实施电弧定向能量沉积需要开发新型、工艺适应性强的高性能铝合金。然而,传统的高强度合金难以加工,因为它们容易产生热裂纹。基于 Al-Mg-Zn 的交叉合金结合了良好的可加工性和人工时效后的良好机械性能。在这里,我们提出了一种使用 Ag 微合金化进一步改善 Al-Mg-Zn 交叉合金机械性能的努力。在样品中没有观察到裂纹和少量孔隙。微观结构以细小和球状晶粒为主,晶粒尺寸为 26.6 l m。晶粒结构基本上没有纹理,包含细小的微观偏析区,偏析缝厚度为 3-5 微米。经热处理后,这些微观偏析区溶解,并形成 T 相沉淀物,这通过衍射实验得到澄清。该沉淀反应导致显微硬度为 155 HV0.1,屈服强度分别为 391.3 MPa 和 418.6 MPa,极限拉伸强度分别为 452.7 MPa 和 529.4 MPa,横向和纵向断裂应变分别为 3.4% 和 4.4%。所得结果表明,可以使用新开发的铝交叉合金通过电弧直接能量沉积制造高负荷结构。
摘要:VDM合金780是一种新型的基于Ni的超合金,与Inconel 718相比,机械性能较大的机械性能较大,其工作温度较高约50℃。年龄可硬化的尼古拉合金结合了提高的温度强度与氧化耐药性,以及由于γ' - 沉淀而提高的微观结构稳定性。这些优点使其适用于可用于高温应用中的耐磨性和耐腐蚀涂料。但是,VDM合金780尚未足够研究激光金属沉积应用。进行了316升标本上单个轨道的实验设计,以评估过程参数对clad质量的影响。随后,通过破坏性和非破坏性测试方法评估了外壳的质量,以验证VDM Alloy 780对于激光金属沉积应用的适用性。单轨实验为涂料或添加剂制造应用提供了基础。用于传达结果,提出了带有回归线的散点图,这说明了特定能量密度对所得孔隙率,稀释,粉末效率,纵横比,宽度,宽度和高度的影响。最后,在孔隙率方面,包裹的质量通过每个单位长度质量不同的两个过程图可视化。
缩写:AALV3¼解剖自动标签版本3;曲线下的AUC¼区域; Ca¼尾状核; DECT¼双能量CT; GP¼Globuspallidus; HC¼健康对照; MNI¼MONTREAL神经学院; MSV¼磁敏感性值; pd¼帕金森病; pu¼putamen; QSM¼定量敏感性映射; Rn¼红色核; ROC¼接收器操作特征; Sn¼根尼格拉氏病阿金森疾病(PD)是一种神经退行性疾病,会导致多巴胺能神经元的进行性死亡,而在尼格拉乳纹状体系统中具有过多的铁沉积是主要因素。1-3因此,对大脑中铁沉积的评估和监测对于PD患者尤其重要。验尸研究和动物研究都巩固了脑铁的沉积与磁性
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用(例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳)之后,介绍了这些层。分析了工艺参数(例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式)对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数,以实现高沉积速率和低膜应力,这在低沉积温度下是可能的。
缩写:AALV3¼解剖自动标签版本3;曲线下的AUC¼区域; Ca¼尾状核; DECT¼双能量CT; GP¼Globuspallidus; HC¼健康对照; MNI¼MONTREAL神经学院; MSV¼磁敏感性值; pd¼帕金森病; pu¼putamen; QSM¼定量敏感性映射; Rn¼红色核; ROC¼接收器操作特征; Sn¼根尼格拉氏病阿金森疾病(PD)是一种神经退行性疾病,会导致多巴胺能神经元的进行性死亡,而在尼格拉乳纹状体系统中具有过多的铁沉积是主要因素。1-3因此,对大脑中铁沉积的评估和监测对于PD患者尤其重要。验尸研究和动物研究都巩固了脑铁的沉积与磁性
研究DNA寡核苷酸性能和寻找新结构识别方法是现代科学最重要的任务。相信,当人类基因组测序的成本变得足够低以实施广泛实施时,将实施个性化的医学概念[1,2]。在这种情况下,大多数现代遗传数据分析方法基于基因组测序,进而取决于检测每个核苷酸寡核苷酸增加的技术方法[1,2]。但是,应该注意的是,测序是用于寡核苷酸鉴定和分析的多核苷酸技术,而寡核苷酸序列的性能可以整体鉴定[3,4]。为此,我们需要研究寡核苷酸分子的性能,其中可能包括DNA的介电和磁性。在此之前表明,基于实验电导率数据的比较[1],核苷酸组合和寡核苷酸的长度在这些生物分子的介电性能形成中起着基本作用,因此,与1个寡核苷酸 - 1个相关的电势通道的电气序列相关的序列,从而研究了con- sns con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- - 生物分子。寡核苷酸应用于SNS表面,反过来促进了总电容和电感,从而可以依靠伏特 - 安培特征研究中识别和确定其介电常数。这项研究的重点是这个问题 - 它没有声称要进行完整的寡核苷酸测序,但可以提供有关但是,由于电特性与磁性特性相互作用,因此有趣的是,是否可以使用其磁性特性通过非接触式方法研究寡核苷酸。
这项工作是Argonne国家实验室(ANL),劳伦斯·伯克利国家实验室(LBNL),国家可再生能源实验室(NREL),橡树岭国家实验室(ORNL),西北太平洋国家实验室(Oak Ridge National Laboratory),西北国家实验室(PNNL),美国桑迪亚国家实验室的国家实验室(NREL)。 div>uu div>合同号HSFE02-20-IRWA-0011。 div>资金由美国联邦急诊室提供。uu div>在能源部网络的动员办公室技术管理下进行。 div>此处表达的意见不一定代表能源部,FEM或美国政府的意见。uu div>美国政府保留非排他性,有偿,不可撤销和世界许可,以出版或复制这项工作的已发表形式,或者允许其他人出于美国政府的目的。
铝合金在增材制造中的应用因其先进的几何形状和轻量化应用而备受关注。在定向能量沉积中,粉末原料用激光束处理,这提供了很高的工艺灵活性。然而,由于铝合金对氧化和孔隙率的敏感性,粉末原料在储存或回收后老化仍然是一项根本挑战。为了研究这些影响,AlSi10Mg 粉末批次在不同条件下老化,并通过定向能量沉积进行处理。结果表明,粉末老化不会显著改变颗粒尺寸或形态,但它会在粉末中引入更多的氧和氢。颗粒的氧化降低了粉末对激光束的吸收率,增加了熔池的润湿性,从而影响了轨迹几何形状。在从老化粉末中沉积的材料中观察到 3.5 到 4.2 倍的孔隙率,这很可能是由于老化粉末中氢含量增加而导致的氢孔。用老化粉末制造的部件的拉伸性能显示屈服强度降低 19.0%,极限强度降低 14.2%,伸长率提高 99.2%,这很可能是由于微观结构变粗和孔隙率增加造成的。2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体(CMOS)后端(BEOL)兼容设备的兴趣,用于整体3维(3D)集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体,至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积(ALD)氧化二颗粒(在2 O 3中)的性能卓越,例如高驱动电流,高迁移率,陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中,使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT,表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级,可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态(DOS)的高尺寸(DOS),这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力,因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
铝合金在增材制造中的应用因其先进的几何形状和轻量化应用而备受关注。在定向能量沉积中,粉末原料用激光束处理,这提供了很高的工艺灵活性。然而,由于铝合金对氧化和孔隙率的敏感性,粉末原料在储存或回收后老化仍然是一项根本挑战。为了研究这些影响,AlSi10Mg 粉末批次在不同条件下老化,并通过定向能量沉积进行处理。结果表明,粉末老化不会显著改变颗粒尺寸或形态,但它会在粉末中引入更多的氧和氢。颗粒的氧化降低了粉末对激光束的吸收率,增加了熔池的润湿性,从而影响了轨迹几何形状。在从老化粉末中沉积的材料中观察到 3.5 到 4.2 倍的孔隙率,这很可能是由于老化粉末中氢含量增加而导致的氢孔。用老化粉末制造的部件的拉伸性能显示屈服强度降低 19.0%,极限强度降低 14.2%,伸长率提高 99.2%,这很可能是由于微观结构变粗和孔隙率增加造成的。2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。