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World File Search System氮氧化硅
薄膜沉积的全面回顾...
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用（例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳）之后，介绍了这些层。分析了工艺参数（例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式）对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数，以实现高沉积速率和低膜应力，这在低沉积温度下是可能的。
用于生物电子系统的生物可吸收多层有机-无机薄膜
生物可吸收电子设备作为临时生物医学植入物，代表了一类新兴技术，与目前需要在使用一段时间后进行手术移植的一系列患者病症相关。要获得可靠的性能和良好的降解行为，需要能够作为封装结构中生物流体屏障的材料，以避免有源电子元件过早降解。本文提出了一种满足这一需求的材料设计，其防水性、机械柔韧性和可加工性优于替代品。该方法使用由旋涂和等离子增强化学气相沉积形成的聚酐和氮氧化硅交替膜的多层组件。实验和理论研究调查了材料成分和多层结构对防水性能、水分布和降解行为的影响。电感电容电路、无线电力传输系统和无线光电设备的演示说明了该材料系统作为生物可吸收封装结构的性能。