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World File Search System氮化钛
氮化钛等离激元纳米钻阵列用于CMOS −对OpenPlc的控制逻辑注射攻击
摘要 - 真实的硬件PLC非常昂贵，有时科学家/工程师无法建立小型测试床并进行实验或学术研究。为此，OpenPLC项目引入了合理的替代选项，并在编程代码，模拟物理过程以及使用低成本设备（例如Raspberry Pi和Arduino uno）中提供了灵感。不幸的是，OpenPLC项目的设计没有任何安全性，即缺乏保护机制，例如加密，授权，反复制算法等。这使攻击者可以完全访问OpenPLC并进行未经授权的更改，例如启动/停止PLC，设置/更新密码，删除/更改用户程序等。在本文中，我们进行了深入的调查，并披露了OpenPLC项目中存在的一些漏洞，表明攻击者既没有对用户凭据，也不对物理过程进行任何先验知识；可以访问关键信息，并有效地更改OpenPLC执行的用户程序。我们所有的实验均在最新版本的OpenPLC（即V3）上进行。我们的实验结果证明，攻击者可能会混淆受感染的OpenPLC控制的物理过程。最后，我们建议OpenPLC创始人和工程师关闭所披露的漏洞并具有更安全的基于OpenPLC的环境的安全建议。索引条款 - OpenPlc;网络攻击；网络安全；控制逻辑注射攻击；
通过高解析度阐明氮化钛中的位错核心结构
术语 TiN：氮化钛 MgO：氧化镁 TMN：过渡金属氮化物 FCC：面心立方 B1：岩盐结构 UHV：超高真空 TEM：透射电子显微镜 STEM：扫描透射电子显微镜 HAADF：高角度环形暗场 DFT：密度泛函理论 MEAM：改进的嵌入原子方法 XRD：X 射线衍射 ToF-ERDA：飞行时间弹性反冲检测分析 BF：明场 FIB：聚焦离子束 SEM：扫描电子显微镜 FFT：快速傅里叶变换 DOS：态密度 FWHM：半峰全宽 GSFE：广义堆垛层错能 OP：重叠布居
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
氮化钛作为近红外等离子体材料...
1 华沙理工大学微电子与光电子研究所，Koszykowa 75, 00-662 华沙，波兰 2 华沙大学物理学院，Pasteura 5, 02-093 华沙，波兰；piotr.wrobel@fuw.edu.pl 3 Łukasiewicz 研究网络 - 微电子与光子学研究所，Aleja Lotnikow 32/46, 02-668 华沙，波兰；pawel.michalowski@imif.lukasiewicz.gov.pl 4 波兰科学院物理研究所，Aleja Lotnik ó w 32/46, 02-668 华沙，波兰；ozga@ifpan.edu.pl（MO）；bwitkow@ifpan.edu.pl（BW）； aseweryn@ifpan.edu.pl (AS) 5 华沙理工大学物理学院，Koszykowa 75, 00-662 华沙，波兰；michal.struzik@pw.edu.pl (MS)；cezariusz.jastrzebski@pw.edu.pl (CJ)；krzysztof.zberecki@pw.edu.pl (KZ) * 通讯地址：jaroslaw.judek@pw.edu.pl
离子能对高功率脉冲磁控溅射沉积的氮化钛薄膜的微结构和性能的影响
摘要：氮化钛（Ti-n）薄膜是电导和导导的，具有高硬度和耐腐蚀性。致密和无缺陷的Ti-N薄膜已被广泛用于切割工具，耐磨性组件，医疗植入装置和微电子的表面修饰。在这项研究中，通过高功率脉冲磁控溅射（HPPM）沉积了Ti-N薄膜，并分析了其血浆特性。通过调节底物偏置电压以及其对微结构，残留应力和薄膜的粘附的影响来改变Ti物种的离子能量。结果表明，在引入氮气后，在Ti靶标表面形成了Ti-N化合物层，从而导致Ti目标放电峰功率增加。此外，Ti物种的总频量减少，Ti离子的比率增加。HPPM沉积的Ti-N薄膜密集且无缺陷。当Ti-ions的能量增加时，Ti-nfim的晶粒尺寸和表面粗糙度减少，残留应力增加，Ti-N Thin Fimflm的粘附强度降低。
磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。