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World File Search System氮化
改善3D Zn（II） - 协调聚合物的电导率的策略，由Mesaconato和基于吡啶基 - 偶然甲基甲酰基氢氮化物的Schottky二极管装置桥接
在不同领域的关系和应用。1–3由两个或更多供体中心组成的多齿配体可以连续延伸以特殊的模式延伸以产生一种聚合物形式，称为辅助聚合物（CPS）； 4-12该术语是由J. C. Bailer在1967年引入的。13主要是，二羧酸盐和双吡啶基有机化合物用于设计CPS。CP的尺寸在很大程度上取决于有机连接器，金属节点和反应条件的性质，并且可以从1d延伸至2D和3D。在2D或3D CP中存在适当的孔隙度已定义了一种创新的材料，称为金属有机框架（MOF）。13–15 CPS/MOF，一类带有引人入胜的结构结构和拓扑结构的杂交多功能晶体材料已被广泛用于气体存储和分离，催化，感应，磁性，药物，药物递送，生物技术，生物技术，电导率，蛋白电导率，智能设备的制造等目前，全球主要的挑战是停止C级排放，探索绿色能源资源并保持零能源损失。 具有智能电导率和可持续性的材料高度优势。 有了这个期望，许多研究小组致力于将许多此类材料设计为目前，全球主要的挑战是停止C级排放，探索绿色能源资源并保持零能源损失。具有智能电导率和可持续性的材料高度优势。有了这个期望，许多研究小组致力于将许多此类材料设计为
六方氮化硼超表面实现全可见光谱高品质纳米光子学
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10]，而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是，由近场增强驱动的应用，如生物分子传感，依赖于高共振品质因数（Q）（定义为共振波长除以线宽），因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知，共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性，因此推动了基于高折射率材料体系（如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓）的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性，但由于它们的带隙能量处于中间水平，因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制，在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是，对于可见波长范围，存在大带隙和无损材料的竞争
mose2/ws2杂合光电二极管与氮化硅波导集成，用于近红外光检测，响应性高
摘要我们根据近红外光谱制度的芯片尺度集成光电探测器的实现和表征，基于在氮化硅硅硅硅基上的摩西2 /WS 2异缝的整合。这种配置在780 nm的波长（表明内部增益机制）下达到〜1 a w -1的高响应性，同时将暗电流抑制至〜50 pa的水平，与仅Mose 2的参考样本相比，降低了〜50 pa的水平。我们测量了暗电流的功率频谱密度低至〜1×10 - 12 a hz -0.5，从中，我们从中提取噪声等效功率（NEP）为〜1×10-12 - 12 W Hz -0.5。为了演示设备的实用性，我们将其用于表征与光电探测器相同芯片上的微林共振器的传输函数。能够在芯片上整合局部光电电视机并在近红外制度下操作具有高性能的设备，这将在光学通信，量子光子学，生物化学传感等的未来集成设备中发挥关键作用。
六方氮化硼中蓝色量子发射体的光物理学
5 澳大利亚悉尼科技大学变革性元光学系统卓越中心，澳大利亚新南威尔士州乌尔蒂莫 2007 年，澳大利亚 * 这些作者的贡献相同。 通讯作者 igor.aharonovich@uts.edu.au 摘要 六方氮化硼 (hBN) 中的色心已经成为集成量子光子学的有吸引力的竞争者。在这项工作中，我们对在蓝色光谱范围内发射的 hBN 单个发射器进行了详细的光物理分析。发射器采用不同的电子束辐照和退火条件制造，并表现出以 436 nm 为中心的窄带发光。光子统计以及严格的光动力学分析揭示了发射器的势能级结构，这表明缺乏亚稳态，理论分析也支持这一点。潜在缺陷可以具有在 hBN 带隙下半部分具有完全占据缺陷态和在带隙上半部分具有空缺陷态的电子结构。总的来说，我们的研究结果对于理解 hBN 中新兴蓝色量子发射器系列的光物理特性非常重要，因为它们是可扩展量子光子应用的潜在来源。简介单光子发射器 (SPE) 被广泛认为是建立和部署量子通信和计算的关键推动者，这涉及按需生成高纯度单光子发射 1-3 。六方氮化硼 (hBN) 因其独特的性质而备受关注，包括以 6 eV 为中心的宽层相关带隙、高激子结合能、存在光学活性自旋缺陷以及能够承载室温 (RT) 亮 SPE 4-11 。hBN 还因其用作深紫外范围的新兴光电材料而备受关注 12 。最近，通过阴极发光 (CL) 测量发现了在蓝色光谱范围内发射的 hBN 色心，称为“蓝色发射器” 13 。这组发射器通常显示超亮、光谱稳定和窄带发射，其零声子线 (ZPL) 始终以 436 nm 为中心 13, 14 。结果表明，这些缺陷与 4.1 eV 处的特征紫外线发射密切相关 9, 14-16 。对 hBN 进行预辐照，例如在氮气气氛中进行高温退火，可产生更高的特征紫外线发射产量，从而产生更多的蓝色色心 15 。此外，在低温下，与 hBN 中的其他量子发射器相比，这些缺陷具有稳定的发射，线宽为亚 GHz，光谱扩散最小 15 。最近，两
飞秒激光加工的氮化硅钻孔
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大大增强了由于六角硼氮化物中的自旋缺陷而通过低损坏等离子体纳米腔
摘要：硝酸氢硼（HBN）中带负电荷的硼空位（V B-）缺陷，其具有光学可寻址的自旋态由于其在量子传感中的潜在使用而出现了。非常明显地，当将其植入距HBN表面的纳米尺度距离时，V b-可以保留其自旋相干性，并有可能启用超薄量子传感器。但是，其低量子效率阻碍了其实际应用。研究报告了提高血浆v B-缺陷的总量子效率。但是，迄今为止报告的最多17次的总体增强功能相对较小。在这里，我们证明了使用低损坏纳米捕获天线（NPA）的V B-的发射增强。观察到总体强度增强高达250次，对应于NPA的实际发射增强约为1685次，以及保留的光学检测到的磁共振对比度。我们的结果将NPA耦合的V B-缺陷作为高分辨率磁场传感器，并为获得单个V B-缺陷提供了有希望的方法。关键字：二维材料，HBN，血浆，纳米腔，旋转缺陷，量子传感
氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
光诱导的级联谐波和梳子生成氮化硅微孔子
氮化硅（Si 3 N 4）是非线性光学的不断成熟的集成平台，但主要考虑三阶[χ（3）]非线性相互作用。最近，二阶[χ（2）]非线性通过光钙效应引入Si 3 N 4中，从而导致准时铭文 - 匹配χ（2）光栅。然而，光藻素效应在微孔子中的全部潜力在很大程度上尚未探索级联效应。在这里，我们报告了正常分散体Si 3 N 4微孔子中的χ（2）和χ（3）非线性效应。我们认为，光诱导的χ（2）光栅还为总频率生成过程提供了相匹配，从而实现了主梳的启动和连续切换。此外，双重谐振泵和第二谐波场允许有效的第三谐波生成，其中鉴定出二次光学写入χ（2）光栅。最后，我们到达从总和 - 耦合初级梳子中演变的宽带微重尸状态。这些结果扩大了微孔子中级联效应的范围。
离散的六角硼氮化液量子发射量及其化学
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