摘要:二维(2D)半导体过渡 - 金属二甲藻元化(TMDC)是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台,从而提出了强烈的需求,以了解其增长,兴奋剂和异质结构。尽管在固体源(SS-)和金属 - 有机化学蒸气沉积(MOCVD)中取得了显着进展,但仍需要进一步优化,以增强高度结晶的2D TMDC,并具有受控的掺杂。在这里,我们报告了一种混合MOCVD生长法,该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送,以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法,我们证明了WS 2的生长,具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态,包括蓝宝石,SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度,低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改,我们证明了V掺杂WS 2,Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法,可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字:金属 - 有机化学蒸气沉积,2D半导体生长,过渡金属二甲构代化,掺杂,合金,WS 2,MOS 2,MOS 2
摘要:VDM合金780是一种新型的基于Ni的超合金,与Inconel 718相比,机械性能较大的机械性能较大,其工作温度较高约50℃。年龄可硬化的尼古拉合金结合了提高的温度强度与氧化耐药性,以及由于γ' - 沉淀而提高的微观结构稳定性。这些优点使其适用于可用于高温应用中的耐磨性和耐腐蚀涂料。但是,VDM合金780尚未足够研究激光金属沉积应用。进行了316升标本上单个轨道的实验设计,以评估过程参数对clad质量的影响。随后,通过破坏性和非破坏性测试方法评估了外壳的质量,以验证VDM Alloy 780对于激光金属沉积应用的适用性。单轨实验为涂料或添加剂制造应用提供了基础。用于传达结果,提出了带有回归线的散点图,这说明了特定能量密度对所得孔隙率,稀释,粉末效率,纵横比,宽度,宽度和高度的影响。最后,在孔隙率方面,包裹的质量通过每个单位长度质量不同的两个过程图可视化。
本期刊文章的自存档后印本版本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 上找到:http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178241 注意:引用本作品时,请引用原始出版物。Pedersen, H., Barry, ST, Sundqvist, J., (2021),绿色 CVD-向化学气相沉积薄膜沉积的可持续理念迈进,真空科学与技术杂志。A. 真空、表面和薄膜,39(5),051001。https://doi.org/10.1116/6.0001125
气溶胶喷射打印 (AJP) 是一种直接写入增材制造技术,已成为制造各种电子设备的高分辨率方法。尽管 AJP 在印刷电子行业中具有优势和关键应用,但 AJP 工艺本质上不稳定、复杂,并且容易出现意外的逐渐漂移,这会对印刷电子设备的形态产生不利影响,从而影响其功能性能。因此,对 AJP 进行现场过程监控和控制是不可避免的需求。在这方面,除了对 AJP 过程进行实验表征外,还需要物理模型来解释 AJP 中潜在的空气动力学现象。这项研究工作的目标是建立一个基于物理的计算平台,用于预测气溶胶流动状态,并最终实现对 AJP 过程的物理驱动控制。为了实现这一目标,我们的目标是提出一个三维 (3D) 可压缩、湍流、多相计算流体动力学 (CFD) 模型,以研究 AJP 过程中 (i) 气溶胶生成、(ii) 气溶胶输送和 (iii) 气溶胶在移动自由表面上沉积背后的空气动力学。沉积头以及气动雾化器的复杂几何形状是在 ANSYS - FLUENT 环境中建模的,基于专利设计以及从 3D X 射线微型计算机断层扫描 (l-CT) 成像获得的精确测量。随后使用光滑和软四边形元素的混合对构建的几何形状的整个体积进行网格划分,同时考虑膨胀层以获得靠近壁面的精确解决方案。采用基于密度和压力的 Navier-Stokes 形成的组合方法来获得稳态解,并将守恒不平衡控制在指定的线性化公差以下(即 10 6 )。使用具有可扩展壁面函数的可实现 k-e 粘性模型对湍流进行建模。此外,还建立了耦合的两相流模型来跟踪大量注入的粒子。CFD 模型的边界条件是根据从 AJP 控制系统记录的实验传感器数据定义的。使用因子实验验证了模型的准确性,该实验包括在聚酰亚胺基底上 AJ 沉积银纳米粒子墨水。本研究的结果为实施物理驱动的 AJP 现场监测和控制铺平了道路。[DOI:10.1115/1.4049958]
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这项工作着重于316升底物上的复合涂层(316升染色的钢)的有向能沉积的热建模。开发的有限元模型预测了沉积过程中包裹中部中间部分的热历史和熔体池维度的演变。nu-merical结果与实验分析(光学和扫描电子显微镜和热电偶记录)相关,以验证模型并讨论可能的固化机制。证明,在边界条件下强制对流的实施非常重要,以确保输入能量和热量损失之间的平衡。最高峰值温度显示了第一层的略有增加趋势,其次是明显的稳定,随着外壳高度的增加。通过边界证明了高热量损失。在文献中,大多数建模研究都集中在单层或几层几何上,但这项工作描述了一个多层模型,能够预测沉积过程中的热领域历史记录并提供有关新物料的一致数据。该模型可以应用于重新校准的其他形状。详细介绍了校准方法以及对输入参数的灵敏度分析。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC下的开放式访问文章(http://creativecommons.org/licenses/4.0/)。
研究DNA寡核苷酸性能和寻找新结构识别方法是现代科学最重要的任务。相信,当人类基因组测序的成本变得足够低以实施广泛实施时,将实施个性化的医学概念[1,2]。在这种情况下,大多数现代遗传数据分析方法基于基因组测序,进而取决于检测每个核苷酸寡核苷酸增加的技术方法[1,2]。但是,应该注意的是,测序是用于寡核苷酸鉴定和分析的多核苷酸技术,而寡核苷酸序列的性能可以整体鉴定[3,4]。为此,我们需要研究寡核苷酸分子的性能,其中可能包括DNA的介电和磁性。在此之前表明,基于实验电导率数据的比较[1],核苷酸组合和寡核苷酸的长度在这些生物分子的介电性能形成中起着基本作用,因此,与1个寡核苷酸 - 1个相关的电势通道的电气序列相关的序列,从而研究了con- sns con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- - 生物分子。寡核苷酸应用于SNS表面,反过来促进了总电容和电感,从而可以依靠伏特 - 安培特征研究中识别和确定其介电常数。这项研究的重点是这个问题 - 它没有声称要进行完整的寡核苷酸测序,但可以提供有关但是,由于电特性与磁性特性相互作用,因此有趣的是,是否可以使用其磁性特性通过非接触式方法研究寡核苷酸。
实施电弧定向能量沉积需要开发新型、工艺适应性强的高性能铝合金。然而,传统的高强度合金难以加工,因为它们容易产生热裂纹。基于 Al-Mg-Zn 的交叉合金结合了良好的可加工性和人工时效后的良好机械性能。在这里,我们提出了一种使用 Ag 微合金化进一步改善 Al-Mg-Zn 交叉合金机械性能的努力。在样品中没有观察到裂纹和少量孔隙。微观结构以细小和球状晶粒为主,晶粒尺寸为 26.6 l m。晶粒结构基本上没有纹理,包含细小的微观偏析区,偏析缝厚度为 3-5 微米。经热处理后,这些微观偏析区溶解,并形成 T 相沉淀物,这通过衍射实验得到澄清。该沉淀反应导致显微硬度为 155 HV0.1,屈服强度分别为 391.3 MPa 和 418.6 MPa,极限拉伸强度分别为 452.7 MPa 和 529.4 MPa,横向和纵向断裂应变分别为 3.4% 和 4.4%。所得结果表明,可以使用新开发的铝交叉合金通过电弧直接能量沉积制造高负荷结构。
摘要:氮化钛(Ti-n)薄膜是电导和导导的,具有高硬度和耐腐蚀性。致密和无缺陷的Ti-N薄膜已被广泛用于切割工具,耐磨性组件,医疗植入装置和微电子的表面修饰。在这项研究中,通过高功率脉冲磁控溅射(HPPM)沉积了Ti-N薄膜,并分析了其血浆特性。通过调节底物偏置电压以及其对微结构,残留应力和薄膜的粘附的影响来改变Ti物种的离子能量。结果表明,在引入氮气后,在Ti靶标表面形成了Ti-N化合物层,从而导致Ti目标放电峰功率增加。此外,Ti物种的总频量减少,Ti离子的比率增加。HPPM沉积的Ti-N薄膜密集且无缺陷。当Ti-ions的能量增加时,Ti-nfim的晶粒尺寸和表面粗糙度减少,残留应力增加,Ti-N Thin Fimflm的粘附强度降低。
由于材料之间的晶格错误匹配,SI底物上窄带III – V材料的大规模整合仍然是一个挑战。[1,2]纳米级开口的外延生长降低了源自III – V/SI界面以传播到活动设备的缺陷的可能性,并证明了表现优势。[3]其他剩余的挑战是模式技术,[4]小型大小,高模式密度和经济高效的处理具有吸引力。高密度模式的一种可能的光刻溶液是块共聚物(BCP)光刻。[5–7]该技术依赖于自组装,这意味着该分辨率不是由clas的局限性设置的,例如辐射波长或接近度效应。[8,9] BCP光刻分辨率极限主要是由其总体聚合度和组成块不信用的程度设定的。[10]该技术是低成本的,允许在高图案密度下转移图案转移 - 至少至12 nm螺距。[11,12]一种特殊的材料,聚(苯乙烯) - 块-poly(4-乙烯基吡啶)(PS-B -P4VP),是所谓的高χBCP,即块之间具有很高的缺失性,这使自组件能够最低10 nm lamelar powd。[13]通过控制聚合物分子量,聚合物块的不混溶,聚合物块的体积分数,底物表面能和表面形象,如果向聚合物链提供足够的迁移率,则可以实现自组装。[14]可以通过添加热量来提供所需的迁移率,[15]通过介入聚合物可溶性蒸气,[16,17]或两者的组合。[18]许多设备应用程序受益于模式对齐,为此,可以使用定向自组装(DSA)来控制模式的定位。[5,6,19–22]然后,通常使用电阻的电子或光子暴露创建引导模式,并且指导是通过改变表面能量或创建不同地形来完成的。[19]