我们通过实验研究了平面二维阵列鼓面模式的电磁感应透明冷却,其中 Penning 阱中存储了多达 N ≈ 190 Be + 离子。对于所有 N 个鼓面模式都观察到了显著的亚多普勒冷却。对质心模式的定量测量表明接近基态冷却,运动量子数为 ¯ n ¼ 0 。3 � 0 。2 在 200 μ s 内获得。 测得的冷却速度比单粒子理论预测的要快,与量子多体计算一致。对于较低频率的鼓面模式,定量温度测量受到频率不稳定性的限制,但强烈建议全带宽接近基态冷却。这项进展将极大地提高大型捕获离子晶体在量子信息和计量应用中的性能。
几项研究探讨了磁共振成像与LGG的恶性进展之间的关系,发现在纵向灌注加权磁共振成像下测得的相对脑血容量的变化可以预测LGG的恶性转化(11,12)。完全手术切除是当前可行的LGG的主要治疗方法(9)。尽管如此,侵入性生长和涉及LGG区域的特征使得在某些LGG患者中很难完全切除手术(13,14)。由于LGG的异质性和脑血屏障的存在,诸如化学疗法和免疫疗法之类的疗法并不令人满意(15,16)。因此,寻找新的生物标志物并制定治疗LGG的新治疗策略至关重要(17,18)。
图2。正面衍生的P(DCPD)热固体的热化学和肿胀特性。误差线是根据一式三份实验的标准偏差确定的。(a)ch 2 cl 2中P(DCPD)的肿胀比(SR%)作为EXO -DCPD含量的函数。(b)P(DCPD)的玻璃过渡温度(T g)作为函数exo -DCPD含量,如DSC所测量。t g表现出对组成的线性依赖性。(c)代表性的DMA曲线显示了在1 Hz和0.3%菌株下测得的精选组合物(10、50和90 mol%exo -exo -dcpd)的储存模量(E')和tan(δ)。棕褐色(δ)中的峰值最大值对应于t g。
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摘要 我们开发了一种带有粒子运动分析的油循环率 (OCR) 模拟技术,可以定量评估涡旋压缩机中形状和结构的影响。显然,粒子运动分析有利于分析油雾行为。分析包括三个模拟。这些模拟有三个不同的喷射器,它们定义了粒子的起始位置。第一个在固定涡旋的排出口,另一个在涡旋压缩机底部的油池上。最后一个喷射器在电机顶部,这三个模拟计算从压缩机排放到循环单元的颗粒数量。阐明了涡旋压缩机内部油雾行为的机制,并且这些模拟使得在各种模型的情况下,大多数计算结果都在测得的 OCR 的 ± 1wt% 以内。
电磁频率扫描方法(EOF)在微波网络分析仪(MNA)的帮助下广泛使用,以将光学转换为电测量[1,2]。在晶状体级别的情况下,光电收集器芯片被视为层叠的电气 - 光电极(E-O-E)链路,该链接包含包括强度调制器(IM)芯片和光电二极管(PD)芯片(PD)芯片的chip,并通过散射参数在参考平面上表征的M1-D2-2-D2-2均匀表征。附录A中显示了详细的传输和散射矩阵。由于测得的结果由IM和PD构成贡献,因此必须通过将整数收发器分解为离散的IM或PD芯片,以与O-E或E-O-O-O-O-O TransDucer Standards相结合,以使IM或PD的个体响应进行隔离。
就太阳辐射而言,有大量的太阳辐射数据,这些数据是在短时间间隔内测得的,需要对这些数据进行数学转换和处理,才能找到任何给定时刻到达地球表面的太阳辐射。有各种各样的方法,但最智能、最灵活的方法是从头开始创建一个系统,利用这些数据最大限度地提高太阳能装置的生产率。这正是可以从人工智能应用中受益的程序。如果编程来分析气象数据并做出正确的决定来应对太阳辐射的波动,它可以提高太阳能项目的效率和盈利能力。现有的方法可能会提供可接受的投资回报或有用的产量指标,但在太阳能这样一个新领域,往往没有可靠的市场数据可供比较。
5. 假设一个项目(未显示)使用两个串联的锂电池。我们希望在电池放电时分别监测它们的电压。Arduino 是低成本的微处理器板,深受业余爱好者和 DIY 社区的欢迎。Arduino 具有模拟连接,即可用于测量电压的“引脚”(使用 Arduino 内的模拟数字转换器)。似乎我们可以通过将较低极性连接到接地引脚并将较高极性连接到模拟引脚来监测电池。事实上,对于单个电池,在此引脚处测得的电压正是我们想要的。但是,假设我们将这些串联电池中每个电池的正极连接到两个单独的模拟引脚,并将每个电池的负极连接到地,如下图所示。
摘要 介绍了一种线性电子可调正弦振荡器 (LETSO),它使用电流反馈放大器 (CFA) 和三个接地电容器以及一对匹配的模拟乘法器作为复合有源构建块 (ABB)。该设计产生高 Q 滤波器响应;从而使用短路固有频率 (SCNF) 的概念在 Q~∞ 处实现持续的线性振荡响应。振荡频率 (fo) 可通过乘法器控制电压 (V) 线性调谐。CFA 端口滚降参数和寄生电容的影响可以忽略不计。LETSO 响应范围高达 fo ~ 12MHz,测得的 THD ~ 2% 和线性误差 (∆~ 3.6%) 已通过实验验证。关键词:CFA、SCNF、可变 Q 滤波器、线性 VCO、相位噪声。分类:集成电路
图2:(a)SI基板上GESN MQW VCSE结构和GESN MQW的室温PL光谱。插图显示了参考GESN/GE MQW(S1)的峰值拟合。(b)从GESN/GE MQW VCSE结构和参考GESN/GE MQW的测得的室温PL光谱中提取的PL增强因子。测量的GESN/GE MQW VCSE结构的反射率谱。(c)GESN/GE MQW VCSE结构的模拟PL增强因子和反射率光谱。(d)GESN/GE MQW VCSE结构中的分布分布折射率和电场幅度,显示了光场和活动MQW区域之间的重叠。