XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System氮化
通过卤化物蒸气相互延伸
目前，由金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）生长的富含硼龙硼氢化硼（H-10 BN）硝酸硼（H-10 BN）超级氮化液（MOCVD）生长的超速型硝酸硼（H-10 tbn）超级氮化液带固定型的热中性探测器保持创纪录的所有固体检测率在59％处于59％的固体检测器中。为了克服MOCVD增长的短期繁殖，包括固有的低增长率和不可避免的杂质，例如金属有机物中的碳，我们在这里证明了使用Halide蒸汽相结合（HVPE）的SEMI SENIQUICENCE的天然六边形硝酸硼（H-BN）半裸型硼硼（H-BN）半裸型WAFER的增长。电运输表征结果表明，这些HVPE种植的材料具有1 10 13 x cm的电阻率，电荷载体迁移率和寿命为2 10 4 cm 2 /v s。用100 l m厚的H-BN晶片制成的检测器表明，热中子检测效率为20％，对应于500 V的运营电压，对应于60％的收费收集效率。此初始演示为高效H-BN中性探测器的高效型核能造成了核能的核能，这可能会创造出较高的核能，这可能会产生核能的核能，这可能会创造出不合时宜的核能，这可能会导致不合时宜，这可能会造成良好的核能，这可能会造成良好的成本，这可能会导致良好的核能，这可能会导致良好的核能，这是可降低的，这可能会产生良好的核能，这可能会产生良好的核能。核废料监测和管理，医疗保健行业以及物质科学。
8901测试单
记录了内部方法和比色测量值ADY-SOP-EQP-034使用过滤悬挂的固体记录的固体悬挂固体，使用过滤使用过滤量使用过滤，使用过滤使用过滤使用过滤使用过滤，使用过滤使用过滤，使用过滤量使用过滤，使用氯化过滤记录了0.-nitration-nitration-nitrate-nitrate nitrate nitrate（and nitrate-s-nitrate-s-natrate nitrate）3，使用过滤记录的固体（和NANO 3）亚硝酸盐（和纳米2通过计算）离子色谱硫酸盐P＆M碱度，包括使用碳酸氢盐使用碳酸氢盐的内部方法碳酸盐方法ADY-SOP-EQP-047，使用碳酸氢盐自身二氮化氢氧化物氢氧化物（按计算）
紫外线LED 101 UV LED技术的基础
高带gap（较短的波长）材料由III-V半导体组合形成，允许在紫外线范围内进行辐射排放。通过改变铝，粘液和凝胶的比率，可以获得特定的发射波长。UV LED进一步分类为UVA，UVB和UVC LED。在UV和UVA LED附近使用Ingan在活动区域中使用Ingan，并且主要在蓝宝石底物上生长。氮化铝含量是低于365 nm的波长的首选材料。对于发射较短的紫外线波长的设备，需要具有更大铝含量的组合物。蓝宝石底物含有氮化铝或氮化铝铝铝层，也用于提高较短波长的LED质量[4]。
麻省理工学院林肯实验室 2015
林肯实验室正在开发一种结合氮化镓 (GaN) 和硅互补金属氧化物半导体 (Si CMOS) 器件的技术，以便为先进的相控阵系统提供更高效的 HPA 和高度集成的发射器/接收器 (T/R) 模块。由于 GaN 的宽带隙，在 Si 衬底上生长的 GaN 器件可提供高输出功率、高效率和宽带宽。使用 CMOS 器件可以集成额外的高密度和节能的 T/R 硬件组件，例如移相器、模数转换器和数模转换器以及数字控制器。将这些组件集成在单个集成电路上可大大降低相控阵系统的成本，并实现电路技术，例如用于在宽带宽上提高功率放大器效率的技术，这些技术在其他情况下可能无法实现。
解释2D材料生物纳诺相互作用：聚集状态，蛋白质电晕，细胞培养基和细胞类型的影响
在先前的研究中，我们设计了一个库的库，其中具有点击式化合物启用官能团的顺序官能化，即叠氮化物（go-n 3），碱（go）和叠氮化股（go）和叠氮化股（C 2 GO）（c 2 go），如方案1所示。[9-13]叠氮化物修饰显着增加了水接触角GO-N 3和C 2 GO，而炔烃的修饰并未改变接触角（图1）。更有趣的是，我们发现这种修饰导致血清蛋白在GO上结合的顺序降低（又称A.强限制的硬蛋白电晕，以下称为HC）。GO的HC从1.4 mg（GO）降低到1.1 mg（GO，降低22％），0.9 mg（GO-N 3，35％HC还原）和0.8 mg（C 2 GO，43％HC降低）。这导致吞噬J774细胞的细胞摄取显着增加，与GO蛋白质还原的线性相反关系（r 2 = 0.99634）。由于蛋白质涂料的减少而引起的较高的吸收也导致了较高的细胞毒性，而无效的GO也会产生较高的细胞毒性。[10-12]另一方面，众所周知，高蛋白涂层可以防止其细胞相互作用和非吞噬A549细胞的内在化，从而降低了细胞毒性[14]，这是由于GO和A549细胞膜之间的物理相互作用降低而导致的。[15]这项研究使用已知的J774和A549细胞模型进一步研究了我们的研究，并假设在两个模型细胞中，生物纳米相互作用将有所不同。我们假设生物纳米相互作用的对比对于进行表面化学修饰将很敏感，并旨在使用无标签方法检测和分析生化差异，例如基于同步辐射的基于同步辐射的IR-Transans-Transans-Transansform-Transtrans-Transtrans-Transeform-Transeform-Transeform ir scirotectroscopopicy（SR-FTIR（SR-FTIR），这些方法可以使用pace Armination（PCA）进行可视化的分析（PCA）。
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
商用飞机的新兴技术...
推动电力系统进步的关键技术包括固态碳化硅 (SiC) 或氮化镓 (GaN) 电力电子设备、浪涌保护系统、双向电力系统、先进的冷却方法、自诊断系统和分布式系统架构。电力系统可以通过多保真建模工具进行开发，以提供“虚拟认证”的证据，但最终需要硬件集成和演示基础设施。这些系统的一些关键考虑因素是容错能力、布线考虑因素和恶劣环境能力。未来有几种技术将推动整个飞机电力系统的采用。这些包括能量存储和回收系统、高压电池系统、燃料电池、自重构（修复）概念、应急电源系统、网络预防系统工具、先进的 EMI/EMC 滤波系统以及无线和嵌入式传感。本文后面将进一步讨论其中一些主题。
国防部在微电子、射频电子和光子学方面的投资
美国国防部 (DoD) 在安全、低成本地访问旧系统、实践系统和前沿系统方面面临诸多挑战。关键部门对微电子的需求聚集为国防部及其合作伙伴提供了机会。为此，可信与保证微电子计划制定了安全访问关键技术的路线图，包括：最先进 (SOTA) 微电子技术、先进封装和测试、联合联邦保证中心 (JFAC) 以及教育和劳动力发展。这些路线图指导国防部在微电子领域的投资，并为未来投资的跨部门规划（例如 CHIPS 法案）提供信息。毫米波射频氮化镓器件和用于高带宽数据传输的共封装光学器件的制造进步将作为射频和光电子路线图中的案例进行分享。