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World File Search System氮化钛
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子
志勇、苍怀兴和杨鑫 2020. 基于薄膜氮化镓 (GaN) 的声流体镊子：建模和微粒操控。超声波 108，106202。10.1016/j.ultras.2020.106202
如何在开关电源中使用氮化镓技术
Frederik Dostal 是一位电源管理专家，在该行业拥有 20 多年的经验。在德国埃尔朗根大学学习微电子学后，他于 2001 年加入美国国家半导体公司，担任现场应用工程师，在客户项目中实施电源管理解决方案方面积累了丰富的经验。在国家半导体公司任职期间，他还在美国亚利桑那州凤凰城工作了四年，担任应用工程师，从事开关电源工作。2009 年，他加入 ADI 公司，此后担任过各种职位，负责产品线和欧洲技术支持，目前作为电源管理专家，为公司带来广泛的设计和应用知识。Frederik 在德国慕尼黑的 ADI 办事处工作。
氮化镓 MEMS 谐振器：残余应力如何影响设计和性能
摘要 — 从硅上外延生长的氮化镓 (GaN) 开始，设计、制造并表征了集成压电换能器的预应力微谐振器。在夹紧梁中，众所周知，拉伸应力可用于增加谐振频率。在这里，我们计算了预应力梁中平面外弯曲模式的模态函数，并推导出一个模型来预测谐振频率和压电驱动因子。我们表明，理论和实验结果之间可以获得良好的一致性，并推导出机电转换的最佳设计。最后，我们的模型预测了由于拉伸应力导致的品质因数增加，这已通过真空下的实验测量得到证实。这项研究展示了如何利用外延工艺产生的材料质量和初始应力。
航空航天案例研究：激光焊接钛
在各个组件的TMC管部分中有一定程度的通用性。，如果当前的单片端配件分为两个部分，则可以增加制造灵活性和降低成本的可能性，以及在稍后阶段焊接的特定端功能，如图4所示。但是，要实现这一机会的全部潜力，必须将焊缝尽可能靠近标准化端拟合的大小来最小化，以避免对TMC的热损坏。激光焊接是一种有吸引力的解决方案，因为它提供了使最小热输入所需的相对深焊接的可能性，并且作为Oliver活动的一部分开发和优化了该过程。
氮化硅芯片上的近简并正交压缩真空产生
压缩态是连续变量 (CV) 量子信息处理的主要资源。为了以可扩展且稳健的方式实现 CV 协议，最好使用集成光子学平台生成和操纵压缩态。在本信中，我们展示了使用具有双泵四波混频过程的小型氮化硅微谐振器在射频载波边带中生成正交相位压缩态。我们记录的压缩噪声水平比光电流散粒噪声低 1.34 dB（0.16 dB），这相当于芯片上 3.09 dB（0.49 dB）的正交压缩。我们还表明，考虑泵浦场的非线性行为对于正确预测此系统中可以产生的压缩至关重要。这项技术代表着朝着创建和操纵可用于量子信息应用（包括通用量子计算）的大规模 CV 簇状态迈出了重要一步。
氮化甲化物场在极端温度条件下的晶体管
摘要 - 紧凑的功率电子电路和开关设备的较高操作温度要求对寄生组件在这些设备中的影响进行分析和验证。通过文献研究了氮化壳效应晶体管（GAN-FET）中发现的漂移机制，并与测量结果有关。极端温度条件下的测量值远远超出了制造商推荐的操作范围。研究了GAN-FET的静态和动态操作中对寄生元件的影响，并以半桥电路的示例与开关模式功率电子电线中的设备损耗有关。在本文中，进行了对温度对电阻，泄漏电流和反向传导的影响的静态操作研究。GAN-FET两种状态之间的动态操作也被解决，并且与开关导管损失的潜在影响有关。使用曲线示踪剂构建了一个热室，以精确测量设备中寄生元件的影响。发现，r ds的增量，i dss，i gss和v sd可以通过文献来证明，并通过测量来验证。增量c oss和降低V gs Th时，将设备暴露于极端温度时。这两个参数对在时间至关重要的高温下设计电路方面给人带来了真正的挑战。尽管温度调节，但发现所研究的GAN-FET具有在极端温度稳定条件下使用的潜力。
钛、镍基合金、特种钢 - 标题页
来自执行董事 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 ITA 工业委员会努力 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 全尺寸钛中部船舶剖面可制造性和结构性能调查.......................................................................................................19 全球铜、镍市场变迁为钛创造产业机遇.......................................................................................................19 22 DMRL 科学家发明铂铝化物涂层，保护航空发动机部件免受热腐蚀 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 使用钛网的工业水净化系统 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 Sipchem 高管介绍钛镀镍工艺的进展 . . . . . . . . . . . . 31 执行摘要 – TITANIUM USA 2013 摘要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
