77毫克。3,4(GO)具有结构稳定的结构,并表现出显着的热,电气,光学和机械导电质量。5的研究表明,GO具有在7个以上的pH水平上维持高水平的分散稳定性的显着能力。此属性可以创建具有较大表面积的LMS。6
• 扩大粉末合成工艺,以生产具有所需成分和化学性质的 50g 电解质和电极材料。 • 使用纳米烧结助剂在低温(<1400°C)下合成致密质子传导电解质,并鉴定质子、氧离子和电子电导率 • 使用我们开发的电解质和电极材料成功制造 H-SOEC 纽扣电池。 • 设计实验设置并利用先进的表征技术。已经建立了在实际蒸汽电解下运行的结构和化学降解机制。 • 研究了高蒸汽和 Cr/Si 蒸汽下选定电极的性能退化,并根据特性和结果提出了机械模型 • 已经研究了缓解电池性能的方法。已经发现低成本的吸气剂可以捕获痕量污染物并防止电极退化。 • 研究生接受了实验方法和分析工具方面的培训。博士后研究员和本科生也在学习 SOEC 技术、质子传导氧化物化学。 • 有效利用了 EMN 网络和 NREL、INL 和 PNNL 的核心实验和计算能力。预算期 2 和 Go/No-Go 决策的总体计划目标 (M4-1 和 GNG-BP1) 已经实现。
2个化学科学与工程部,阿尔贡国家实验室,伊利诺伊州莱蒙特市卡斯大街9700号,美国伊利诺伊州60439,美国2个化学科学与工程部,阿尔贡国家实验室,伊利诺伊州莱蒙特市卡斯大街9700号,美国伊利诺伊州60439,美国
二维电子气 (2DEG) 可在某些氧化物界面处形成,为创造非凡的物理特性提供了肥沃的土壤。这些特性可用于各种新型电子设备,例如晶体管、气体传感器和自旋电子器件。最近有几项研究展示了 2DEG 在电阻式随机存取存储器 (RRAM) 中的应用。我们简要回顾了氧化物 2DEG 的基础知识,强调了可扩展性和成熟度,并描述了从外延氧化物界面(例如 LaAlO 3 /SrTiO 3 )到简单且高度可扩展的非晶态-多晶系统(例如 Al 2 O 3 /TiO 2 )的最新发展趋势。我们批判性地描述和比较了基于这些系统的最新 RRAM 设备,并强调了 2DEG 系统在 RRAM 应用中的可能优势和潜力。我们认为当前的挑战是围绕从一个设备扩展到大型阵列,其中需要在串联电阻降低和制造技术方面取得进一步进展。最后,我们列出了基于 2DEG 的 RRAM 所带来的一些机遇,包括增强的可调性和设计灵活性,这反过来可以为多级功能提供优势。
Heba H El-Maghrabi、Amr A Nada、Fathi S Soliman、Patrice Raynaud、Yasser M Moustafa 等。从电子废料中回收金属氧化物纳米材料。纳米材料制造的废物回收技术,第 203-227 页,印刷中,�10.1007/978-3-030-68031-2_8�。�hal- 03272410�
摘要。航空燃气涡轮发动机的发展在很大程度上需要先进材料的开发。然而,这种复杂的开发过程是合理的,因为它具有系统级优势,如减轻重量、提高温度能力和/或减少冷却,而这些都提高了效率。高温陶瓷在这方面取得了长足的进步,陶瓷基复合材料 (CMC) 处于领先地位。CMC 分为非氧化物和氧化物基。这两类材料类型在高温推进应用中都有很高的潜力。典型的氧化物基材料基于氧化物纤维和氧化物基 (Ox-Ox)。一些最常见的氧化物子类别是氧化铝、氧化铍、二氧化铈和氧化锆陶瓷。这种基体复合材料用于燃气涡轮发动机的燃烧衬套和排气喷嘴等。然而,到目前为止,还没有对可用于此类应用的氧化物基 CMC 进行彻底的研究。本文重点评估了文献调查中可用的氧化物陶瓷基复合材料的机械和热性能。
过去 60 年,集成电路中晶体管数量的迅猛增长推动了电子技术的进步。因此,现代电子芯片包含数十亿个场效应晶体管 (FET),而最先进的硅 FET 由薄至 7 纳米(相当于 13 个原子层 1 )的结构构成。然而,像硅这样的三维材料在进一步减小厚度时,迁移率会急剧下降。此外,非晶态和粗糙的沟道/氧化物界面(也存在于先进的高 k 技术中,如二氧化铪,HfO 2;k,介电常数)的影响变得越来越有害。因此,仅仅依靠标准硅技术进一步缩小现代电子设备的体积正在慢慢停滞 2 。继续缩小设备体积最有希望的解决方案之一是使用具有原子级厚度的二维 (2D) 沟道 3、4 的 FET,它们本质上提供亚纳米级的沟道厚度。然而,2D 技术缺乏能像二氧化硅 (SiO 2 ) 与硅一样有效的绝缘体。理想情况下,这种绝缘体必须能够扩展到等效氧化物厚度 (EOT;与某种替代绝缘体产生相同电容的 SiO 2 厚度) 的单个纳米以下,并且质量足够高以保持低漏电流。此外,绝缘体应该与通道具有明确的界面,绝缘体缺陷数量少,并且介电稳定性高。Hailin Peng 和同事在《自然电子学》上撰文,表明高迁移率 2D 半导体 Bi 2 O 2 Se 可以共形氧化为原子级薄的天然氧化物亚硒酸铋 (Bi 2 SeO 5 ),随后可用作 FET 5 中的栅极绝缘体。目前,六方氮化硼 (hBN) 被广泛认为是二维电子器件最有前途的绝缘体,因为它是结晶的,并且具有干净的范德华界面 6 。然而,hBN 不太可能满足低漏电要求