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World File Search System沉积
原子层沉积（ALD）前驱体本地招标（...
• 投标人应属于 1 类或 2 类供应商，以 GFR 最近修订版中定义的“本地内容”为区分。投标人应在附信中明确说明其属于哪一类。a) 1 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 50%。b) 2 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 20% 且小于 50%。• 报价应仅来自印度原始设备制造商 (OEM) 或其印度授权经销商。• 报价应以 FOR-IISc 班加罗尔为基础，仅以印度卢比为单位。• 提供进口产品的投标人将属于非本地供应商类别。他们不能通过以下方式声称自己是 1 类本地供应商/2 类本地供应商：
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
大气等离子体辅助天然聚合物的沉积和图案化
近年来，能够引导细胞行为和形态的聚合物涂层引起了越来越多的关注。已知涂层特性（包括表面形态、表面结构和化学性质）会显著影响细胞粘附、定向、引导、分化、增殖和基因表达。[1–4] 此类涂层在生物传感器、生物芯片、药物输送装置、假体和植入物中也得到了有效应用。可以使用多种合成和天然来源的生物相容性聚合物。尽管合成聚合物在加工、稳定性和机械性能方面具有优势，但天然聚合物由于其生物活性、生物降解性和生物相容性而在许多应用中更受青睐。 [5– 6 ] 在天然聚合物中，壳聚糖是一种从几丁质中提取的线性多糖，由于其无毒、[7]可生物降解、[8]抗菌活性、[9]生物相容性[10]和免疫活性[11]等显著特性，已广泛应用于生物医学、环境和食品应用。此外，由于壳聚糖的可加工性，它可以设计成各种结构，包括薄膜、[12]膜、[13]微/纳米纤维、[14]绷带、[15]微/纳米颗粒[16]和水凝胶。[17]
沉积盆地水和能量储存 - IIASA PURE
摘要：地下水储存是一种重要的水资源管理解决方案，但被全球多个国家忽视。本文评估了巴纳纳尔沉积盆地的储水潜力，并建议修建运河以减少河流中的沉积物阻塞和有害的洪水事件。这将使水位得到更好的控制。沉积盆地中储存的水可用作气候变化适应措施，以确保在干旱期间洪水平原的水位保持在高位，或在洪水期间保持在低位。此外，洪水平原将充当水库，调节洪水平原下游的河流流量，并增强水力发电。预计水库面积将大大缩小，因为水将以地下水的形式储存在沉积盆地中。结果表明，巴纳纳尔盆地最多可储存 49 立方公里的水，这可以为巴西能源矩阵增加 11.7 TWh 的储能，而资本支出储能成本为 0.095 美元/千瓦时。对于阿拉瓜亚盆地以及世界其他几个盆地来说，这是一个有趣的解决方案。
非法沉积活动 - 能量玻璃非洲PTY ...
有关更多信息，请联系Seamogano Mosanako博士。通信和信息服务主管，电话：mosanakos@bob.bw或电话+267 360 6083或360 6382或+267 360 6315 o R www.bankofbotswana.bw
阴极电弧物理气相沉积 (CAPVD)
CAPVD 的主要优势包括：形成高密度、高附着力的涂层，具有良好的沉积速率和厚度控制（± 5 纳米）。ARCI 的半工业化设备配备 400 毫米长（Ф：110 毫米）圆柱形阴极，与任何其他传统 CAPVD 设备相比，它能够减少液滴形成。要涂覆的目标的最大尺寸可以是：350 毫米长 x 100 毫米宽（Ф）。CAPVD 设备具有独特的优势，可用于开发汽车、航空航天、制造、光学、电子、替代能源等主要领域的薄膜/涂层。
第 04 章 - 沉积控制委员会 - NC DEQ
(1) 阿什维尔地区办事处 2090 US 70 Hwy. Swannanoa, NC 28778-8211 (2) 温斯顿塞勒姆地区办事处 450 W. Hanes Mill Rd., Suite 300 Winston-Salem, NC 27105 (3) 摩尔斯维尔地区办事处 610 E. Center Avenue, Suite 301 Mooresville, NC 28115-2578 (4) 罗利地区办事处 3800 Barrett Drive Raleigh, NC 27609-7222 (5) 费耶特维尔地区办事处 225 Green Street, Suite 714 Fayetteville, NC 28301-5095 (6) 华盛顿地区办事处 1424 Carolina Ave. Washington, NC 27889-3314 (7) 威尔明顿地区办事处 127 Cardinal Dr., Ext.北卡罗来纳州威尔明顿 28405-3845 历史记录：授权 GS 113A-54；143B-298；1976 年 2 月 1 日生效；修订，2012 年 8 月 1 日生效（参见 SL 2012-143，s.1.(f)）；1995 年 10 月 1 日；1992 年 2 月 1 日；1990 年 5 月 1 日；1988 年 12 月 1 日；根据 GS 150B-21.3A，规则是在没有实质性公共利益的情况下必要的，2016 年 2 月 2 日生效；修订， 2020 年 4 月 1 日。15A NCAC 04A .0102 目的 15A NCAC 04A .0103 结构 15A NCAC 04A .0104 授权历史注释：授权 GS 113A-54(b)(d)(3); 113A-56(a)(b); 113A-58(1); 113A-61(d); 143B-298；1976 年 2 月 1 日生效；修订于 1985 年 8 月 1 日生效；1984 年 11 月 1 日；1981 年 6 月 5 日；1979 年 1 月 31 日；废除1988 年 8 月 1 日。15A NCAC 04A .0105 定义除 GS 113A-52 中定义的术语外，本章中还适用以下定义并具有以下含义：
区域选择性沉积：基本原理、应用和未来展望
摘要：本综述概述了区域选择性薄膜沉积 (ASD)，主要关注通过化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 形成的气相薄膜。区域选择性沉积已成功应用于微电子工艺，但迄今为止，大多数方法都依赖于高温反应来实现所需的基板灵敏度。微电子尺寸和性能的不断缩小以及新材料、图案化方法和器件制造方案正在寻求用于电介质、金属和有机薄膜的新型低温 (<400°C) ASD 方法的解决方案。为了概述 ASD 领域，本文严格回顾了 ASD 在微电子和其他领域取得成功所必须克服的关键挑战，包括对当前工艺应用需求的描述。我们概述了 CVD 和 ALD 过程中薄膜成核的基本机制，并总结了目前已知的半导体、金属、电介质和有机材料的 ASD 方法。对于一些关键材料，定量比较了不同反应前体的选择性，从而对有利反应物和反应设计的需求提供了重要见解。我们总结了 ASD 的当前局限性以及使用先进的自下而上的原子级工艺可以实现的未来机遇。