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使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
一种具有增强驱动能力的新型沟槽型三栅极晶体管
摘要 — 本文介绍了 40 nm 嵌入式非易失性存储器技术中新型高密度三栅极晶体管的设计、实现和特性。深沟槽用于集成与主平面晶体管并联的两个垂直晶体管。由于内置沟槽，所提出的制造工艺增加了晶体管的宽度，而不会影响其占用空间。平面 MOS 结构的电压/电流特性与新型三栅极晶体管的特性进行了比较。新架构提供了改进的驱动能力，导通状态漏极电流是其等效标准 MOS 的两倍，并具有较低的阈值电压，适用于低压应用。最后，在工作电压范围内验证了栅极氧化物和结的可靠性。索引术语 — 多栅极晶体管、MOS 器件、沟槽晶体管、驱动能力、闪存。
30V、-39A、13.7mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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40V、79A、3.1mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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30V、-97A、7.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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美光半导体有限公司制造的沟槽隔离 LGAD 的首次特性分析
a 波兰克拉科夫 AGH 大学。b 西班牙巴塞罗那国立微电子中心 (CNM)。c 苏格兰格拉斯哥大学。d 苏格兰爱丁堡大学。e 美光半导体有限公司，英国兰辛。f 英国曼彻斯特大学。g 苏格兰爱丁堡微电子中心，苏格兰。
30V，-45A，9.3mΩ P 沟道功率沟槽 MOSFET
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60V、47A、8.2mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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60V、58A、8.3mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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科学海洋钻孔发现超深日本沟槽中的动态碳循环
在所谓的超级地震中进行灾难，就像2011年发生在毁灭性的tohoku-oki地震期间。与地震相关的海底变形和摇动可以重新探测大量的沉积物和新鲜的有机碳，随后通过重力流动到哈达尔沟槽盆地的末端水槽中。为了研究巨型地震的长期历史并研究地震在超深水环境中的作用，IODP Expedition 386团队已收集并分析了58个从孔中取出的58个沉积物核心，该孔在500千万千万千千万英寸的500千万英寸井下的15个地点深37.82米处。“这些操作探险成就取得了成功的深度提交采样，在海平面以下7445-8023 m之间的水深下水，在50多年的科学海洋钻井和训练中创下了两个新记录。”“我们已经在8023米的水深下方的最深的水位位置，并从海拔8060.74米处恢复了最深的亚海水平样品”。