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World File Search System流动效应
重离子碰撞中的流平面去相关性......
不同（伪）快度（η）下局部流平面之间的方位角关联可以揭示重离子碰撞中初始核物质密度分布的重要细节。对因子分解比（r2）及其导数（F2）的大量实验测量表明存在纵向流平面去相关。然而，非流动效应也会影响该观测量并阻碍对该现象的定量理解。在本文中，为了区分去相关和非流动效应，我们提出了一个新的累积量可观测量T2，它在很大程度上抑制了非流动。用一个简单的蒙特卡洛模型测试了该技术对不同初态场景和非流动效应的敏感性，最后将该方法应用于多相传输模型（AMPT）模拟的√Au+Au 碰撞事件
伊万·蒙日·康塞普西翁 (EIT)
Monge-Concepcion, I. 、Siroka, S.、Berdanier, R.、Barringer, M.、Thole, K. 和 Robak, C.，“非稳定涡轮边缘密封和叶片后缘流动效应”，ASME Turbo Expo 2021 论文集：涡轮机械技术会议和博览会，美国宾夕法尼亚州匹兹堡，GT2021-59273，2021 年。（已接受）。 Siroka, S.、Monge-Concepcion, I.、Berdanier, R.、Barringer, M.、Thole, K.、Robak, C.，“在叶片后缘流存在下将腔体密封效果与时间分辨的边缘密封事件关联起来”，ASME Turbo Expo 2021 论文集：涡轮机械技术会议和博览会，美国宾夕法尼亚州匹兹堡，GT2021-59285，2021 年。（已接受）。Monge-Concepcion, I.、Berdanier, R.、Barringer, M.、Thole, K.、Robak, C.，“评估叶片后缘流对涡轮边缘密封的影响”，ASME。涡轮机械杂志。2020；142(8)：081001-081001-12。 doi:10.1115/1.4047611 Berdanier, R.、Monge-Concepcion, I.、Knisely, B.、Barringer, M.、Thole, K. 和 Robak, C.，“不同叶片跨度下定子-转子腔内的密封效果缩放”，ASME。《涡轮机械杂志》。2019 年；141(5): 051007-051007-10。doi:10.115/1.4042423
学生 - 住宿委员会 -
临时论文还对学生的福祉和安全发表了评论，理由是新西兰作为与牧师护理有关的实践守则的案例研究，并建议“考虑开发国家学生宪章，以确保对所有学生的福利，安全和福祉保持持续的国家方法。”我们同意IAEE的评论，即澳大利亚已经拥有涵盖相同领域的全球监管和立法框架，以及对提供者进行定期审核的遵守，并通过引入新代码添加了另一层。此外，PBSA提供者通过牧师护理服务优先考虑学生的健康，并通过辅导服务和职业活动提供学术和职业支持。PBSA运营商努力确保其建筑物和运营符合学生居民的高期望，旨在为学生提供优质的住宿。在上个月由我们最大的成员之一发布的一份报告中 - 这一年级和Scape的2023年Z福利指数发现，学生健康的整体健康状况更加积极，尤其是在进入专门的学生住宿时。居住在Scape PBSA中的学生中有71％指出，与努力结交朋友的澳大利亚普通学生中有41％的人相比，他们很容易成为他们的友谊和新朋友。示意居民报告的孤独感的机会（30％）比普通的澳大利亚学生少。从邻里活动和网络机会到成人课程以及安全和保障应用程序，对生活在专门建造的住宿中的学生的最大差异之一是，他们通过独立性获得满足感，重要的是，结交朋友更容易。数据表明的是，这具有积极的流动效应，并改善了那些由学生指导的计划和支持服务的学生的整体健康状况。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。