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World File Search System浮栅管
有机薄膜晶体管的阈值电压控制的三端浮栅
摘要 - 浮动门（FG）细胞作为控制在thranddiode配置中操作的有机薄膜晶体管（TFTS）的电路级别方法。充电和排放。使用不超过4 V的编程电压，实现了阈值电压的系统调整到-0.5和2.6 V之间的值。该概念的多功能性是通过使用有机-TFT的FG细胞作为被动式直流体中可编程阈值溶剂的转置和二极管载荷式逆变器，并在透明，透明的透明塑料底物上制造的。直接菌显示出频率响应，改善3-DB点和涟漪降低。具有可编程FG-TransDiode负载的逆变器比传统的二极管逆变器具有更大的小信号增益，更大的输出 - 电压摆动和更大的噪声余量。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
富士通 MBM2732A.pdf
采用单晶体管堆叠栅极单元结构，通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成（见图 1）。顶栅连接到行解码器，而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化（参见图 2）。在初始状态下，单元具有低阈值（VTH1），这将使晶体管在选择单元时（通过顶部选择栅）导通。编程将阈值移至更高水平（VTHO），从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值（VTHS）下的状态来确定单元的状态（即是否已编程），如图 2 中的虚线所示。
柱栅阵列 (CGA) 与球栅阵列 (BGA)
摘要 考虑进行板级跌落试验，目的是开发一个具有物理意义的分析预测模型，用于评估焊料材料中预期的冲击引起的动态应力。讨论了球栅阵列 (BGA) 和列栅阵列 (CGA) 设计。直观地感觉，虽然应用 CGA 技术缓解焊料材料的热应力可能非常有效（因为 CGA 与 BGA 相比具有更大的界面柔顺性），但当 PCB/封装经历动态负载时，情况可能会大不相同。这是因为 CGA 接头的质量大大超过 BGA 互连的质量，并且在 CGA 设计的情况下，相应的惯性力可能大得多。针对相当随意但又现实的输入数据进行的数值示例表明，CGA 设计的焊料材料中的动态应力甚至高于 BGA 互连中的应力。这尤其意味着，应彻底选择板级测试中具有物理意义的跌落高度，并且对于 BGA 和 CGA 设计，该高度应该有所不同。
低压低功耗高增益运算放大器的设计...
摘要 本文介绍了一种高增益运算跨导放大器结构。为了实现具有改进的频率响应的低压操作，在输入端使用体驱动准浮栅 MOSFET。此外，为了实现高增益，在输出端使用改进的自共源共栅结构。与传统的自共源共栅相比，所用的改进的自共源共栅结构提供了更高的跨导，这有助于显著提高放大器的增益。改进是通过使用准浮栅晶体管实现的，这有助于缩放阈值，从而增加线性模式晶体管的漏极-源极电压，从而使其变为饱和状态。这种模式变化提高了自共源共栅 MOSFET 的有效跨导。与传统放大器相比，所提出的运算跨导放大器的直流增益提高了 30dB，单位增益带宽也增加了 6 倍。用于放大器设计的 MOS 模型采用 0.18µm CMOS 技术，电源为 0.5V。
特刊 - 水的浮湿地...
建造的浮湿地（CFW）是雨水和废水处理的相对较新的创新。cfws由一个浮力植物种植的浮力结构组成，该结构直接生长在水柱中，类似于水培系统。大的根网络为微生物（生物膜）生长提供了栖息地，这些生物有助于污染物去除并捕获水源中的悬浮颗粒。生物膜还使污染物可用于吸附，吸收并掺入植物组织中。这个特殊版本的标题为“用于水处理的浮湿地”旨在强调使用CFWS改善城市雨水质量和废水处理的最新进展。This can include a broad range of topics, including reporting on new CFW lab and field studies, innovative CFW design, CFW habitat and amenity studies, CFW sustainability studies, CFWs and water management practices and policies, [...] For further reading, please follow the link to the Special Issue Website at: https://www.mdpi.com/journal/water/special_issues/95 V1FUT90J
电可擦除EEPROM存储单元的结构设计
EEPROM是一种电可擦写可编程存储器，技术成熟稳定，成本低廉，是日常生活中电子产品应用中的主流，人们使用它的场合非常多，在个人身份证、银行卡、医保卡、交通卡等与个人财产密切相关的智能卡领域，以及在通讯系统和PDA、数码相机等消费电子产品领域，都使用到EEPROM。在仪器仪表和其他嵌入式系统中，如智能流量计，通常需要保存设置参数、现场数据等信息，这就要求系统掉电时不丢失，以便下次能恢复原来设置的数据，因此需要一定容量的EEPROM。通过存储单元的浮栅管上电子的存储或释放，读出浮栅管时，存储器呈现导通或截止状态，因此会判断其逻辑值为“0”或“1”。逻辑“0”或“1”的定义根据产品的逻辑设计而有所不同。本工作设计了一个由两个晶体管组成的存储单元，NMOS管作为选择管，由字线控制，可以承受一部分高压，降低浮栅晶体管超薄氧化层被击穿的概率。本文设计的EEPROM器件模型作为存储管，可以很好地通过隧道氧化层来存储数据，实现更好的存储功能、更高的工作效率和更低的功耗。
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846