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西番莲在中高盐度灌溉水中氯化钠积累、地上部生物量、抗氧化能力和基因表达的变化
摘要：Passiflora edulis f. flavicarpa（黄色西番莲）是一种高价值热带作物，既可作为水果，也可作为营养品销售。随着美国水果产量的上升，必须研究盐度在半干旱气候下对作物的影响。我们评估了灌溉水盐度、叶龄和干燥方法对叶片抗氧化能力 (LAC) 和植物遗传反应的影响。植物在室外蒸渗仪槽中生长三年，水的电导率分别为 3.0、6.0 和 12.0 dS m − 1。Na 和 Cl 均随着盐度的增加而显著增加；3.0 和 6.0 dS m − 1 下的叶片生物量相似，但在 12.0 dS m − 1 下显著降低。盐度对 LAC 没有影响，但新叶的 LAC 高于老叶。低温烘干 (LTO) 和冷冻干燥 (FD) 的叶子具有相同的 LAC。对十二种转运蛋白基因（其中六个参与 Na + 转运，六个参与 Cl − 转运）的分析表明，根部的表达量高于叶子中的表达量，这表明根部在离子转运和控制叶子盐浓度方面起着关键作用。百香果对盐度的中等耐受性和其高叶子抗氧化能力使其成为加利福尼亚州的潜在新水果作物，也是营养保健品市场的黄酮类化合物的丰富来源。低温烘干是冷冻干燥的潜在替代方案，可用于准备百香果叶子的氧自由基吸收能力 (ORAC) 分析。
AGCL-675 银/氯化银墨水
应用指南 AGCL-675 在密封容器中储存一段时间后会变稠。使用前必须彻底混合材料，以重新分散任何沉淀的银颗粒，并使油墨恢复到更理想的粘度。应注意尽量减少材料暴露在光线下。印刷材料的印刷机上方应使用黄灯、黄色屏幕或紫外线过滤器。湿度需要保持在中等水平，因为水分也会在较长时间内影响氯化银。建议使用单丝聚酯（180 至 260 目）屏幕，乳剂厚度在 0.001 英寸至 0.003 英寸之间。建议使用邵氏“A”硬度计在 60 至 70 之间的聚氨酯刮刀。所有搅拌刀片、溢流棒和刮刀表面都不得有金属。金属，尤其是铝，会与氯化银发生剧烈反应。如果使用金属溢流棒和器具，必须用惰性胶带（如特氟龙胶带）完全包裹它们。
人机接口M822E上的氯化物...
随后是通信部分，尤其是人机接口（HMI）。UPS界面通常位于第二位，因为它主要用于局部检查UPS的工作状态并可视化一些电气测量。此外，通常通过通信协议从控制室远程监控UPS。因此，通常可以在UPS技术规范中找到典型的句子，以便系统包括当地的人机接口，以监视和控制UPS并允许可视化系统的状态，警报和测量。但是，如果明智地使用人机界面，则可以带来真正的好处。
保护为世界提供动力的力量。 - 氯化物
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氢化硅纳米片的氯化揭示......
摘要：据推测，通过 CaSi 2 拓扑脱插合成的二维硅纳米片 (Si-NS) 由 sp 3 杂化硅原子的弯曲层组成，这些硅原子与其他三个框架 Si 原子以及一个终端原子或功能团（例如 H、Cl 或 -OH 基）结合。在这里，我们应用 1 H{ 35 Cl} 和 29 Si{ 35 Cl} 共振回波饱和脉冲双共振 (RESPDOR) 固态 NMR 实验来直接确认 Si-NS 内氯化 Si 原子的存在。将观察到的 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相绘制为 35 Cl 饱和脉冲偏移的函数，可以测量 35 Cl 中心跃迁 (CT) 四极粉末图和氯四极耦合常数 (CQ )。对 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相曲线进行建模表明，Si-Si 层间距约为 6 Å。平面波 DFT 计算表明，Si-NS 的直接带隙跃迁随着氯化程度的增加而减小，这表明氯化是调整应用带隙的可行途径。
利用二氯化双（三乙基膦）镍（II）和 1,4-双（三甲基锗基）-1,4-二氢吡嗪进行镍的低温热 ALD 工艺
镍薄膜可用于从微电子到保护涂层 1 和催化等不同应用领域。2,3 Ni 是未来集成电路 (IC) 互连中铜的替代材料之一，因为 Ni 具有低电阻率和低电子平均自由程，当互连尺寸足够小时，它的电阻率会低于铜。4 例如，当线宽低于 10 纳米时，钴的电导率将超过铜，而镍具有相似的体电阻率，但电子平均自由程甚至低于钴。5 通过加热薄膜，可以将沉积在硅上的 Ni 薄膜转化为低电阻率接触材料 NiSi。全硅化物 Ni 栅极可用于互补金属氧化物半导体。6 由于其铁磁特性，镍对于磁存储器的发展至关重要。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 被认为是一种通用存储器，有朝一日可能会彻底改变整个微电子行业。7
四氯化硅中钽的反应离子蚀刻
金属结构的精确图案化在可行的金属基器件的开发中起着至关重要的作用。通过研究适当蚀刻材料层的蚀刻条件，可以进一步优化和控制蚀刻过程。这项工作报告了使用四氯化硅 (SiCl 4 )/氩 (Ar) 等离子体对钽 (Ta) 微米膜进行反应离子蚀刻 (RIE)。研究了蚀刻特性与 SiCl 4 /Ar 比率、等离子体功率和腔室压力的关系。结果发现，增加 SiCl 4 的流速或等离子体功率会导致蚀刻速率增加。此外，观察结果表明，将 Ar 的流速增加到 30 sccm 以上和将等离子体压力增加到 100 mTorr 以上是无效的。此处实施的工作代表着开发可用于广泛设备的钽基结构的重要一步。