XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System氧化膜
氧化物超薄膜的 STM 和 STS
典型的超薄氧化膜由晶体金属支撑物上的单层氧化物材料组成。在某些情况下，薄膜可能由两到三个单层组成，但通常这些超薄膜的厚度不超过一纳米，可以被视为二维材料。1 扫描隧道显微镜 (STM) 是研究这些薄膜的绝佳方法，因为这种技术可以在非常高的放大倍数下对表面进行成像。2 为了获得原子分辨率图像，STM 要求样品具有导电性、无表面污染物并且在原子尺度上平坦。STM 不仅可以揭示表面和薄膜的结构，还可以用于研究原子级缺陷，例如原子空位和杂质 3 或更多扩展结构，例如两个具有不同晶体取向的超薄膜相遇的域边界。STM 还可以对非晶态氧化物膜进行非常详细的研究。
氧化应激与生殖功能 保护哺乳动物精子免受氧化应激
·– ）的产生受 SOD2 控制，而 SOD2 活性产生的过氧化氢（H 2 O 2 ）和过氧亚硝酸盐（ONOO – ）主要由人类精子中的 PRDX 清除。PRDX 调节精子运动和获能所必需的氧化还原信号，尤其是通过 PRDX6。这种酶是抵御氧化应激的第一道防线，通过其过氧化物酶活性清除 H 2 O 2 和 ONOO – 并通过其钙独立的磷脂酶 A 2 活性修复氧化膜，从而防止脂质过氧化和 DNA 氧化。抗氧化疗法在治疗不孕症方面的成功取决于正确诊断是否存在氧化应激以及产生了哪种类型的 ROS。因此，更多关于氧化应激影响的分子机制的研究、开发新的诊断工具来识别患有氧化应激的不育患者以及随机对照试验对于制定个性化的抗氧化疗法以恢复男性生育能力至关重要。复制 (2022) 164 F67–F78
分析不对称连接中的On-Off电流比...
当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
科学期刊
薄膜复合材料（TFC）膜由于可控的微结构而逐渐取代了高增值药物成分的提取，分离和浓度中的一些传统技术。然而，迫切需要设计具有高渗透率和有效分子选择性的溶剂稳定，可扩展的TFC膜，以提高分离过程中的分离效率。在这里，我们提出了一种商用酸碱指示剂苯酚胺，作为一种经济单体，用于优化选择性层的微孔结构，厚度降低至原位界面反应形成的30纳米。分子动力学模拟表明，使用三维Phe-Nolphthalein单体制备的多氧化膜膜表现出可调的微孔度和较高的孔隙互连性。此外，TFC膜显示出高甲醇的渗透率（每小时9.9±0.1升 /平方米）和有机溶剂系统中有机微污染物的小含量截止（≈289daltons）。与传统的聚酰胺膜相比，多核心膜具有更高的机械强度（2.4对0.8 gigapascals）。
ROCOR NB 液体 25 升
NALFLEET™ Rocor NB Liquid 是一种高效的腐蚀抑制剂，适用于冷却水系统中常见的黑色金属和有色金属。形成的稳定氧化膜可防止系统中使用的不同金属之间因电解作用而引起的腐蚀。NALFLEET™ Rocor NB Liquid 经过现场测试，发现对通常用于这些系统的非金属物质（如密封件、压盖、填料、软管、垫圈等）没有有害影响。该化合物呈碱性，因此可抑制酸性腐蚀，否则会导致腐蚀损坏（如点蚀）。但是，碱度控制使得即使产品意外过量，水的 pH 值仍将保持在限度内。受极端碱性或酸性影响的金属受到保护。如果系统受到油和/或水垢污染，则应在开始使用 NALFLEET™ Rocor NB Liquid 之前对其进行清洁。有合适的 WSS 产品可用于清洁。应使用 UNITOR™ Seaclean Plus 进行除油，使用 UNITOR™ Descalex 进行除垢。请参阅水处理手册。如果船舶要在寒冷地区停泊，则可能需要防冻保护。NALFLEET™ Rocor NB Liquid 可与乙二醇结合使用，以提供合适的
耐镁合金AZ31在氯化物...
镁表面上的天然氧化膜不是单一形式的。Mg氧化物层的药丸 - 底沃思比小于1。因此，它没有提供足够的腐蚀保护，因此，它限制了纯镁的使用[1，3 - 5]。优化镁合金的组成和微观结构是提高其抗性并改善其物理和机械特性的方法之一。AZ系列的含铝合金（MG – AL-ZN系统）已获得最广泛的工业应用。与铝的镁合金合金导致腐蚀速率降低和拉伸强度的增加，这是由于Mg 17 Al12β期的形成引起的[6,7]以及Al-Mn和Al-Mn和Al – ZN和Al-Zn相[8]。合金中的铝含量从1 wt。％增加导致合金的等亚晶粒形成，并减少其尺寸。在腐蚀性培养基中，与合金基质相比，形成的β相具有更高的电阳性电位，这可能有助于出现局部腐蚀斑点[9]。与锌（最高1 wt。％）的额外合金可在室温下增强合金的耐腐蚀性和强度[8]。AZ31合金是Mg -al -– Zn类型的最常用合金之一。显示[10]，AZ31合金的热处理导致形成较低的脱位密度的更均匀的微观结构。尽管合金的耐腐蚀性提高了，但并不能充分解决快速腐蚀的问题。
用于微电子应用的 ALD Al2O3 涂层铜局部腐蚀机理的电化学表征
目前，微电子设备中用于芯片到封装连接的最常用材料是铝（Al）焊盘和铜（Cu）线。然而，用于连接这些组件的引线键合工艺可能导致金属间化合物的形成，从而导致电化学腐蚀 [1 – 3] ，以及产生柯肯达尔空洞 [4,5] 。这些问题严重限制了微电子封装的长期可靠性。为了解决半导体行业对材料的成本效益、性能和可靠性的担忧。自 21 世纪初以来，人们定期评估铜焊盘上的铜线键合（Cu-to-Cu 键合）方法，但从未发展成为工业应用。2018 年的综述 [6] 总结了挑战和局限性。铜是一种很有前途的微电子材料，因为它的电导率与铝的电导率之比为 5:3，而且熔点高，大大降低了电迁移 [7]。电沉积铜的固有特性，例如与发芽/生长类型相关的杂质和微观结构演变，会使其对腐蚀敏感。虽然铜的氧化膜提供了一定的防腐蚀保护，但它不像不锈钢等其他金属上形成的钝化膜那样稳定、致密或均匀 [8,9]。铜焊盘的集成对半导体行业提出了重大挑战。实现铜的受控表面状态对于实现与封装的可靠连接至关重要。
抑制剂delltactron抑制。
delctron的抗氧化剂糊中包含悬浮液中的锌颗粒，这些锌颗粒破坏了清洁导体后可以形成的氧化膜。 div>当两种不同的金属之间存在电解质时，电势差，其中一种金属变为阳性（阴极）和另一个负（阳极），并且它们之间的电流在它们之间循环，从而导致阳极金属的腐蚀。 div>在将铝连接到铜时，它会倾向于用铜来运行铝，但是，将可能存在的电力腐蚀密封，可能存在的电腐蚀会产生可忽略的效果，因为对突然温度变化的密封可忽略不计，而不是脱水，也不会压实，也可以保持连接的连接其他连接的连接。 div>在涂抹抗氧化剂糊之前，建议使用砂纸和钢纤维刷清洁连接器的接触表面和电缆，并且必须是鲜亮的。 div>铝压缩连接器提供适当的糊剂，不需要更多的应用。 div>金属涂料连接器不应刷牙。 div>清洁后必须立即使用面食。 div>用手拧紧螺丝时，必须流动一定数量的糊状。 div>多余的意大利面可以在联盟上放置或分配。 div>对于超高电压连接器，应卸下从连接器轮廓出来的多余糊剂。 div>
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
DOWSIL™ ME-1030 粘合剂透明技术数据表
杂质（Cl-）ppm < 1.5 描述 陶氏有机硅微电子胶粘剂产品旨在满足微电子和光电子封装行业的关键标准，包括高纯度、防潮性以及热稳定性和电稳定性。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品具有出色的应力消除和高温稳定性，可出色地无需底漆粘附于各种基材和部件。这些产品非常适合需要低模量材料的微电子设备、无铅焊料回流温度（260°C）或其他高可靠性应用。这些材料具有湿式分配和预固化薄膜产品形式，可满足设备封装应用的广泛需求。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品以方便的单组分材料形式提供，具有针对导电性、电绝缘性或导热性开发的特定配方，所有这些都通过热固化而不会产生副产品。表面准备 所有表面都应使用 DOWSIL™ OS 液体、石脑油、矿物油或甲基乙基酮 (MEK) 等溶剂彻底清洁和/或除油。建议尽可能进行轻微表面打磨，因为这样可以促进良好的清洁并增加粘合表面积。最后用丙酮或 IPA 擦拭表面也有助于去除其他清洁方法可能留下的残留物。在某些表面上，不同的清洁技术会比其他技术产生更好的效果。用户应确定最适合其应用的技术。 基材测试 由于基材类型多样且基材表面条件不同，因此无法对粘合强度和粘合强度做出一般性陈述。为了确保在特定基材上的最大粘合强度，需要使粘合剂在搭接剪切中 100% 内聚破坏或具有类似的粘合强度。这可确保粘合剂与所考虑的基材兼容。此外，此测试可用于确定最短固化时间或检测表面污染物（如脱模剂、油、油脂和氧化膜）的存在。