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数据表 – SGM7001、SGM7002、SGM7004、SGM7006
3.4.1 安装位置 SGM70xx 模块设计用于放置在燃气表出口处。 3.4.2 SGM 模块上的网格 Sensirion 建议在燃气表出口（最好也在入口）安装网格，以防止大颗粒（例如螺钉或螺母）进入仪表外壳。 3.4.3 安装限制 在燃气表组装期间或之后，必须避免对 SGM70xx 模块造成机械应力。安装必须以保证恒定的燃气进气条件的方式进行。 3.4.4 安装方向 建议垂直安装，向上流动。连接器 PIN 朝向入口。也可以采用其他安装方向。有关更多信息，请联系 Sensirion。 3.5 SGM70xx 外壳材料 塑料：PBT（聚对苯二甲酸丁二醇酯） 3.6 接触液体的材料 SGM70xx 外壳材料（3.5 中定义） 玻璃（氮化硅、氧化硅） 硅 FR4 聚氨酯 (PUR) 环氧树脂 铜合金 尼龙、镀锡磷青铜、PBTP
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
TLY - 低损耗层压板系列
认为短切纤维增强 2.2 层压板确实是随机的，这种说法过于乐观，甚至可能具有误导性。目视观察 5 mil 短切纤维 2.2 层压板，其外观不均匀，有深色和浅色区域（图 A）。为了确定短切纤维增强材料的均匀性，使用了 X 射线荧光。玻璃纤维的化学成分主要是氧化硅 (SiO 2 )，其次是 CaO 2 、Al 2 O3、MgO 和 B 2 O 3 。XRF 对重元素的敏感度高于碳或氟。因此，使用 XRF 追踪明暗区域中重 Si 和 Ca 的相对成分。第一个观察结果是，暗区和明区具有不同的密度（未显示表面分析）。散射强度与轻元素和重元素的浓度成正比。需要进行更详细的分析，以获得有关两个区域之间密度差异的定量信息。众所周知，PTFE 的 Dk 取决于高温致密化过程中从 PTFE 复合材料中压缩出来的空气量。图 B 显示了浅色和深色区域的 XRF 散射强度重叠（亚表面体分析）。深色区域的硅含量是深色区域的 2.35 倍，钙含量是深色区域的 1.34 倍。氧化硅（二氧化硅）的 Dk 为 3.28，明显高于 PTFE 的 2.1 Dk。硅和钙的不均匀分布表明制造过程容易产生非均匀的介电材料。目前尚不清楚哪种材料更均匀 - 短切纤维或连续编织增强的 2.2 Dk PTFE 复合材料。但必须指出的是，短切纤维层压板上的浅色和深色区域的域尺寸非常大，肉眼可见，并且肯定与编织玻璃纤维 PTFE 层压板（TLY-5）相当。真正随机短切纤维增强层压板的 x、y 和 z CTE 值相等。具有不同 Si 和 Ca 浓度的浅色和深色区域的大区域尺寸表明，层压板内可能存在具有波动 CTE 值的不同区域。
CMOS在深度低温温度下芯片上的温度计
准确的片上温度传感对于现代互补金属 - 氧化物 - 氧化通道（CMOS）集成电路（ICS）的最佳性能至关重要，可以在操作过程中理解和监测芯片周围局部加热。量子计算机的发展激发了对在深度低温温度下运行的IC的极大兴趣（通常为0.01 - 4 K），其中硅和氧化硅的疗法电导率降低以及有限的冷却功率预算使局部片上温度的温度变得更加重要。在这里，我们报告了CMOS工业制造工艺本质的片上温度测量方法的四种不同方法。这些包括二级和初级温度法和覆盖在室温下使用的常规温度计结构，以及利用在低温温度下出现的现象（例如超导性和COULOMB封锁）。我们将方法标记为温度的函数，并用它们来测量片上加热元件产生的局部过度温度。我们的结果证明了可以轻松地集成在CMOS芯片中的温度计方法，从Millikelvin范围到室温。
在有吸引力的纠缠聚合物熔体
摘要：这项工作研究了有吸引力的聚合物融化中的纳米颗粒（NP）扩散，并揭示了两种不同的动态模式：车辆和核心 - 壳。通过扩散氧化铝NP（R np = 6.5 nm）和二氧化硅NP（R NP = 8.3和26.2 nm）中的各种分子量（14-1220 kDa）的聚（2-乙烯基吡啶）融化，我们检查了R np，Polymer size（R g）和表面化学的影响。使用飞行时间二级离子质谱和三层样品，我们测量横截面纳米颗粒浓度曲线作为退火时间的函数，并提取纳米颗粒扩散系数。小二氧化硅NP（r g / r np = 0.12 - 3.6）显示核心 - 壳行为，而氧化铝NP（r g / r np = 0.50 - 4.6）急剧差异，聚合物分子量的增加，与理论上预测的车辆扩散保持一致。从核心 - 壳到车辆扩散的过渡是分子量增加和较弱的NP/聚合物吸引力的结果，并促进了单体解吸时间的估计值。■简介
使用
几项研究探索了使用各种机器学习算法来预测铁矿石中杂质的使用。 Harsha和Prasad（2021）研究了使用深度学习技术来预测铁矿石泡沫中二氧化硅浓度的百分比，表现出显着的预测能力[1]。Zhang等。 （2024）提出了一种基于时间补偿的算法来预测铁矿石烧结中的表面缺陷，将其有效性与常见的深度学习算法进行了比较[2]。 Pural（2023）着重于开发数据驱动的软传感器，以使用机器学习算法在包含700,000多个数据点的数据集上预测铁矿石浮选浓度的硅质杂质[3]。Zhang等。（2024）提出了一种基于时间补偿的算法来预测铁矿石烧结中的表面缺陷，将其有效性与常见的深度学习算法进行了比较[2]。Pural（2023）着重于开发数据驱动的软传感器，以使用机器学习算法在包含700,000多个数据点的数据集上预测铁矿石浮选浓度的硅质杂质[3]。
DNA通过超薄纳米液体的易位
传感器和反应。[6]这种方法需要纳米级操纵，并了解有关生物聚合物运输的物理学的理解。尽管研究和设计不同的几何几何限制[7] 探究了运输过程的各个方面，但通过人工纳米渠道的生物聚合物传输现象的基本面尚未完全解决。 一个挑战是纳米级运输过程中涉及的众多力量。 分子转运是由生物聚合物经历的熵，电渗和电泳力的相互作用驱动的。 [7-12]例如，纳米限制诱导的熵屏障阻碍了由电泳力驱动的大型DNA聚合物线圈的插入，这些线圈驱动到较小的纳米孔中，而纳米孔和chan-可能与天然生物学通道和泊松的长度尺度一样小。 另一个挑战在于模仿光滑且原子上精确的表面，这将使研究人员能够将固有的聚合物行为从表面相互作用中解散。 [13]硝酸硅/氧化硅的基础岩石已被广泛用于纳米流体通道以转移生物聚合物，但它们患有明显的（纳米含量很少的均方根（RMS））表面粗糙度和不均匀表面。 [14–16]尝试使用碳纳米管（CNT）（CNT），具有光滑的内表面，面部挑战探究了运输过程的各个方面，但通过人工纳米渠道的生物聚合物传输现象的基本面尚未完全解决。一个挑战是纳米级运输过程中涉及的众多力量。分子转运是由生物聚合物经历的熵，电渗和电泳力的相互作用驱动的。[7-12]例如，纳米限制诱导的熵屏障阻碍了由电泳力驱动的大型DNA聚合物线圈的插入，这些线圈驱动到较小的纳米孔中，而纳米孔和chan-可能与天然生物学通道和泊松的长度尺度一样小。另一个挑战在于模仿光滑且原子上精确的表面，这将使研究人员能够将固有的聚合物行为从表面相互作用中解散。[13]硝酸硅/氧化硅的基础岩石已被广泛用于纳米流体通道以转移生物聚合物，但它们患有明显的（纳米含量很少的均方根（RMS））表面粗糙度和不均匀表面。[14–16]尝试使用碳纳米管（CNT）（CNT），具有光滑的内表面，面部挑战
柔性CMUT微加工的结构和钝化膜的介电表征
电容性微机械超声传感器（CMUT）技术在过去十年中一直在迅速发展。在制造和集成方面的进步，再加上改进的建模，使CMUT能够进入主流超声成像。与常规技术相比，CMUT超声传感器传达了许多优势，例如大带宽和效率[1]，[2]，易于制造大型阵列和较低的成本。CMUT是一种高电场设备，通过通过充电和分解等问题来控制高电场，可以具有具有优越的带宽和敏感性的超声传感器，可以与电子设备集成并使用传统的集成电路制造技术制造，并具有所有优势。可以使CMUT设备灵活地包裹在圆柱体甚至人体组织上，并且由于使用Su-8 [3]，[4]，[8]或Polyirimide [5]，[8]，所有这些都可能使所有这些可能。在本文中，我们介绍了两种具有基本重要性的电介质材料的电气表征，以制造具有提及的特征的设备：氧化硅（SIO 2）在电荷注入和击穿方面对高电场具有出色的响应，以及具有优化且具有优化结构和
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/g:\will\search\icon\source\3\3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
大规模硅量子计算的材料与集成挑战
量子计算是一个快速发展的领域：制造的量子比特数量不断增加，战略路线图也在定期发布 [1]。硬件的进步让人们开始热烈讨论量子霸权是否已经实现 [2]。到目前为止，这些开创性的实验依赖于基于超导体、冷原子和囚禁离子的量子比特。硅自旋量子比特仍然落后，到目前为止只演示了双量子比特门 [3]（勉强建造了一个四量子比特的 Ge 量子处理器 [4]）。关键在于，人们认为基于硅（或 SiGe）的量子比特在个体规模上非常有前景：i）已经测量了创纪录的自旋寿命 [5]；ii) 据报道，在各种硅/氧化硅和硅/锗器件中都实现了高保真单量子比特和双量子比特门 [3]；iii) 已经实现了快速操作 [5]。非常恰当的是，这些量子比特应该受益于半导体行业的成熟，从而实现大规模生产。图 1 提供了几个实验系统的相关性能指标的基准。在本文中，我们将探讨在大规模上充分发挥其潜力的过程中仍然存在的材料和集成挑战。