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World File Search System氧化硅
湿度对表面微机械微型引擎可靠性的影响
湿度是多晶硅微机械摩擦表面磨损的一个重要因素。我们证明，非常低的湿度会导致非常高的磨损，而可靠性不会发生显著变化。我们表明，产生的磨损碎片的量是空气环境中湿度的函数。随着湿度降低，产生的磨损碎片增加。对于较高的湿度水平，表面氢氧化物的形成可能起到润滑剂的作用。主要故障机制已被确定为磨损。磨损碎片已被确定为非晶态氧化硅。在低湿度水平下观察到的大碎片（长度约为 1 微米）也是非晶态氧化硅。使用透射电子显微镜 (TEM)，我们观察到磨损碎片形成球形和棒状。我们比较了两种表面处理工艺：氟化硅烷链 (FTS) 和超临界 CO 2 干燥 (SCCO 2 )。在两种湿度水平下，使用 SCCO 2 工艺的微型发动机的可靠性低于使用 FTS 工艺发布的微型发动机。
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
改进了环境样品中微塑料和其他微层分量的分析
图5。可以将不同的方法用于过滤器上的代表性测量区域；至少应考虑20个计数区域或计数字段。这些方法可以用于不同直径和材料的过滤器（例如氧化铝，氧化硅，PTFE）。示例a）代表四分之一的过滤器； b）表示四个轴的横截面c）表示螺旋组件； d）代表一个随机组件。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
硅光子学
e x Cote s ummary the Art Silicon Photonics是光子综合电路（PICS）的有吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子世界的极端成熟基础上。因此，它以非常高的收率和低成本的方式打开了通向非常高级照片的路线。更准确地说，硅光子图片如今在200和300mm CMOS铸造厂的商业生产中，具有NM级别的精度和可重复性，从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用了硅在绝缘子（SOI）晶圆中，其中硅氧化硅层的硅层上的硅层充当了波导的核心，该波导将芯片上的设备互连。或者，SOI晶片被硅晶片取代，用一堆氮化硅波导核心层包围，被氧化硅覆盖层包围。现在，这种氮化硅图片被认为是硅光子家族的组成部分。在此路线图的单独章节中描述了它们。因此，本章主要关注基于SOI的硅光子学，是硅光子学界的主要方式。值得注意的是，近年来，许多SOI PIC平台添加了第二个光子波引导层，是氮化硅层，从而结合了两种方法的最佳方法，并可以提高设计和增强性能的灵活性。
NSi1050 Isolated CAN Transceiver
产品概述NSI1050是一个与ISO11898-2标准完全兼容的孤立的CAN收发器。NSI1050集成了两个通道数字隔离器和高可靠性可以收发。数字隔离器是基于NovoSense能力隔离技术的氧化硅隔离。高集成解决方案可以帮助简化系统设计并提高可靠性。NSI1050设备由UL1577支撑5kV RMS绝缘材料的安全性确保承受电压，同时提供高电磁免疫力和低排放。NSI1050的数据速率高达1Mbps。NSI1050提供了热保护并传输数据主导时间外功能。关键功能
案例编号 COMP/M.1630 - Air Liquide/BOC
16.集中各方还销售所谓的特种气体，主要包括制冷、电子和照明气体。特种气体含有电子行业制造半导体所需的各种化学分子，用于制造过程的不同步骤（所谓的电子特种气体 - ESG）：例如硅烷（SiH4）用于在晶圆表面沉积一层纯硅或氧化硅，砷化氢（ASH3）和磷化氢（PH3）用于掺杂（在晶圆表面添加掺杂剂以改变半导体特性），三氟化氮（NF3）、六氟乙烷（C2F6）和四氟化碳（CF4）用于蚀刻（以去除晶圆表面的材料以创建集成电路图案），
薄膜沉积的全面回顾...
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用（例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳）之后，介绍了这些层。分析了工艺参数（例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式）对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数，以实现高沉积速率和低膜应力，这在低沉积温度下是可能的。
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]