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TBSS123 N 沟道增强型 MOSFET
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150V N 沟道沟槽 MOSFET（初步） - NET
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30 ~ 40V 系列N-沟道JSFET 具业界领先水平的RON,sp
30V 器件的低 R DS(ON) 和 Qg 可在各种最终产品中的典型 DC/DC 降压和/或升压转换中实现高功率效率。它们是：PC 和图形主板、计算机外围设备、工业计算、电池供电的电动工具、家庭自动化、消费者生活方式的个人电器、无人驾驶飞行器、电池管理系统 (BMS) 等。低 V GS(th)_Typ @ 1.7V 与典型的基于 MCU 的嵌入式控制器兼容。图 1 和图 2 说明了降压转换和直流电机驱动的典型应用电路。图 3 所示的双 N 配置使 40V 器件（例如 JMSL0406AGD）特别适用于流行的快速充电器中的 V BUS 切换，该充电器具有两个输出端子：一个是 USB Type-C，另一个是 USB Type-A。
30V 1.2mΩ N 沟道功率 MOSFET
注：1. 尺寸和公差符合 ASME Y14.5M, 1994 标准。2. 所有尺寸以毫米为单位（角度以度为单位）。3. 尺寸 D1 和 E1 不包括模具飞边突起或浇口毛刺。
二维晶体沟道MOS晶体管结构的电荷特性
摘要 — 二维 (2D) 半导体晶体可用于进一步提高场效应晶体管的效率和速度。此类晶体管不受传统 MOS 晶体管在尺寸减小时产生的一些不利影响。本研究提出了以二维晶体为沟道的晶体管 MOS 结构模型，并研究了其电荷特性。在 MoSe 2 、WS 2 、WSe 2 、ZrSe 2 、HfSe 2 和 PtTe 2 等代表性二维晶体的电物理特性变化范围内对这些特性进行了数值模拟。发现了结构电物理参数通过化学势的自洽相关性，并证明了场电极电位和栅极绝缘体电容对它们的影响。对该晶体管结构的传输特性陡度与电压增益的计算表明，对于禁带宽度在0.25–2.1 eV范围内的过渡金属二硫属化合物（TMD）沟道，上述参数的幅度分别可达0.1 mA/V和1000。
BL02N06C N 沟道增强型 MOSFET
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基于沟道的FinFET温度特性...
本文介绍了 FinFET 的温度灵敏度以及基于晶体管 Fin 宽度将 FinFET 用作温度纳米传感器的可能性。使用多栅极场效应晶体管 (MuGFET) 仿真工具来检查温度对 FinFET 特性的影响。首先模拟了不同温度和通道 Fin 宽度 (WF = 5、10、20、40 和 80 nm) 下的电流-电压特性，本研究采用了二极管模式连接。在工作电压 V DD 为 0–5 V 时，在最大 ∆I 下，FinFET 具有最佳温度灵敏度。根据结果，温度灵敏度随通道 Fin 宽度 (5-80 nm) 的整个范围线性增加，此外，较低的栅极 Fin 宽度 (WF =5nm) 可以在较低的工作电压 (V DD =1.25 V) 下实现更高的灵敏度。