超快激光脉冲在介电时的贝塞尔束在空间形状上形成,产生了高纵横比等离子体通道,其松弛会导致纳米渠道的形成。我们报告了纳米渠道钻孔效率的强烈增强,并通过双脉冲在10至500 ps之间的延迟隔开。这使直径降低到100 nm的纳米通道形成。实验吸收测量结果表明,钻井效率的增加是由于能量沉积的结果增加所致。纳米通道的形成对应于第二脉冲吸收的急剧变化,证明了第一个脉冲产生的相变发生。这会产生一个高度吸收的长期状态。我们的测量结果表明,它与第一个激光脉冲照明后<10 ps的时间尺度内发生的温暖玻璃的半度性化兼容。
在这里,我们报告了Inn纳米线太阳能电池的第一个实验证明,该电池是通过以1.78 eV的带隙能量溅射来沉积的。通过在N -Inn/ P -SI结构中添加无定形Si(A -SI)缓冲液,我们在保持其材料质量的同时,提高了所得设备的光伏性能。我们首先通过DC溅射在Si(100)上优化了Si的沉积,获得了带隙能量为1.39 eV的无定形材料。然后,我们研究了A-SI缓冲层(0 - 25 nm)对Inn纳米线对Si(100)底物的结构,形态,电气和光学性质的厚度的影响。使用15 nm缓冲液N -Inn/A-Si/P-Si纳米线异质结式太阳能电池表现出令人鼓舞的短路电流密度为17 mA/cm 2,开路电压为0.37 V,填充因子为35.5%,指向2.3%以下2.3%以下(Am 1 Sun)(AM 1.5G)(AM 1.5G)。这些工作降低了距离溅射的A-SI的组合,可以用作潜在的钝化层,而纳米结构的活性层的光捕获增强可提高溅射的III-nitride设备的光伏效率。
Fadeev,A.V.,Myakon'Kikh,A.V.,Rudenko,K.V。 膜在具有高纵横比的3D结构上的原子层沉积的分析模型(2018)技术物理学,63(2),pp。 235-242。 Chesnokov,Y.M.,Miakonkikh,A.V.,Rogozhin,A.E.,Rudenko,K.V.,Vasiliev,A.L。 通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能(2018)材料科学杂志,53(10),pp。 7214-7223。Fadeev,A.V.,Myakon'Kikh,A.V.,Rudenko,K.V。膜在具有高纵横比的3D结构上的原子层沉积的分析模型(2018)技术物理学,63(2),pp。235-242。Chesnokov,Y.M.,Miakonkikh,A.V.,Rogozhin,A.E.,Rudenko,K.V.,Vasiliev,A.L。 通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能(2018)材料科学杂志,53(10),pp。 7214-7223。Chesnokov,Y.M.,Miakonkikh,A.V.,Rogozhin,A.E.,Rudenko,K.V.,Vasiliev,A.L。通过血浆增强原子层沉积沉积的薄hfo2的微结构和电性能(2018)材料科学杂志,53(10),pp。7214-7223。
摘要:本文介绍了采用脉冲反应磁控溅射法制备的氧化锌涂层的微观结构、光学、电学和纳米机械性能的研究结果。在金属、浅介质和深介质溅射模式下沉积了三组 ZnOx 薄膜。结构研究表明,在金属模式下沉积的薄膜为纳米晶,具有金属锌和氧化锌的混合六方相,晶粒尺寸分别为 9.1 和 6.0 nm。相反,在两种介电模式下沉积的涂层均具有纳米晶 ZnO 结构,平均晶粒尺寸小于 10 nm。此外,在介电模式下沉积的涂层在可见光波长范围内的平均透射率为 84%,而在金属模式下沉积的薄膜是不透明的。电性能测量表明,沉积态薄膜的电阻率在 10 − 4 Ω cm 至 10 8 Ω cm 范围内。以金属模式沉积的涂层硬度最低,为 2.2 GPa,耐刮擦性在所有溅射涂层中最低,而以深介电模式溅射的薄膜具有最佳的机械性能。所得硬度为 11.5 GPa,是迄今为止文献中报道的未掺杂 ZnO 的最高硬度之一。
这项工作是Argonne国家实验室(ANL),劳伦斯·伯克利国家实验室(LBNL),国家可再生能源实验室(NREL),橡树岭国家实验室(ORNL),西北太平洋国家实验室(Oak Ridge National Laboratory),西北国家实验室(PNNL),美国桑迪亚国家实验室的国家实验室(NREL)。 div>uu div>合同号HSFE02-20-IRWA-0011。 div>资金由美国联邦急诊室提供。uu div>在能源部网络的动员办公室技术管理下进行。 div>此处表达的意见不一定代表能源部,FEM或美国政府的意见。uu div>美国政府保留非排他性,有偿,不可撤销和世界许可,以出版或复制这项工作的已发表形式,或者允许其他人出于美国政府的目的。
目前的研究旨在通过使用电泳沉积来表征钛底物上羟基磷灰石,锆和氧化石墨烯纳米复合材料。在第一阶段,除了表征创建的复合涂层外,通过使用扫描电子显微镜(SEM)评估了创建涂层的厚度和均匀性。另外,通过元素分析研究了纳米粉末颗粒的分布。在第二阶段,通过使用X射线衍射分析,绘制并研究了涂层中使用的材料的位置。在第三阶段,为了评估在向羟基磷灰石中添加纳米颗粒而导致的涂层腐蚀行为,并将其与非涂层样品进行了比较,对化学偏振形式的电化学分析进行了比较,并与绘制相关图表进行了分析。最后,在第四阶段,进行了涂层上大肠杆菌和葡萄球菌细菌的抗菌测试,并与未涂层的合金样品进行了比较。腐蚀测试结果表明,使用纳米复合涂层会导致表面耐腐蚀性的增加。抗菌测试结果表明,使用纳米复合涂料可有效地降低表面细菌的生长。
摘要:调整二元 Me 氮氧化物 (Me 1 Me 2 ON) 的元素组成和结构的可能性可以为多种应用带来有吸引力的特性。在这项工作中,钽-钛氮氧化物 (TaTiON) 薄膜通过直流反应磁控共溅射沉积,对基片支架施加 -50 V 偏压,基片温度恒定为 100 ◦ C。为了以受控方式增加或减少共溅射膜中的 Ti 和 Ta 含量,Ti 和 Ta 靶电流在 0.00 和 1.00 A 之间变化,步长为 0.25 A,同时保持施加到两个靶上的电流总和为 1.00 A。反应气体流量由具有恒定 N 2 /O 2 比率 (85%/15%) 的氮气和氧气混合物组成,也保持恒定。单金属氮氧化物(TaON 和 TiON)结晶度较低,而所有其他共溅射膜则基本呈非晶态。这两种膜还表现出对金属基材的更高附着力。TaON 膜的硬度值最高(14.8 GPa),TiON 膜的硬度值低得多(8.8 GPa),而共溅射涂层的硬度值介于两者之间。最有趣的发现之一是,当 Ti 浓度超过 Ta 浓度时,O 含量显著增加。这不仅显著影响了膜的光学特性,还影响了其电性能。共溅射膜的薄层电阻率在很大程度上取决于 O/(Ta + Ti) 原子比。
摘要:我们提出了一种自下而上的成功方法,设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方,以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合,已用于优化薄膜的沉积工艺和质量,方法是识别和解决生长挑战,例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比,可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比,我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能,同时防止热诱导偏析。关键词:IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
二氧化硅SIO 2薄膜使用大气压化学蒸气沉积APCVD与四乙基硅酸盐Teos和臭氧O 3作为反应剂气体。这些纤维用作低温多晶型甲甲硅硅LTP薄膜晶体管TFTS的栅极介电。O 3气体而不是氧气O 2气体,因为后者与LTPS TFT的低温处理不兼容。SiO 2在低温下沉积的纤维纤维对栅极绝缘体材料所需的Si – OH含量和电性能低。尽管使用APCVD沉积的低成本SIO 2纤维制造了LTPS TFT,但制造的设备表现出49 cm 2 / v s的效果迁移率和490 mv / dec的subs Thresshord Swist。结果表明,APCVD用TEOS和O 3沉积的SIO 2是一种有前途的材料,用于低成本和高质量的LTPS TFTS。©2009电化学学会。doi:10.1149/1.3267039保留所有权利。
由于其高功率密度、环境友好、卓越的充放电能力、长循环寿命和安全性,纳米材料成为最有希望的储能候选材料之一。[4,5] 将纳米材料加工成具有高电导率和良好机械稳定性的独立薄膜对超级电容器具有重要意义。要为高性能超级电容器选择合适的纳米材料,必须考虑卓越的表面特性、固有的高强度和电导率。[6,7] 在寻找能够提供所有这些特性的替代品的过程中,最近发现的二维材料 MXene 显示出巨大的潜力。MXenes 是二维家族中的一种新型候选材料(MXenes 描述为 M n + 1 X n T x ,其中 M、X 和 T x 通常代表早期过渡金属、C 或 N,以及吸附的表面功能团如 OH、 O 和 F,其中 n = 1、2 或 3)。 [8] 2D 过渡金属碳化物和氮化物 MXene(包括 Ti3C2Tx、Mo2CTx 和 V4C3Tx)具有高金属电导率、优异的循环稳定性和丰富的表面化学基团,是超级电容器的优良电极材料。[9] 通过真空辅助过滤制备 MXene 独立膜是实现这些特性的最佳选择。[10] 例如,卷曲的 Ti3C2Tx 薄膜表现出 150 000 S m−1 的高电导率和重量电容