研究了 C54 Ti(Si, -,Ge,,) 薄膜与 Si, -XGe, 衬底接触时的稳定性。C54 Ti(Si, -,Ge,,j) 薄膜由 Ti-Sii-,Ge, 固相金属化反应形成。结果表明,最初形成的 C54 Ti(Si, -,,Ge,,) 的 Ge 指数 y 与 Si, -XGeX 衬底的 Ge 指数 x 大致相同(即 yx)。C54 钛锗硅化物形成后,Si, -XGeX 衬底中的 Si 和 Ge 继续扩散到 C54 层中,大概是通过晶格和晶粒边界扩散。扩散到 C54 晶格中的部分 Si 取代了 C54 晶格上的 Ge,C54 Ti(Si, -,GeJZ 的 Ge 指数降低(即 yx)。这种偏析和沉淀增强了C54钛锗硅化物薄膜的团聚(即较低的团聚温度)。观察到可以使用快速热退火技术来减少退火时间并导致Ge偏析的减少。0 199.S美国物理学会。
d 中山大学化学学院生物无机与合成化学教育部重点实验室,广州 510275 基于钙钛矿纳米晶体的发光二极管 (PNCs-LED) 引起了下一代显示和照明技术的极大兴趣,因为它们的色纯度、高亮度和发光效率接近从器件结构中提取电致发光的固有极限。虽然现在是开发有效的光耦合策略以进一步提高器件性能的时候了,但 PNC-LED 的这一技术相关方面仍然没有明确的解决方案。在这里,遵循理论指导并且没有集成复杂的光子结构,我们实现了稳定的 PNC-LED,其 EQE 高达 29.2%(平均 EQE =24.7%),这大大突破了普通 PNC-LED 的耦合限制,并系统地超越了以前任何基于钙钛矿的器件。这种前所未有的性能的关键是引导薄至 10 nm 的 PNC 发射层中的复合区,我们通过使用用镍氧化物层重新表面化的 CsPbBr 3 PNC 精细平衡电子和空穴传输来实现这一点。超薄方法具有普遍性,原则上也适用于其他钙钛矿纳米结构,用于制造高效、颜色可调的透明 LED,非常适合不显眼的屏幕和显示器,并与光子元件的集成兼容,以进一步提高性能。关键词:卤化铅钙钛矿纳米晶体、发光二极管、外部量子效率、光耦合、透明 LED 近几年来,铅因其优越的光学性能和经济实惠的溶液加工性而备受推崇
摘要:多硫化物中间体 (Li2Sn,2<n≤8) 的穿梭和锂金属表面的枝晶生长阻碍了锂硫 (Li-S) 电池的实际应用。隔膜功能化提供了一种解决这些问题的直接方法。在此,我们展示了一种用于先进 Li-S 电池的多功能 MIL-125(Ti) 改性聚丙烯/聚乙烯隔膜。MIL-125(Ti) 是一种含钛的金属有机骨架 (MOF),具有开放骨架结构、高固有微孔率和路易斯酸特性。与原始隔膜相比,具有 MIL-125(Ti) 涂层的隔膜表现出更好的电解质润湿性和更低的电阻。独特的涂层层充当有效的物理和化学屏障区域,可捕获多硫化物物质,而不会影响 Li+的平稳传输。同时,MOF 中直径约为 1.5 纳米的高度有序微孔引导均匀的 Li + 镀层,从而抑制锂枝晶。因此,MOF 改性隔膜可显著提高 Li-S 电池的循环稳定性和倍率性能。在 0.2 C(1 C = 1675 mA g-1)下 200 次循环后的容量保持率超过 60%,在 2 C 下比容量为 612 mAh g-1。这种简便的方法为高性能 Li-S 电池提供了一条有效的途径。关键词:锂硫电池、金属有机框架、隔膜、穿梭效应、锂枝晶■ 介绍
摘要:调整宽带隙 β - Ga 2 O 3 的光学和电子特性对于充分利用该材料在电子、光学和光电子领域现有和新兴技术应用中的潜力至关重要。在本研究中,我们报告了 Ti 掺杂剂不溶性驱动的化学不均匀性对 Ga 2 O 3 多晶化合物的结构、形态、化学键合、电子结构和带隙红移特性的影响。采用传统的高温固相反应路线在可变的煅烧温度(1050 − 1250 ° C)下合成了 Ga 2 − 2 x Ti x O 3(GTO;0 ≤ x ≤ 0.20)化合物,烧结温度为 1350 ° C。GTO 样品的 X 射线衍射分析表明,仅在非常低的 Ti 掺杂浓度(<5 at. %)下才会形成单相化合物,而较高的 Ti 掺杂会导致形成复合材料,其中含有大量未溶解的 TiO 2 金红石相。然而,在烧结样品中,未溶解的金红石相的一部分转化为单斜 TiO 2。 Rietveld 对本征 Ga 2 O 3 和单相 Ti 掺杂化合物(x = 0.05)进行细化,证实样品在具有 C 2/m 空间群的单斜对称性中稳定存在。样品的表面形貌表明,本征 Ga 2 O 3 呈现棒状形貌,而 Ti 掺杂化合物呈现球形形貌。此外,在具有异常晶粒生长的掺杂化合物中,与本征 Ga 2 O 3 相比,可以注意到晶格孪生引起的条纹。Ga 2p 的高分辨率 X 射线光电子能谱分析显示,由于相邻离子的电子云之间的相互作用,与金属 Ga 相比发生了正向偏移。由于 Coster − Kronig 效应,Ti 2p 1/2 光谱显示出异常增宽。采用混合密度泛函理论的第一性原理计算表明,Ti 优先取代八面体 Ga 位点,并在 Ga 2 O 3 中表现为深层施主。从光吸收光谱可以看出,光学带隙发生了红移。Ga 2 O 3 带隙内的吸收归因于未溶解的 TiO 2 的夹杂,因为 TiO 2 在 Ga 2 O 3 带隙内具有 I 型排列。此外,还研究了 GTO 化合物的电催化行为。从电催化研究中可以明显看出,与本征 Ga 2 O 3 相比,掺杂化合物表现出明显的电催化活性。
摘要 卤化物钙钛矿太阳能电池 (PSC) 已成为下一代光伏技术中最有前途的技术之一,为提高效率、降低成本和快速扩展提供了途径。它们的独特属性——包括高吸收系数、可调带隙、缺陷容忍度和低温可加工性——使开发能够超越传统硅基技术的多功能太阳能设备成为可能。最近的突破推动钙钛矿太阳能电池的能量转换效率 (PCE) 在单结电池中超过 27%,在串联配置中超过 34%。然而,仍然存在重大挑战,特别是在长期稳定性、与铅含量有关的环境问题以及商业部署的可扩展性方面。这篇评论文章讨论了卤化物钙钛矿研究的现状,重点介绍了材料设计、设备架构和制造工艺方面的进步,这些进步推动 PSC 走在可再生能源技术的前沿。我们探索了钙钛矿光伏的潜在应用,从串联太阳能电池到柔性、建筑集成和便携式设备,以及它们在克服硅光伏局限性方面的作用。尽管钙钛矿太阳能电池前景光明,但在实现广泛商业化之前,它必须解决持续存在的挑战,例如现实条件下的稳定性和铅毒性。通过研究最近的进展和确定未来的研究方向,这篇评论文章全面展望了卤化物钙钛矿太阳能电池在塑造全球能源系统未来方面的作用。
ext。0.669 0.945 0.669 T = 0.80(EV)期望。[REF] [REF] 0.668 0.945 0.669 N/A PBE 0.670 EG = 1.23(EV)
描述Titanium Taq是一种混合物,该混合物由缺乏5ʹ外核酸酶的TAQ聚合酶和Taqstart®抗体(一种单克隆抗体,在环境温度下抑制钛Taq。taqstart抗体提供自动热启动PCR。还包括了优化的缓冲液混合物(最终浓度为3.5 mm mgcl 2)和DNTP的纯化混合物(每种2.5 mm)。无RNase GC熔化试剂(5M)提高了PCR反应的特异性和产量,尤其是在使用具有高GC含量或复杂二级结构的模板时。该套件包含足够的试剂,可用于每个100μl的钛反应。钛DNA扩增试剂盒设计为与Affymetrix DNA映射产物一起使用(见表1)。
在过去的 25 年里真正蓬勃发展。最初,这些金属因其出色的耐腐蚀性而被选中。然而,最近的消费者应用是美观、无毒和轻便(钛)等特性的结果。这些品质已应用于艺术、建筑、珠宝、体育用品、生物医学设备、自行车和汽车。钛和锆不再被视为奇异,而是找到了不断增加的应用基础。以下七篇论文代表了其中一些新的使用领域。还涵盖了传统应用领域,介绍了旨在增强的新技术