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World File Search System氧化镍
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
氧化镍超导体在高温下超高...
在第二年，铜氧化物 *2中高温超导性的发现是极快的杰作，并且是一部杰作，它将留在科学史上。自2000年代初以来，Kuroki教授及其小组一直在研究实现TC的策略，该策略超过了氧化铜。尽管可以在理论模型的范围内实现高T C，但使用真实材料实现这一点并不容易。经过各种考虑，黑子教授和其他人在2017年的论文A中发现，即使不是理想的理论模型本身，La 3 Ni 2 O 7也可以达到类似的情况。六年后的2023年5月，来自中国中央大学的一个小组在其预印式服务器Arxiv上宣布，La 3 Ni 2 O 7在压力下以T C = 80K的最大t c = 80K表现出高温超导性，并于9月在自然界发表（H. Sun等人，自然，自然621，493（20233））。自从本文出现在5月的Arxiv上以来，Kuroki教授，Sakakibara副教授和Ochi副教授已经开始了联合研究，并于6月发表了有关Arxiv的论文。从那时起，关于ARXIV的大量相关实验和理论论文已经发表，并且在全球范围内一直在蓬勃发展。
氧化镍超导体在高温下超高...
在第二年，铜氧化物 *2中高温超导性的发现是极快的杰作，并且是一部杰作，它将留在科学史上。自2000年代初以来，Kuroki教授及其小组一直在研究实现TC的策略，该策略超过了氧化铜。尽管可以在理论模型的范围内实现高T C，但使用真实材料实现这一点并不容易。经过各种考虑，黑子教授和其他人在2017年的论文A中发现，即使不是理想的理论模型本身，La 3 Ni 2 O 7也可以达到类似的情况。六年后的2023年5月，来自中国中央大学的一个小组在其预印式服务器Arxiv上宣布，La 3 Ni 2 O 7在压力下以T C = 80K的最大t c = 80K表现出高温超导性，并于9月在自然界发表（H. Sun等人，自然，自然621，493（20233））。自从本文出现在5月的Arxiv上以来，Kuroki教授，Sakakibara副教授和Ochi副教授已经开始了联合研究，并于6月发表了有关Arxiv的论文。从那时起，关于ARXIV的大量相关实验和理论论文已经发表，并且在全球范围内一直在蓬勃发展。
镍基超导体中电荷序的实验研究进展 - 物理学报
图1。ndnio 2中的电荷顺序[24]：（a）从钙钛矿Ndnio 3（灰色）到Infinite-Layer ndnio 2（红色）的还原途径的示意图，具有各种中间状态（蓝色）； （b） - （d）样品J的茎结果，可以在面板（d）中区分根尖氧空位，从而导致Q//≈（1/3，0）在傅立叶变换图像（b）中的超晶格峰； （e）在Q //≈（1/3，0）围绕Ni L 3边缘处的弹性RXS测量，实体和虚线分别是具有σ和π偏振入射X射线的数据； （f）在ND M 5边的RXS测量； （g），（h）带有样品C和D的固定波形的RXS信号的能量依赖性，阴影区域表示标称电荷顺序贡献。黑色和红色箭头突出显示了Ni 3D-RE 5D杂交峰和Ni L 3主共振，样品C的中间状态比样品D较大，从而导致超晶格峰更强。
高镍和无钴 - 追求下一代氧化氧化物阴极
2个化学科学与工程部，阿尔贡国家实验室，伊利诺伊州莱蒙特市卡斯大街9700号，美国伊利诺伊州60439，美国2个化学科学与工程部，阿尔贡国家实验室，伊利诺伊州莱蒙特市卡斯大街9700号，美国伊利诺伊州60439，美国
通过镍铁氧体/（N，S）氧化石墨烯的有效光催化降解
镍铁氧体/（n，s）氧化石墨烯（NF/（n，s）GO）通过使用Ni 2+和Fe 3+混合物（n，s）GO养老金中的Ni 2+和Fe 3+混合物合成。该材料用作水生B（Rhb）降解作为水生环境中的染料模型的光催化剂。发现Nife 2 O 4纳米颗粒的粒径为11.5 nm，高度分散在（N，S）GO矩阵上，该矩阵是由石墨和硫库制备的。可见光诱导的RHB在NF/（N，S）GO上的光降解已被研究，其中Nf/（n，s）GO与镍铁氧体和（N，S）GO相比，NF/（N，S）对RHB具有高光降解活性。此外，在RHB光降解的三个周期之后，该催化剂没有显示出明显的活性损失（与新鲜催化剂相比，降解效率下降约为15％），证实了其稳定性。化学氧的需求（COD）测量表明，在光降低240分钟后，COD从初始时间的49.4 mg.l -1逐渐减少到4.8 mg.l -1，表明降解过程的矿化程度很高。此外，动力学和自由基的清道夫研究表明，超氧化离子（·O 2 - ），羟基离子（·OH）是主要的光氧化剂，其次是孔（H +）和电子（E-）。还解决了RHB对NF/（N，S）GO的降解机制。这项研究通过利用可见光来源为水溶液中的有机污染物提供了一种可能的治疗方法。
从镍矿石中提取镍的高级研究
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
氧化甘油schottky上氧化；
β-Gallium氧化物（β-GA 2 O 3）是一种宽带gap的半子导管，具有潜在的高频和高功率设备。[1 - 3]在Ga 2 O 3的五个多晶型物中，β -ga -ga 2 O 3是最稳定的。[4]它具有单斜结构，属于c 2 / m的空间组。[5]为简单起见，ga 2 o 3表示以下文本中的β -ga 2 o 3。随着GA 2 O 3外延技术的发展，两英寸的GA 2 O 3底物已商业化，[6]，使用SN或SI的N型掺杂技术已经成熟。[1] GA 2 O 3设备织物和P型掺杂技术是当前GA 2 O 3研究中的两个主要问题。很难以纯GA 2 O 3结晶形式分离不同的相。[7]因此，模拟和填充已被用于预测GA 2 O 3晶体和降低特性。例如，他等人。通过密度功能理论（DFT）计算了频带结构。[5] Osipov等。计算了结构和弹性塑性特性，包括杨的模量和线性可压缩性。但是，直到现在，基于有限元方法的GA 2 O 3设备模拟已经稀缺了，这主要是因为GA 2 O 3不是Ma-Jor设备仿真软件中良好的半导体材料，并且宽带式半径模拟的模拟很难融合。[9]
印度理工学院曼迪分校的研究人员开发出一种经济有效的方法......
氧化镍等金属氧化物是先进结构硅太阳能电池中使用的一类重要半导体。为此，必须生产厚度在纳米范围内的氧化镍薄膜——比一根头发的宽度小十万倍。目前开发氧化镍纳米薄膜的方法成本高昂，因为生产所需的设备必须进口。此外，用于开发薄膜的前体，如乙酰丙酮镍，也很昂贵，使得这种技术不太可能实现商业可行性。
