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由基于激光的有向能沉积在钣金基板上制造的杂交组件的材料表征
Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal Substrates Material Characterization of Hybrid Components Manufactured by Laser- Based Directed Energy Deposition on Sheet Metal底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，底物的材料表征由基于激光的有向能量沉积在钣金基板上制成的材料材料表征由基于激光的基于激光的有向能量对钣金底物的材料对混合成分制造的材料表征由激光基于激光材料的材料材料的材料材料的材料的材料材料的材料对材料的材料构造的材料的材料的特征，该材料的材料材料的表征是由材料的材料构造的材料构造的材料，该材料构成了杂种材料的特征，基板
通过化学蒸气沉积在铜上的大面积菱形几层石墨烯的合成
菱形堆叠的几层石墨烯（FLG）显示出奇特的电子特性，这些特性可能导致现象，例如高温超导性和磁性排序。迄今为止，经验研究主要受到厚度超过3层和设备兼容大小的菱形flg的困难限制。在这项工作中，我们证明了菱形石墨烯的合成和转移，厚度高达9层，面积高达〜50 m m 2。通过拉曼光谱法鉴定了菱形FLG的结构域，并在类似条纹的构造中发现与同一晶体内的伯纳尔区域交替。接近局限的纳米成像进一步确定了相应堆叠顺序的结构完整性。组合的光谱和微观分析表明，菱形堆积的形成与基础铜施加块密切相关，并导致沿着优先晶体学方向沿着层间位移而出现。菱形对厚度和大小的生长和转移应促进预测的非常规物理学的观察，并最终增加其技术相关性。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
国立彰化师范大学电子工程学系硕士班毕业条件表暨课程...
2 4光电实验技术光电实验室光电工程概论33 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3技术工业和微电源行业的技术半导体设备半导体产业技术专论33半导体行业和技术的特殊主题半导体磊晶技术33半导体外延技术
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
研究论文 聚束环形微通道热沉中受限射流冲击的分析
射流冲击冷却被视为高功率电子设备热管理的绝佳选择。然而，它的缺点是高压降损失和远离射流区域的低局部传热系数。尽管据报道回流区是由于夹带而出现的，但是回流尺寸对热行为的影响尚不清楚。在这里，在数值研究中采用带有收敛环形通道的射流冲击散热器，以最大限度地减少微通道中冲击射流带来的不利冷却影响。可实现的 k − ε 湍流模型用于模拟热场和湍流流场（Re = 5,000 至 25,000）。研究发现，小尺度上不同的流动回流区是增强传热速率的原因。虽然在 Re 数较低时，收敛壁面射流冲击散热器的热性能高于其平板壁面散热器，但在 Re 数较高时，热性能结果有利于平板壁面射流冲击散热器。在 Re 数较高时，收敛通道中的流动再循环面积会缩小，因此与平板壁面射流散热器相比，收敛通道的热性能会下降。此外，研究发现，采用更陡的收敛通道会缩小流动再循环区域，导致 Re = 25,000 时压降降低高达 59%。本研究考察了不同 Re 数下流动再循环对射流冲击收敛环形散热器热工水力性能的影响。
通过脉冲激光沉积在石墨烯上的远程外氧化物远程外观上的生长动力学控制
电力电子转化和存储系统主席，电力电子和电气驱动器研究所（ISEA），RWTH Aachen University，Rwth Aachen University，Campus-Boulevard 89，52074 Aachen，Germany B Demany b，B B衰老中心，可靠性，可靠性和终身预测，用于电化学和电力系统（CARL），RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN，RWTH ACHEN 720德国电池技术中心，电气工程研究所，Karlsruhe技术研究所（KIT），Hermann-Von-Helmholtz-Platz-1，76344 Eggenstein-Leopoldshafen，德国德国Delmhony d Helmholtz D Helmholtz IntstituteMünster：sostitute sostute stoctute in Comport of Compotical in Compory（Hi MS）德国E发电与存储系统研究所（PGS），E.ON能源研究中心（E.On ERC），RWTH亚历山大学，Mathieustrasse 10，52074 Aachen，德国Aachen，德国F尤里希·亚奇研究联盟，贾拉能源
磁控溅射沉积氮化钛薄膜的结构和光学特性
摘要。氮化钛的应用涵盖了微电子、生物医药等不同行业。本文介绍了不同沉积条件下氮化钛薄膜的结构和光学特性分析。样品采用直流磁控溅射沉积在硅基片上。沉积在室温下进行，在预热至 300°C 的基片上进行，在分别以 -40 V 和 -90 V 极化的基片上进行。结果表明，当沉积在室温下进行时，结构取向与沉积过程存在依赖性。当沉积在预热的基片上进行时，没有结构取向。基片的负极化导致小尺寸晶体的形成。至于光学特性，薄膜表现出良好的半导体特性和低反射率。
上海复旦微电子集团股份有限公司
主席蒋国兴中国，上海， 2024 年10 月30 日于本公告日期，本公司之执行董事为蒋国兴先生、施雷先生、俞军先生及沈磊先生； 非执行董事为庄启飞先生、张睿女士、宋加勒先生及阎娜女士；独立非执行董事为曹钟勇先生、蔡敏勇先生、王频先生及邹甫文女士。 *仅供识别
上海复旦微电子集团股份有限公司
主席蒋国兴中国，上海， 2024 年10 月14 日于本公告日期，本公司之执行董事为蒋国兴先生、施雷先生、俞军先生及沈磊先生； 非执行董事为庄启飞先生、张睿女士、宋加勒先生及阎娜女士；独立非执行董事为曹钟勇先生、蔡敏勇先生、王频先生及邹甫文女士。 *仅供识别