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特刊——宽带隙半导体材料...
宽带隙 (WBG) 半导体材料，例如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 或氧化镓 (Ga2O3)，使电力电子元件比硅基 (Si) 元件更小、更快、更可靠、更高效。目前，全球约有一半的总能源消耗是电力，预计到 2030 年，80% 的电力将通过电力电子设备流动。然而，基础科学和材料科学还有很大的发展空间；宽带隙材料确实无处不在；几乎整个地壳都是由宽带隙氧化物形成的，还有许多硫族化合物、卤化物、有机和生物材料也是宽带隙材料，还有许多其他可能性。本期特刊是一系列文章的集合，报告了最近获得的结果的简要评论以及在这一广泛研究领域产生的新发现。
全球市场将在2030年到达100万亿日元。 “半导体”将是我们未来生活的基础，包括Sprea
氮化壳（GAN）底物预计将用于功率半导体，下一代电动汽车和5G作为材料中，该材料可与硅基设备相比，具有更快的运行且电阻率更低的超高效率设备。通过我们新开发的酸性氨热技术“ SCAAT TM”，与常规的GAN底物生产方法相比，我们的质量水平更高。此外，为了提高生产率，我们与Tohoku University和Japan Steel Works有限公司（JSW）合作开发了低压酸氨油技术。从2021年5月开始，我们一直在使用JSW共同进行新的，生产力改良的“ SCAAT TM -LP”制造技术对GAN基板质量生产进行示范测试，并计划在2023财年下半年开始提供样品。
转型挑战：反应堆慢化剂材料的选择，以实现燃料最小化
TCR 堆芯将由传统制造的氮化铀涂层燃料颗粒 (TRISO) 和先进的碳化硅结构组成。如果碳化硅可以提供一些中子减速，额外的减速将有助于减少达到临界状态所需的燃料质量。已经研究了几种减速剂材料，发现钇氢化物是 TCR 燃料的极佳减速剂材料。钇氢化物体积分数约为 40% 将使堆芯设计能够舒适地进行低减速，同时大幅减少燃料需求。计算是在简单的几何形状下进行的，在更现实的堆芯设计中，钇氢化物的好处肯定会减少。尽管如此，人们相信本文描述的趋势将继续适用。致谢
工程与电子系，技术学院，阿布贝克尔贝勒凯德大学，阿尔及利亚，特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 数字
工程和电子系，阿布贝克尔贝尔卡德大学技术学院，阿尔及利亚特莱姆森 doi:10.15199/48.2024.10.23 基于 AlGaN/GaN/AlGaN 的 UV LED 单量子阱数值模拟 摘要。发光二极管 (LED) 等光源是制造更坚固、转换效率更高、更环保的灯具的良好解决方案。这项工作的目的是使用 SILVACO 软件研究和模拟夹在两层之间（分别为 p 掺杂和 n 掺杂的 AlGaN）的单个 GaN 量子阱的紫外发光二极管。通过这种模拟，我们可以提取 LED 的不同特性，例如电流-电压 (IV) 特性、发射光功率、自发辐射率、辐射复合、俄歇复合、肖克利-里德-霍尔复合、光增益、光通量、光谱功率密度、整体效率。这些模拟使我们能够提取基于 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的单量子阱紫外发光二极管的电学和光学特性，并检查其性能。光学器件、发光二极管 (LED)、双色灯和发光二极管przyjaznych dla środowiska。 Celem tej pracy 开玩笑 zbadanie i symulacja diody elektroluminescencyjnej ultrafioletowej z pojedynczą Studnią kwantową GaN umieszczoną pomiędzy dwiema warstwami; odpowiednio p 掺杂 in n 掺杂 AlGaN， przy użyciu oprogramowania SILVACO。此 symulacja pozwoliła nam wyodrębnić różne charakterystyki diody LED、takie jak charakterystyka prądowo-napięciowa (IV)、moc emitowanego światła、szybkość emisji spontanicznej、rekombinacja radiacyjna、重新组合 Augera、重新组合 Shockleya-Reada-Halla、wzmocnienie optyczne、strumień świetlny、gęstość widmowa mocy、ogólna wydajność。该符号与 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 和 p-AlGaN/GaN/n-AlGaN 的其他器件有关。 ( Numeryczna symulacja pojedynczej Studni kwantowej diody UV LED na bazie AlGaN/GaN/AlGaN) 关键词：GaN、AlGaN、紫外发光二极管、silvaco Tcad。 Słowa kluczowe：GaN、AlGaN、二极管发射器、UV、silvaco Tcad。简介 基于氮化镓 (GaN) 的固态照明技术彻底改变了半导体行业。 GaN 技术在减少世界能源需求和减少碳足迹方面发挥了至关重要的作用。根据报告，2018 年全球照明需求减少了约 13% 的总能源消耗。美国能源部估计，到 2025 年，明亮的白色 LED 光源可以减少 29% 的照明能耗。近十年来，全球的研究人员致力于 III-N 材料研究，以改进现有技术并突破 III-V 领域的极限。现在，随着最近的发展，GaN 不仅限于照明，最新创新还推动了微型 LED、激光投影和点光源的发展。这些发展将 GaN 推向了显示技术领域。基于 GaN 的微型 LED 的小型化和硅上 GaN 的集成推动了其在快速响应光子集成电路 (IC) 中的应用。将详细讨论 GaN LED 领域的大多数最新进展 [1] III 族氮化物 (GaN、AlN 和 InN) 及其合金因其优异的物理性能和在恶劣环境条件下的稳定性而被认为是各种光电应用中最有前途的半导体材料 [2, 3, 4]。如今，基于 III 族氮化物的发光二极管 (LED) 因其效率高、功耗低、寿命比荧光灯和白炽灯长而被广泛应用于世界各地的固态照明 (SSL) 应用 [5, 6]。LED 是一种更有前途的低功耗光源，可取代传统的荧光灯。除 LED 外，基于 III 族氮化物的激光二极管 (LD)、高功率电子器件、光电探测器等也是其他扩展的光电应用，这些应用也已得到展示 [7, 8]。这项工作包括对基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果以及它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。还有其他扩展的光电应用也得到了展示 [7, 8]。这项工作包括基于氮化镓 GaN 的单量子阱紫外 LED 的研究和模拟，在本文中，我们展示了所研究 LED 的模拟结果，并展示了它们的电气和光学特性。
引用 (APA)：Wang, C.、Xiao, Y.、Zsurzsan, G. 和 Zhang, Z. (2021)。双有源桥式转换器中通过分割电感实现人工智能辅助参数设计。IEEE 第 12 届亚洲能源转换大会暨博览会论文集（第 554-561 页）。IEEE。https://doi.org/10.1109/ECCE-Asia49820.2021.9479386
摘要 — 关于双有源桥 (DAB) 转换器实现零电压开关 (ZVS) 的研究非常丰富，其中将接口电感分开并放置在变压器两侧是扩展所有开关器件 ZVS 区域的有效方法。然而，由于转换器模型复杂且考虑了寄生元件，传统的分析模型很难在高开关频率 (即 >1MHz) 下精确模拟所提出的转换器。因此，转换器系统可以看作是一个灰箱模型。因此，可以利用人工智能 (AI) 技术在这个灰箱内进行有针对性的优化。在这种情况下，DAB 转换器参数设计中采用了一种具有明确适应度要求的遗传算法。介绍了将 AI 技术应用于转换器参数设计的方法，并通过 1 MHz 氮化镓 (GaN) 基 DAB 转换器原型进行了验证。
OPEN 2021 项目描述 - ARPA-E
用于终极固态照明的绿色发光二极管 - 750,000 美元 伊利诺伊大学香槟分校 (UIUC) 将研究直接发光的新型绿色发光二极管 (LED)，以加速固态照明 (SSL) 的采用，从而与非 SSL 相比，减少与照明相关的能源需求和温室气体排放约 25%。与非 SSL 相比，到 2035 年，向 SSL 的过渡可以使美国的能源需求和温室气体排放再减少 55%，占美国一次能源预算的 5%。立方氮化镓实现的高效绿色 LED 可用于消除偏振并减少光衰，使其比传统的基于 III-V 的 LED 技术效率更高。UIUC 的设计可以降低制造成本，并促进商业和住宅市场广泛采用高效混色 SSL 照明。
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。
阿拉斯加净空部队基地 (CSFS) 远程识别雷达 (LRDR)
LRDR 旨在为作战人员提供先进的地面传感器功能，支持从导弹预警、跟踪和识别到空间领域感知等一系列需求。LRDR 具有无与伦比的能力，可以同时搜索、跟踪和识别多个小物体，范围非常远，全天候 24/7/365。LRDR 将成熟的固态雷达技术与成熟的弹道导弹防御算法相结合，所有这些都基于能够满足未来增长的开放式架构平台。LRDR 采用独特的方法在密集的作战空间中准确识别威胁，使其有别于当前的地面传感器。双单基阵列，每个阵列高 60 英尺，宽 60 英尺，与氮化镓技术相结合，形成更强大、更强大的雷达。该技术旨在：
唾液酸 - 化学系
神经氨酰酸 ( 1 ) 结构中存在的多种功能团使得其化学结构相对容易修改。所获得的衍生物在与神经氨酸酶（负责唾液酸水解的酶）相互作用的程度和方式以及病毒进入细胞的渗透性方面有所不同。下面介绍了一些修饰 Neu5Ac ( 3 ) 化学结构的方法：C-1 位酰胺化（ 6 - 神经氨酸酶抑制剂）、C-3 位氟化（ 7 - 神经氨酸酶抑制剂）、C-4 和 C-9 位叠氮化（ 8 和 10 - 与大配体结合的便捷底物）、C-5 位脱乙酰胺（ 9 - 合成酰胺衍生物的底物）、C-2 位脱水（ 12 ）以及 C-7 和 C-8 处羟基的醚化（ 11 - 潜在的神经氨酸酶抑制剂）[3]。