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World File Search System氧化铜
壳聚糖集成的姜黄素 - 氧化烯/氧化铜杂化纳米复合材料用于抗菌和细胞毒性应用
1印度Sriperumbudur 602117 Sri Venkateswara工程学院应用化学系； anandhavelu@svce.ac.in（A.S。）; anandababu@svce.ac.in（A.B.S.）2印度技术学院化学工程系，印度坎迪502285，印度； CH24IPDF15@IITH.AC.IN 3材料工程，RWTH Aachen University，52062 Aachen，Germany; abbishek.sridharan@rwth-aachen.de 4生物医学工程系，KPR工程技术学院，哥印拜陀641407，印度； swathy.m@kpriet.ac.in 5化学系，国王沙特大学理学院 Box 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。 工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.com2印度技术学院化学工程系，印度坎迪502285，印度； CH24IPDF15@IITH.AC.IN 3材料工程，RWTH Aachen University，52062 Aachen，Germany; abbishek.sridharan@rwth-aachen.de 4生物医学工程系，KPR工程技术学院，哥印拜陀641407，印度； swathy.m@kpriet.ac.in 5化学系，国王沙特大学理学院Box 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。 工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.comBox 2455，Riyadh 11451，沙特阿拉伯； almansor@ksu.edu.sa 6化学系，R.M.D。工程学院，印度Tiruvallur 601206； subha.snh@rmd.ac.in 7电子和电气工程部，东guk大学 - 欧洲共和国，首尔04620； hyunseokk@dongguk.edu *通信：v.j.dhanasekaran@gmail.com
氧化铜在高温下的氢化
图 2. 在室温下收集了“原始”h-BN/Cu 箔的 Cu 2p (a)、O 1s (b)、N 1s (c) 和 B 1s (d) 的 XPS 图像，随后在 13 Pa 氢气分压下进行 APXPS 图像（绿色），最后在 13 Pa 氢气分压下进行等离子体暴露（蓝色）。典型的 SEM 图像是在等离子体暴露前（e）和暴露后（f）收集的 h-BN/Cu 叠层，分别使用 2 nA 和 1.5 nA 束流，使用相同的能量（3kV）和检测器设置。
在暴露于广谱氢氧化铜的烟草生态系统中微生物群落的反应
氢氧化铜是一种广谱铜杀菌剂，通常用于控制作物真菌和细菌性疾病。除了控制靶向病原体外，氢氧化铜还可能影响植物层生态系统中其他非靶向微生物。在施用杀菌剂后的四个时间点（在喷涂之前和5、10和15天之前），通过使用Illumina高通量测序技术和生物学工具研究了患病和健康的烟草微生物微生物对氢氧化铜应激的反应。结果表明，健康群体的微生物组社区比疾病组更受影响，而真菌群落比细菌群落更敏感。疾病组中最常见的属是替代植物，波兰菌，cladosporium，pantoea，ralstonia，pseudomonas和sphinghomonas;在健康组中，这些是替代人，cladosporium，symmetrospora，ralstonia和pantoea。喷涂后，健康和患病组的真菌群落的α多样性在5天后下降，然后显示出越来越多的趋势，健康组在15天时显着增加。健康和患病群体中细菌群落的α多样性在15天时增加，而健康的组有显着差异。在健康和患病的叶片的真菌群落中，替代品和cladosporium的相对丰度降低了，而波动脉症，stagonosporopsis，Symmetroppora，Epicoccum和Phoma的相对丰度则增加。Pantoea的相对丰度首先减少，然后增加，而Ralstonia，Pseudomonas和Sphingomonas的相对丰度首先增加，然后在健康和患病的叶片的细菌群落中减少。虽然氢氧化铜降低了致病真菌替代性和cradosporium的相对丰度，但它也导致有益细菌（例如放线菌和Pantoea）的降低，并增加了潜在的病原体，例如波里米亚和稳定性。用氢氧化铜处理后，患病组的代谢能力得到了改善，而健康组的代谢能力得到了显着抑制，随着应用时间的延长，代谢活性逐渐恢复。结果揭示了在氢氧化铜应激下，微生物群落组成和健康和患病的烟草的代谢功能的变化，为未来对植物层的微生态保护的研究提供了理论基础。
![b'sandwich排列，其中包含捕获目标 - 信号探针。随后通过监测被观察到的甲基蓝（MB）的峰值电流变化来检测到所得的DNA杂交事件，该脉冲伏安法（DPV）被用作氧化还原物种的峰值电流变化，并实现了35 AM的检测极限。 Wang等。 [5]开发了一种基于RGO和锰四苯基 - 苯基苯基苯基二磷酸结构的自组装纳米复合材料的DNA生物传感器，从而导致6 \ XC3 \ X9710 14 M.的检测极限。 [6]采用了由捕获DNA序列组成的转换界面，在玻璃碳电极上官能化RGO，以构造无标记的DNA生物传感器，并达到了4.28 \ XC3 \ X9710 19 M.的检测极限。 Chen等。 [7]还基于由氧化铜纳米线和羧基官能化的单壁碳纳米管（SWCNT）组成的杂化纳米复合材料（SWCNTS）开发了特定的序列DNA检测。 DNA检测是通过循环伏安法和3.5 \ xc3 \ x9710 15 m的检测极限。周等人。 [8]使用化学的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记的电化学检测进行了无标记的电极。他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。在另一个](/simg/9/95e0d0afb2a6a7d5d7547557c83da02f0068910b.webp)
b'sandwich排列，其中包含捕获目标 - 信号探针。随后通过监测被观察到的甲基蓝（MB）的峰值电流变化来检测到所得的DNA杂交事件，该脉冲伏安法（DPV）被用作氧化还原物种的峰值电流变化，并实现了35 AM的检测极限。 Wang等。 [5]开发了一种基于RGO和锰四苯基 - 苯基苯基苯基二磷酸结构的自组装纳米复合材料的DNA生物传感器，从而导致6 \ XC3 \ X9710 14 M.的检测极限。 [6]采用了由捕获DNA序列组成的转换界面，在玻璃碳电极上官能化RGO，以构造无标记的DNA生物传感器，并达到了4.28 \ XC3 \ X9710 19 M.的检测极限。 Chen等。 [7]还基于由氧化铜纳米线和羧基官能化的单壁碳纳米管（SWCNT）组成的杂化纳米复合材料（SWCNTS）开发了特定的序列DNA检测。 DNA检测是通过循环伏安法和3.5 \ xc3 \ x9710 15 m的检测极限。周等人。 [8]使用化学的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记的电化学检测进行了无标记的电极。他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。在另一个
b'sandwich排列，其中包含捕获目标 - 信号探针。随后通过监测观察到的亚甲基蓝（MB）的峰值电流变化来检测所得的DNA杂交事件，该峰值电流变化被用作氧化还原物种，并实现了35 AM的检测极限。Wang等。 [5]基于RGO和锰四苯基孢子的A \ XCF \ X80-偶联结构的自组装纳米复合材料开发了DNA生物传感器，导致6 \ xc3 \ x9710 14M的检测极限，在另一项研究中，在另一项研究中，Ye等。 [6]采用了一个转导界面，该界面由捕获的DNA序列，Aunps和Thionines在玻璃碳电极上官能化RGO来构建无标记的DNA生物传感器，并获得了4.28 \ xc3 \ x9710 199的检测极限。 Chen等。 [7]还基于由氧化铜纳米线和羧基官能化的单壁碳纳米管（SWCNT）组成的杂化纳米复合材料（SWCNTS）开发了特定的序列DNA检测。 DNA检测是通过循环伏安法和3.5 \ xc3 \ x9710 15 m的检测极限。 Zhou等。 [8]使用化学上的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记电化学检测进行了。 他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。 在另一项研究中，Zhang等人。 [9]为特定序列检测制造了无标记的DNA传感器。Wang等。[5]基于RGO和锰四苯基孢子的A \ XCF \ X80-偶联结构的自组装纳米复合材料开发了DNA生物传感器，导致6 \ xc3 \ x9710 14M的检测极限，在另一项研究中，在另一项研究中，Ye等。[6]采用了一个转导界面，该界面由捕获的DNA序列，Aunps和Thionines在玻璃碳电极上官能化RGO来构建无标记的DNA生物传感器，并获得了4.28 \ xc3 \ x9710 199的检测极限。Chen等。 [7]还基于由氧化铜纳米线和羧基官能化的单壁碳纳米管（SWCNT）组成的杂化纳米复合材料（SWCNTS）开发了特定的序列DNA检测。 DNA检测是通过循环伏安法和3.5 \ xc3 \ x9710 15 m的检测极限。 Zhou等。 [8]使用化学上的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记电化学检测进行了。 他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。 在另一项研究中，Zhang等人。 [9]为特定序列检测制造了无标记的DNA传感器。Chen等。[7]还基于由氧化铜纳米线和羧基官能化的单壁碳纳米管（SWCNT）组成的杂化纳米复合材料（SWCNTS）开发了特定的序列DNA检测。DNA检测是通过循环伏安法和3.5 \ xc3 \ x9710 15 m的检测极限。Zhou等。 [8]使用化学上的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记电化学检测进行了。 他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。 在另一项研究中，Zhang等人。 [9]为特定序列检测制造了无标记的DNA传感器。Zhou等。[8]使用化学上的RGO电极通过差分脉冲伏安法对ssDNA和dsDNA中的四个DNA碱基的无标记电化学检测进行了。他们达到了2.0 \ XCE \ XBC M的检测极限，线性浓度范围为0.01至10 mm。在另一项研究中，Zhang等人。 [9]为特定序列检测制造了无标记的DNA传感器。在另一项研究中，Zhang等人。[9]为特定序列检测制造了无标记的DNA传感器。将DNA固定在用石墨烯，Aunps和Polythionine（Pthion）修饰的玻璃碳电极上。通过不同的脉冲伏安法检测到杂交，并且在0.1 pm至10 nm的动态范围内达到了35 fm的检测极限。Bo等人开发了石墨烯和聚苯胺的电化学DNA生物传感器。[10]用于DPV检测辅助DNA序列，并达到了'
通过添加氧化铜来增强使用形状稳定的 LDPE/十六烷/SEBS 复合 PCM 的热能存储系统的性能
用于热能存储 (TES) 的相变材料 (PCM) 是一个新兴的研究领域，由于其对科学和技术领域的潜在影响而受到广泛关注。它有利于太阳能、智能纺织品、传热介质和智能建筑等各个研究和应用领域。1 – 4 LHTES 因其优异的相变行为 5 – 7 和高储热能力而成为该领域最有前途的方法。8,9 到目前为止，用于 LHTES 的相变材料 (PCM) 已在建筑储能领域得到广泛研究，例如建筑保温墙体、10 相变水泥板、11 太阳能空间冷却和建筑物供暖应用。12 在所有类型的 PCM 中，有机 PCM 具有理想的特性，包括合适的熔化温度、可忽略的过冷
水热形成的氧化铜（CUO）薄膜用于电阻开关存储器
通常可以观察到，已将回忆设备视为非挥发性半导体记忆（NVSM）设备，逻辑操作或神经形态计算的合适结构[1]。与典型的NVSM设备相比，已经选择了具有简单设备体系结构，快速开关属性，低功耗级别或出色的可扩展性的将来的内存应用程序的电阻随机存储器（RRAM）设备[2-4]。到目前为止，已经提出了基于几种介电和导电材料的不同Ar散布[5-7]。但是，所有这些设备的瓶颈都是大型操作电压或固定率变质。过渡金属氧化物，例如氧化钛（Tio X）[8]，氧化镍（Nio X）[9]，氧化锌（ZnO）[10]或氧化物（HFO X）[11,12]，已被广泛检查用于记忆应用。在这些材料中，氧化铜（CUO）也可以表现出出色的电阻转换（RS）特征[13]。作为一种无毒的，互补的金属氧化物半导体（CMOS）兼容和丰富的地球材料，铜（CU）已被广泛用于超大级构成（ULSI）设备中。因此，作为集成电路处理序列中最常见的导电膜之一，基于CU的设备被视为在半导体设备制造中是相关的候选者。CUO膜可以使用几种方法，例如分子束外延（MBE）[14]，化学蒸气沉积
氧化铜基纳米材料在电化学领域的应用
氧化铜因其半导体性质、高化学稳定性和经济效益而被确立为技术中的重要化合物。这些特性使其成为储能应用的良好候选材料。此外，由于其独特的特性，例如高功率、长循环寿命和环保性，超级电容器（电池和传统电容器之间的互补装置）的发展受到了广泛关注。此外，氧化铜引起了人们对制备可用于超级电容器制备的适用正极的兴趣。同时，氧化铜容易与极化液体和聚合物混合，并且具有相对稳定的化学和物理性质。氧化铜的电化学特性取决于形态，在这些装置中可以优化电极材料的适当结构设计。在这篇综述中，我们将探讨氧化铜的合成及其作为阴极材料的氧化还原机理，以及各种氧化铜化合物在制备高性能超级电容器中的应用。
自对准氧化铜钝化层——可靠性影响研究
用电迁移应力法研究了具有自对准氧化铜钝化层的等离子刻蚀铜线的可靠性。通过等离子氧化制备氧化钝化层，覆盖整个裸露的铜线，防止环境条件下表面氧化。空洞的形成和生长过程反映了线路断线机理。用光学显微镜监测了由晶界耗尽和晶粒变薄形成的空洞，测量了线路故障时间与线宽和电流密度的关系。增加氧化钝化层会缩短寿命，因为传热和铜扩散不良会加速空洞的形成和生长。窄线比宽线具有更长的寿命，因为晶界较少，可供磁通发散形成空洞