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World File Search System沉积
涂料沉积
• R&D collaborations for start-ups and spin-offs • Participation to European Commission-funded projects • Knowledge Transfer Seminars • Open source software and hardware licences (as for the World Wide Web) • Training in business and entrepreneurship for CERN personnel • Dedicated funding to bridge the research/industry ga
沉积WS2
摘要：过渡金属二核苷（TMDS）吸引了广泛的各种设备应用的研究兴趣。原子层沉积（ALD）是一种CMOS兼容技术，可以使8至12英寸的高质量TMD纤维制备。用于大规模电路集成的晶圆。但是，ALD增长机制仍然尚未完全理解。在这项工作中，我们系统地研究了WS 2的生长机制，并发现它们与成核密度和纤维厚度有关。透射电子显微镜成像揭示了不同生长阶段下侧向和垂直生长机制的共存和竞争，并且获得了每种机制的临界厚度。当膜厚度保持小于5.6 nm（8层）时，平面内侧生长模式主导，而当厚度大于20 nm时，垂直生长模式占主导地位。从对这些生长机制的最终理解中，膜沉积的条件得到了优化，最大晶粒尺寸为108 nm。WS 2-基于效应的晶体管分别用电子迁移率和/o效率比分别为3.21 cm 2 v -1 s -1和10 5。，这项工作证明了TMDFIFM在晶状体尺度上具有出色的厚度和形态可控性的能力，从而使除晶体管以外的许多潜在应用，例如基于纳米或纳米丝的超级电容器，电池，传感器和催化。关键字：过渡金属二盐元化，原子层沉积，晶圆尺度，ws 2，fie fief-ect-exect transistors■简介
Alvarez沉积
1 Alvarez V Bause等人-10-12-23 -William Alvarez 2是栏杆或豁免，以在此行动的试验中进行此类运动，并保留3。4特此根据5和在所有各方的律师之间的规定并达成协议，根据CPLR第3113条（d）的6条，该沉积是由视频会议进行的，是由视频会议进行的7个，法院8记者，所有律师和证人都在9个独立的偏远地点，并通过11个与之共同参与了11个录像带，该录像带是由11个录像带进行的。不需要代替证词14，证人应在证明证人的16个身份后，远程宣誓就职，即不会以任何方式记录该视频会议，并且未经所有党的明确书面同意的任何录音都应被认为是未经授权的。22进一步规定，展品23可以由律师标记，向证人提交展览24，并且向证人提交的任何展览25的副本应通过电子邮件发送给或
薄膜的原子层沉积
摘要 原子层沉积（ALD）已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜，并且厚度可控制在埃级，尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来，ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小，而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体，因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此，我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学，并详细讨论了与薄膜生长相关的机制；然后，我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学；最后，我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用，并对 ALD 技术的未来进行了展望。
真空沉积：-CT Physics
实际上，情况并非如此简单，大量变量影响了膜的性质，例如激光流利度，背景气体基板温度，底物表面的粗糙度，消融材料的电离密度等。这些变量在一定程度上操纵膜特性。但是，优化可能需要大量的时间和精力。的确，对PLD的早期研究的大部分研究都集中在单个材料和应用的沉积条件的经验优化上，而无需试图了解材料从目标转移到底物时发生的过程。通常使用femto第二激光激光器来沉积薄膜的薄膜，较小的纳米米厚度。脉冲激光沉积机的示意图如图所示。
通过 MOVPE 沉积 Ga2O3 的研究...
氧化镓 Ga 2 O 3 是一种很有前途的半导体电子材料。近年来，对其性质和合成技术进行了广泛的研究 [1,2]。不幸的是，对其外延生长的研究只集中在一个狭窄的最佳条件范围内。具体来说，还没有发表过关于宽区间温度变化对沉积速率影响的数据。这些数据对于彻底了解金属有机气相外延 (MOVPE) 的机制、充分考虑整个反应器容积内的化学和物理过程以及优化外延反应器的几何形状是必需的。在本研究中，研究了 MOVPE 中 Ga 2 O 3 沉积速率对宽区间温度变化的依赖关系。将获得的结果与众所周知的 GaN 和金属镓 (三甲基镓的单独热解) 的依赖关系进行了比较。为了排除反应器设计和温度测量方法对结果的影响，我们在类似条件下直接在同一反应器中测量了这些依赖关系。与任何其他化学气相外延工艺一样，MOVPE 中的沉积速率对温度的依赖性也具有三个明显的部分。在低温下，沉积速率受表面化学反应速率控制。这种生长方式称为动力学受限方式。在最简单的情况下，阿伦尼乌斯曲线的线性部分与之相对应。在存在分子氢甚至原子氢的情况下，动力学部分向低温（与金属有机化合物的单独热解依赖性相比）移动，这些氢可能由 V 族氢化物提供。在较高温度下，沉积速率受组分向表面的传输控制。
第3章 - 氧化物的激光沉积
图3.1示意图说明了脉冲激光消融事件的关键元素。（a）激光辐射的初始吸收（由长箭头表示），熔化和蒸发开始（阴影区域表示融化的材料，短箭头表示固体 - 液态界面的运动）。（b）融化前端传播到固体，蒸发持续，激光 - 泵相互作用开始变得很重要。（c）通过羽流和血浆形成吸收入射激光辐射。（d）融化前向后退，导致最终重新固定化。
和粉末激光金属沉积
晚期分子图像技术（AMIT）超导回旋子的内部离子源使用纯tantalum制成的阴极生成高能H-离子束，以生产正电子发射断层扫描的同位素。在服务期间，阴极受到血浆中高能离子的影响。所产生的侵蚀会产生陨石坑，从而降低提取光束的电流密度。当离子源无法再激活时，最终需要更换阴极。这项研究探讨了通过激光金属沉积添加剂制造来修复Amit回旋子中使用的触觉阴极的可能性。首先将受损的部分以3D成像，扫描电子显微镜和Vickers显微硬度为特征，以了解服务过程中发生的损伤机制并量化损害的程度。使用高纯度触觉线和粉末原料进行了测试，并确定了使用高纯度触觉的电线和粉末原料。已经证明了激光金属沉积恢复用于Amit Cyclotron的受损阴极的能力。
