本论文将提供数据,表明环烯烃共聚物泡罩膜可用作聚氯乙烯薄膜的有益替代品,而聚氯乙烯薄膜目前在医药市场上更为常用。由于潜在的环境问题,聚氯乙烯仍然是一种备受争议的包装材料。与聚氯乙烯薄膜相比,环烯烃共聚物的特性可减少环境问题,并且还可以提供更好的防潮阻隔效果。本文总结了聚氯乙烯环境争论双方的数据。它还记录了环烯烃共聚物的机械性能、小规模和大规模制造数据以及潜在的未来发展,这些发展将改善环烯烃共聚物的许多新薄膜制造机会并降低制造成本。到目前为止,很少有公开信息可以记录有关
使用 EUV 光刻技术不断缩小尺寸的需求为图案化材料和工艺带来了挑战和机遇。缩小 BEOL 互连结构是提高功能设备性能的关键要素。在本文中,我们研究了各种因素对 EUV 单次曝光通孔图案化的影响,以找到缩小临界尺寸 (CD) 的有效策略,从而提高临界尺寸均匀性 (CDU) 和局部临界尺寸均匀性 (LCDU) 并降低缺陷率。这项工作基于在最小水平互连线间距为 28nm 时图案化片上系统 (SoC) 随机逻辑通孔层,这是使用 0.33 NA EUV 工具进行单次曝光互连的极限。该设计使用激进的 3/2 CPP/Mx 齿轮比,相当于 38nm 到 34nm 间距的正交通孔阵列,从而检查主要图案化参数和照明源与矩形通孔的 OPC 处理共同优化的影响。将通孔图案转移到底部电介质,以研究 LCDU 的演变和蚀刻过程中的缺陷率。
在半导体器件制造过程中,EUV 光刻技术必不可少,而光化学 EUV 掩模计量技术必不可少。在 PSI,我们正在开发 RESCAN,这是一种基于相干衍射成像 (CDI) 的平台,可以满足当前和未来的掩模检查分辨率要求。在 CDI 中,用相干光照射样品获得的衍射图案由像素检测器记录,这些衍射图案用于通过迭代相位检索算法重建物体的复振幅图像。虽然在传统光学系统中,像差会影响最终图像的分辨率,但 CDI 方法本质上是无像差的。尽管如此,仍需要仔细预处理衍射信号以避免重建图像中出现伪影。特别是,由于我们的系统以 6° 的入射角在反射模式下工作并使用平面检测器,因此有必要校正由于非远心性而导致圆锥失真的记录衍射图案。本文讨论了衍射数据预处理对重建图像质量的影响,并通过在 RESCAN 显微镜中应用优化的数据预处理流程展示了缺陷灵敏度的提高。结果,我们在光掩模上实现了低至 20 nm 的缺陷灵敏度,并在大视场中实现了均匀的图像质量。
人们正在考虑在下一代光刻节点中使用 Ta 基吸收体的替代品,以减少 3D 掩模效应并通过相位干涉改善图像调制。低复折射率 (n-ik) 材料可以在比传统吸收体所需厚度更薄的情况下提供相移行为,本质上充当衰减相移掩模 (attPSM) 膜。确定 attPSM 吸收体厚度和随之而来的相位需要确定最佳相移掩模反射率。使用高反射率吸收体进行成像可显示出更好的成像性能。吸收体厚度是在干涉效应导致高吸收体反射率的地方确定的。因此,低折射率 (n) 材料是理想的 attPSM 吸收体候选材料。使用维纳边界和有效介质近似 (EMA) 建模确定的低 - n 材料组合使用吸收体反射率在线空间和接触孔图案针对 NILS 和 MEEF 进行优化。使用反射近场强度成像将接触孔最佳厚度的吸收体候选物与传统的 Ta 基吸收体进行了比较。