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World File Search System泊松
利用量子计算机求解栅绝缘子泊松方程的研究
[1] Arute, F.、Arya, K.、Babbush, R. 等人。使用可编程超导处理器实现量子霸权。《自然》574，505–510（2019 年）。https://doi.org/10.1038/s41586-019-1666-5A。[2] Harrow, A. Hassidim 和 S. Lloyd，“线性方程组的量子算法”，《物理评论快报》103，150502（2009 年）。[3] Yudong Cao 等人，“用于求解线性方程组的量子电路设计”，《分子物理学》110.15-16（2012 年），第 1675–1680 页。arXiv：arXiv:1110.2232v2。[4] Solenov, Dmitry 等人。 “量子计算和机器学习在推进临床研究和改变医学实践方面的潜力。”密苏里医学第 115,5 卷 (2018)：463-467。[5] C. Outeiral、M. Strahm、J. Shi、GM Morris、SC Benjamin 和 CM Deane，“量子计算在计算分子生物学中的前景，”WIREs Comput. Mol. Sci.，2020 年 5 月。[6] 王胜斌、王志敏、李文东、范立新、魏志强和顾永健，“量子快速泊松求解器：算法和完整模块化电路设计，”量子信息处理第 19 卷，文章编号：170 (2020)。 [7] H. Abraham 等人，“Qiskit：量子计算的开源框架”，2019 年。 [8] https://quantum-computing.ibm.com/ [9] Sentaurus TM 设备用户指南，Synopsys Inc.，美国加利福尼亚州山景城，2020 年。 [10] https://qiskit.org/textbook/ch-applications/hhl_tutorial.html [11] https://qiskit.org/documentation/stubs/qiskit.quantum_info.state_fidelity
利用维格纳-泊松耦合研究库仑相互作用的计算方法
摘要 纠缠量子粒子是纳米尺度上携带量子信息的一种有吸引力的选择，对其中某个粒子的操作会瞬间影响另一个纠缠粒子的状态。然而，在传统的时间相关量子传输模拟方法中，完整描述纠缠需要大量的计算工作，几乎是无法承受的。考虑到电子，分析其纠缠的一种方法是通过 Wigner 形式对库仑相互作用进行建模。在本文中，我们通过采用合理的近似来降低两个相互作用电子时间演化的计算复杂度。具体而言，我们用局部静电场代替电子-电子相互作用的 Wigner 势，该势是通过势的谱分解引入的。证明了对于电子-电子系统的某些特定配置，引入的近似是可行的。我们还分析了纯度，即量子态的最大相干性，相应的分析表明，引入的局部近似可以很好地解释由库仑相互作用引起的纠缠。
用于防爆导流板的功能梯度 NPR（负泊松比）材料
Krishan Bishnoi Farzad Rostam-Abadi 美国陆军 TARDEC 沃伦，密歇根州 摘要 一种功能分级 NPR（负泊松比）材料概念已被开发用于陆军的一项关键应用——防爆。目标是开发一种综合计算设计方法和创新的结构材料概念，用于防爆导流板，该导流板可以将材料集中到最需要的区域，并利用爆炸能量调整其形状，以提高爆炸缓解和乘员保护。计算设计方法包括最佳导流板形状设计和最佳 NPR 材料分布，以进一步提高防护效果，同时最大限度地降低车辆的 CG 高度和导流板的重量。使用这种新概念制造的结构会对爆炸做出反应，并在爆炸力下重新配置，以提供最大的防爆保护。所介绍的研究工作包括两种基本的导流板设计方法：最佳导流板形状设计和创新导流板中的最佳 NPR 材料配置和分布。引言负泊松比 (NPR) 材料也称为膨胀材料 [1-2]，由于其独特的行为而备受关注。与传统材料不同，NPR 材料沿垂直方向压缩时可能会收缩，这导致材料在压缩载荷下可以自身集中以更好地抵抗载荷的独特特性。当载荷幅度增加时，它也会变得更硬、更坚固。研究发现，NPR 可以改善材料/结构性能，包括增强的耐热/抗冲击性、断裂韧性、抗压痕性和剪切模量等 [1-3]。人们研究了一系列人造 NPR 材料/结构，例如键合砖结构、典型的多孔材料（蜂窝和泡沫）、微孔聚合物和分子 NPR 材料，其中一些已经成功制造 [4-7]。作者开发了一种三维版本的 NPR 材料 [8]，具有多种应用潜力，包括图 1 所示的防爆结构。
杨氏模量、泊松比的测量，以及……
多晶硅拉伸试样在北卡罗来纳州微电子中心 (MCNC) 制造，并在约翰霍普金斯大学应用物理实验室进行测试准备。MCNC 的 DARPA 支持的多用户 MEMS 工艺 (MUMP) 是制造表面微机械设备常用的典型工艺。两层多晶硅用于形成 MEMS 设备的结构元件。多晶硅层由磷硅酸盐玻璃 (PSG) 牺牲层隔开，并通过一层氮化硅与支撑硅基板隔离。最后的金属层定义了设备的电触点。当设备制造完成后，PSG 层会溶解在蚀刻溶液中以释放机械结构。