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World File Search System测量板
评估超低压放大器 ASIC 的测量方法
摘要：本文介绍了为对全差分放大器（FDDA）原型芯片样品进行实验评估而开发的测量电路和测试板。被测设备（DUT）是采用130nm CMOS技术设计和制造的超低压、高性能集成FDDA。FDDA的电源电压为400mV。在带有制造的FDDA芯片的测试板上实现了测量电路，以评估其主要参数和特性。在本文中，我们重点评估以下参数：输入失调电压、共模抑制比和电源抑制比。开发并验证了测试板。测得的测试板误差为38.73mV。FDDA的失调电压为-0.66mV。测得的FDDA增益和增益带宽分别为48dB和550kHz。除了测量板外，还开发了一个图形用户界面，以简化测量期间对被测设备的控制。
高压直流电网模块化多电平换流器的状态和健康监测
本论文讨论的另一个重要主题是 IGBT 模块的状态监测。为此，开发了一个功率循环测试台。选择 𝑉 𝐶𝐸(𝑜𝑛) 作为跟踪功率器件在整个循环测试过程中退化状态演变的参数。因此，构思并开发了一个在线 𝑉 𝐶𝐸(𝑜𝑛) 测量板。为了获得有关所应用循环协议的更多相关见解，开发了一种在线估计 IGBT 器件结温的策略，该策略基于卡尔曼滤波器的使用。该策略还能够通过分析热敏电参数来估计 IGBT 健康状态的退化程度。
06 原子层沉积氮化铌薄膜性能异质性研究
研究了在100 mm硅基底上采用等离子体增强原子层沉积技术制备氮化铌薄膜，并研究了薄膜性质的异质性。直径为92mm时表面电阻分布的不均匀性为7%。使用X射线反射法测量板的中心部分和距离中心40毫米的四个位置的膜厚度分布的不均匀性为4％。在基板上的相同位置进行的 X 射线衍射没有显示反射有任何可见的变化。不同区域的晶格参数差异仅为0.06%。超导测量表明，在直径为80毫米时，超导转变温度的最大偏差为1.6%，临界电流密度的最大偏差为7%。
模棱两可的联系：丰塞卡·卡多佐和起源......
请注意，我的好医生，我目前有一个刚从巴黎运来的 Collin 之家的人体测量盒。这个盒子里有进行人体测量所需的所有仪器。里面有：厚度卡尺、滑动卡尺、人体测量板、人体测量幻灯片、头颅测量方尺、卷尺、两支彩色铅笔等。盒子舒适小巧；仪器可以拆开放进盒子里，旅行时随身携带。一切都做工精良，非常合适。正如您所见，我对这个人体测量盒很满意，明年我打算开始为米尼奥维亚纳区 800 名即将参加征兵检查的男性测量。我还打算测量一些女性，考虑到我们人民的可疑性格，这应该有点困难。我们拭目以待。[ 35 ]
评论 - 国家物理实验室
测量纳米级表面力的难点在于，要知道悬臂尖端在给定偏转下对样品的压力有多大。这需要知道悬臂的弹簧常数——它在力的作用下弯曲的程度。NPL 的解决方案是使用参考弹簧，可以将 AFM 的悬臂与它进行比较。直径为十分之一毫米的电容器具有下部固定板和上部板，上部板的作用类似于承载小重量的小弹簧。施加到其中一个板上的电流会导致这对板相对于固定板上下移动。通过测量板之间的泄漏电流并使用光学干涉仪监测位移，可以计算出弹簧常数，而无需了解电容器几何形状的细节。这将使 NPL 能够开发一项新服务，在泰丁顿提供光学校准，并使该技术在场外可用于校准 AFM 悬臂。
文章结构，氮化钛电极的氧气含量和电性能X /LA：HFO 2 /TIN X堆叠在Sio 2 /si 2 /si < /div>
TRON能量损失光谱被彻底考虑。研究表明，在底部电极中的氧气浓度较高（约14.2±0.1 at。％）与顶部电极相比（约11.4±0.5 at。％）。以下平均化学计量公式为锡0。52 o 0。20上衣和锡0。54 O 0。 26底部和底部电极的底部。 由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。 这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。 我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。 EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。 测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。54 O 0。26底部和底部电极的底部。由于血浆中的氧杂质与SIO 2和HFO 2的扩散相比，血浆中的氧气量不足。这种不对称性，以及在Si底物上生长的样品的结果表明，与从SIO 2底物和PEALD生长过程中从SIO 2底物和HFO 2介电介质的扩散相比，与血浆本身的氧杂质相比是一个较小的部分。我们观察到HF氧化物层和Ti nitride Electrodes以及SIO 2界面之间的界面上的TIO 2存在。EELS分析导致底部锡X O Y的带隙范围为2.2至2.5 eV，而顶部锡X O Y的带隙范围为1.7-2.2 eV，使用光吸收光谱与顶部Tin X电极（1.6±01 eV）上的结果公平吻合。测量板电阻，电阻率和温度系数通过在20到100°C的顶部锡x o y电极上的四点探头的电阻系数对应于半导体的典型值。
Application-Note-Quant500-Xl-across-MS-platforms。 ...
该套件由两个已集成的内部标准的专利96孔滤清器组成，系统适用性测试样品，冻干校准标准和质量控制（QCS），这些（QCS）是根据协议重构的。实验样品，由11个人血浆样本（5名女性，6名男性，17-65岁，没有医学诊断），NIST SRM 1950和30个人类受试者的粪便池组成，并在WebIDQ中注册，并与校准和QC样品一起排列，并在96 Well板块上进行了排列。除校准标准以外的所有样品以三个重复测量。工作列表直接导出到质谱仪软件，并打印了用于套件准备的布局。粪便样品是根据生物陈列物方案制备的，用于使用先例均质剂和异丙醇作为提取溶剂来分析粪便。根据用户手册制备了在两个套件板中的每个孔中的10μl样品，然后进行衍生化，提取，最后稀释到三个单独的测量板中：一个用于LC-MS/MS：FIA-MS/MS（量子500和XL零件）。