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高功率微波源及应用
尽管固态器件不断带来挑战，但微波管在高功率、高频领域仍处于领先地位，这是因为微波管在热管理、可靠性、寿命和成本方面具有固有能力（如果以相同的功率水平估计）、应用频率范围内的效率以及 EMI 和 EMC 考虑因素也是如此。微波管的应用范围很广，例如通信、雷达、电子战、使用高功率微波 (HPM) 的定向能武器 (DEW)、工业烤箱、烹饪、材料烧结、高温、用于能源研究的等离子加热、大气科学、卫星通信等 [1]-[4]。现在，利用微波管产生的中高功率毫米波，可以构建具有更均匀微观结构的细晶粒陶瓷，从而开发更坚固、更不易碎的陶瓷和新型陶瓷复合材料，利用材料吸收率随频率增加的特性，可以实现体积加热和选择性加热，从而实现更快更好的陶瓷烧结[5]。
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读取单光子的量子信息通常是通过量子断层扫描或直接（弱）测量方法来实现的。然而，由于严格的时间模式匹配要求，这些方法在表征超快光源的单个光子方面表征单个光子时面临巨大的挑战。在这里，我们使用自我引用干涉仪从连续波源和飞秒光源中从连续波源和飞秒光源中检索了无法区分的单个光子的空间波函数。我们的方法仅需要九个合奏平均测量。该技术简化了单光子波函数的测量过程，并自动模式与每个自身纠正单个光子匹配，从而可以从超快光源中测量单个光子的空间波函数。
使用GISS E2.2模型探索QBO周期的ENSO调制
摘要。观察性研究表明，厄尔尼诺 - 南方振荡（ENSO）对准生物振荡（QBO）发挥了影响。QBO的向下传播分别在厄尔尼诺和拉尼娜期间倾向于加速和减速。一般循环模型的最新结果表明，QBO的ENSO调制需要相对较高的水平分辨率，并且它在具有参数化但时间恒定的重力波源的气候模型中不会显示。在这里，我们证明了NASA戈达德太空研究研究所（GISS）E2.2模型可以捕获观察到的QBO周期的ENSO模型，并以2°纬度的水平分辨率乘以2.5◦经度，但其重力波源被参与参数化。这是因为Elniño事件导致更剧烈的重力波源在赤道带上产生更绝对的动量流动，并且通过弱化的Walker Crockulation的弱化，这些波的过滤到热带下层平流层中。ENSO系统的各种组成部分，例如海面温度，对流活动和助行器循环，与参数化重力波的产生和传播密切相关，通过该引力波的产生和传播，ENSO通过该QBO在GISS E2.2模型中调节QBO时期。
引气泄漏 - 空中客车飞机
泄漏检测摄像机 (P/N 99V36009001000) 可在安全环境中快速检测泄漏；机械师无需直接接触排气管道，排气管道在 ENG 或 APU 加压时会变热。它可以检测到任何空气泄漏，无论是否变热，其可靠性都比现有技术更高。它能够定位超声波源，这是空气泄漏的典型迹象。
![arXiv:2003.11969v1 [physics.app-ph] 2020 年 3 月 26 日](/simg/g:\will\search\icon\source\5\52e5e57f172b875ee6633e3c7c4cd1bd03462bfd.webp)
arXiv:2003.11969v1 [physics.app-ph] 2020 年 3 月 26 日
我们研究了超音速（> 1 GHz）声子波包对半导体超晶格中电子传输的影响。我们的量子力学模拟表明，通过超晶格传播的 GHz 皮秒变形应变脉冲序列可以产生频率比应变脉冲序列高几倍的电流振荡。计算出的电流脉冲的形状和极性与实验测量的电信号非常吻合。计算还解释并准确地再现了感应电流脉冲幅度随应变脉冲幅度和施加的偏置电压的变化。我们的研究结果为开发声驱动的半导体超晶格作为毫米和亚毫米电磁波源开辟了一条道路。
研究文章遥远的屏幕幕后作用（长距离传播，X射线产生，LENR刺激）
构成了一代的物理机制，传播的特征和可能使用未阻尼的温度波的使用。这些波的产生过程与局部松弛热力转移过程的可逆性有关。在实验过程中，结果表明，这种波只能在某些频率下存在，而在放松时间上延长。已经研究了使用这些波在很长远处使用这些波的能量传递的可能性。可以证明，使用这些波X射线产生是可能的，并且在较厚的金属屏幕后面的TID目标中有效刺激了远离波源的核融合。也被认为是实现与这些温度波作用下相互作用颗粒相一相关状态相关的LENR反应的可能物理机制。
基于连续分式余弦变换的自适应语言合成模型
现代语音信号识别系统集成了信号处理、模式识别、自然语言和语言学等现代科学领域的技术。这些系统在信号处理中得到了广泛的应用，推动了数字信号处理 (DSP) 的真正繁荣。以前，该领域以面向矢量的处理器和代数数学仪器为主，而当前一代 DSP 依赖于复杂的统计模型并使用复杂的软件进行实际实现。现代语音信号识别模型能够理解操作环境中由数十万个单词组成的词典的连续输入语言。语音信号的线性预测分析历来是语音分析技术中最重要的。其基础是滤波源模型，它是一种理想的线性滤波器。
基于宽带隙光电导半导体的参数可调高功率光子微波产生新进展
利用宽带隙SiC光电导半导体制备的射频/微波定向能量源由于其高功率输出和多参数可调的独特优势而受到广泛关注。过去几年中，受益于激光技术的持续创新和材料技术的重大进步，利用光电导半导体器件已经在P和L微波波段实现了兆瓦级输出功率、频率灵活的电脉冲。本文主要总结和评述了近年来基于SiC光电导半导体器件在线性调制模式下产生高功率光子微波的最新进展，包括所提出的高功率光子微波源的机理、系统架构、关键技术和实验演示，并讨论了未来利用宽带隙光电导体进行更高功率光子微波多通道功率合成发展的前景与挑战。