2004年石墨烯的突破,当时它是第一个同样的,揭示了2D材料的独特特性,并推动了2D材料研究的增长。这导致发现了许多新型的单层材料,例如苯苯丙烯,过渡金属二核苷(TMDS)和六核氮化物。这些材料由于其对电子应用的有希望的特性而引起了科学界社区中的巨大兴趣。tmds由于其多功能性和可调性,在包括催化,储能和光电子的各种应用中被证明具有吸引力。1尽管在许多情况下2D材料与其大容量相比具有增强的性质,但是有不足的方法可以控制纳米级结构,使2D材料的大规模可重复性差异很大,从而阻碍了它们进入我们的日常生活。2
具有许多酸和碱基释放热量和易燃气体的反应性(例如,H2)。与还原剂(例如氢化物,碱金属和氮化物)反应,以产生易燃气体(H2)和热量。与异氰酸酯,醛,氰化物,过氧化物和酸酐不兼容。与醛,HNO3(硝酸),HNO3 + H2O2(硝酸和过氧化氢的混合物)和HCLO4(高氯酸)剧烈反应。避免强大的基础。在环状醚上发现的未阻碍的氧原子,例如环氧化物,氧乙乙烷,呋喃,二恶英和pyrans,带有两个未共享的电子对 - 一种结构,有利于配位复合物的形成和阳离子的溶剂。环状醚被用作重要溶剂,作为化学中间体和单体,用于开环聚合。
诸如厚度相关的带隙,这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性,从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是,单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体(如 III 族氮化物(GaN、AlN 和 AlGaN 合金)和 4H-SiC)的集成,目前在光电子学(例如,用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器)[6–11] 和电子学(例如,用于实现异质结二极管,包括带间隧道二极管)中越来越受到关注。 [12–17]
•钻石,碳纳米管,氮,Mxenes,石墨烯等的合成和掺杂。•碳材料的物理和化学修饰•电力电子,光电和传感器的钻石设备•基于碳和氮化硼的量子技术•基于钻石的能量收集(催化,…)和储存(超级盖,…)•缺陷工程和色彩中心•碳纳米型和颗粒•碳材料的理论和计算建模•基于碳的异质结构,具有新颖的氧化物,碳化物,碳化物和氮化物材料•碳材料的低温物理•碳材料•碳材料和/或在高磁场下使用新型碳材料•使用新型碳材料的碳材料•传感器等新型设备概念,等等。•基于碳纳米材料的复合材料•(BIO)医疗应用,药物输送和纳米碳安全
1。简介:尤其是氮化物的独特固有特性,尤其是甘恩捕获了未来MM - 波应用的半导体市场[1]。表现出高载体迁移率以及高饱和速度的能力,使基于GAN的设备适合MM - 波动应用[2]。所声称的基于GAN的设备的明显高性能[3] [4]实际上取决于各种因素。这些包括EPI - 层堆栈的质量[5] [6],以及针对欧米克和肖特基触点实施的质量和金属方案[7] [8]。EPI - 层工程专注于最大程度地减少晶界和外延缺陷,以提高RF性能[6] [9]。另一方面,欧姆金属工程专门集中于降低接触电阻,以兼容高速操作[7] [10],而不是Schottky接触工程,该联络工程具有特定的目标,可以实现下门
,例如厚度依赖性带隙,对硅,光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性,用于实施高级异质结构设备,利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是,单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合,例如III III氮化物(GAN,ALN和ALGAN ALLOYS)和4H-SIC,目前是越来越多的兴趣的对象(例如,对于高反应性双音群的现象,都可以提高兴趣的对象紫外线),[6-11]和电子设备(例如,用于实现异缝二极管,包括带对带隧道二极管的二极管)。[12–17]
能量聚合物是通常含有硝基,硝酸盐,氮杂类等的化合物,它们的燃烧产物包含大量的氮气。启发性聚合物在推进剂和炸药中用作粘合剂[1]。粘合剂可以与含有爆炸物团或普通聚合物的聚合物与能量质量化合物结合使用,即硝基菌,硝胺以及硝基和氮化物和偶氮化合物。这些粘合剂的使用旨在开发高能,无烟,防爆和低险种的复合能量系统。通常是通过多求能量单体获得的,例如,来自3-硝基甲基-3-甲氧乙烷(NIMMO)[2,3]的聚二莫Mo [2,3]和来自2-硝基甲状腺氧甲氯苯甲烷(Glyn)的2-硝基甲基甲氧基(Glyn)[4,5,5,5,glyn)[4,5,5,5,5,5,5,5,5,glyn)[4,5,5,5,5,5,5,5,5,nimmo)[4,5,5,5,5,5]
6.1.1未来设备部分..... 79晶体生长组..... 79表面和界面组.... 88纳米材料设备组..... 96 Energy Conversion设备组..... 99高级设备组..... 106纳米电信设备组..... 111功能集成设备组..... 115 6.1.2多物理模拟部门..... 121 Frontier Computitation Science Group ..... 121 6.1.3先进的物理性能分析部门..... 127⃝Nano电子属性组..... 127 6.1.4系统应用部门..... 128 Power Electronics Group ..... 128高频电路组....13555555。 6.1.5国际访问部.... 136下一代氮化物半导体组.... 136 6.1.6研究策略和联合研究促进部门.... 138 6.2高级测量技术实践中心.... 139