XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System氮化硅
范德华材料在纳米光子结构上的高精度局部转移
摘要：在密集纳米光子器件上对范德华材料进行原型设计需要高精度单层识别，以避免块体材料污染。我们使用标准干式转移工艺中使用的聚碳酸酯的玻璃化转变温度来绘制一个原位点，以精确拾取二维材料。我们将过渡金属二硫属化物单层转移到大面积氮化硅螺旋波导和氮化硅环形谐振器上，以证明改进的干式转移方法具有高精度无污染的特性。我们改进的局部转移技术是将高质量范德华材料确定性地集成到纳米腔中的必要步骤，以便在高通量、纳米制造兼容平台上探索少光子非线性光学。
腔增强二维材料量子发射器与氮化硅微谐振器确定性集成 K. Parto, 1, a) SI Azzam, 1, 2, a)
二维材料中的光学活性缺陷，例如六方氮化硼 (hBN) 和过渡金属二硫属化物 (TMD)，是一类极具吸引力的单光子发射体，具有高亮度、室温操作、发射体阵列的位点特定工程以及可通过外部应变和电场进行调谐的特性。在这项工作中，我们展示了一种新方法，可在无背景的氮化硅微环谐振器中精确对准和嵌入 hBN 和 TMD。通过 Purcell 效应，高纯度 hBN 发射体在室温下表现出高达 46% 的腔增强光谱耦合效率，这几乎超出了无腔波导发射体耦合的理论极限和之前的演示。该设备采用与 CMOS 兼容的工艺制造，不会降低二维材料的光学性能，且对热退火具有稳定性，并且在单模波导内量子发射器的定位精度达到 100 纳米，为具有按需单光子源的可扩展量子光子芯片开辟了道路。
使用蔡司 Crossbeam 激光进行 FIB 研究的陶瓷预处理
图 6：以 100 kHz 和 500 mm/s 的速度进行粗铣后，a) 氧化锆、b) 氮化硅、c) 镁橄榄石和 d) PZT 的铣削和表面结果，所有样品的表面质量均光滑；SEM、SE 图像。
www.yamato-usa.com BRO-MULTI BEADS SHOCKER-2025
坚固可靠的试管，适用于冷冻、冷却和室温粉碎 可进行 0°C 至 4°C 等低温控制粉碎 可在液氮条件下使用的一次性塑料试管 从 2ml 到最大 50ml 试管，可针对每个样品体积进行最佳粉碎 材料种类繁多（树脂、聚四氟乙烯、氧化铝、玛瑙、氧化锆、氮化硅、铁、碳化钨、不锈钢、钛等）
设计用于汽车功率模块应用的无银氮化硅 AMB 基板的成本 Habib Mustain 1、André Schwöbel 2、Benjamin Fabian 2
摘要 无银 AMB 技术解决了适用于汽车应用的活性金属钎焊 (AMB) Si 3 N 4 基金属陶瓷基板 (MCS) 与适用于要求较低的应用的经济高效的直接铜键合 (DCB) Al 2 O 3 基板之间的成本性能差距。condura ® .ultra 工艺的成本降低是通过将无银钎焊技术与高效钎焊工艺相结合而实现的。在本报告中，我们将展示热循环能力、condura ® .ultra 工艺的剥离强度以及成本设计的 Si 3 N 4 陶瓷基板。另外还展示了隔离局部放电性能和热阻测量稳定性的结果。关键词 无银、活性金属钎焊、成本设计、氮化硅
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
使用含有 MXene 纳米材料的复合材料检测有害气体
有害气体监测非常重要，尤其是在风险较高的工业应用中。在各种有害和有毒气体中，氨 (NH 3 ) 是最密集的一种，即使在较低浓度下也会对呼吸系统造成损害 [1]。监测氨 (NH 3 ) 浓度在不同领域都很重要，因为它在水中有毒 [2]，并且对于监测呼吸中的浓度 [3]、早期健康问题诊断甚至作为肝脏和肾脏健康检查的第一个指标也很重要。空气污染源包括农业、畜牧业 [4]、运输和食品加工厂 [5] 以及微电子（例如，在通过化学气相沉积生产氮化硅时，NH 3 是前体之一）[6]。
