XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System浮潜点
绘制印度人工智能潜力图
创新。尽管印度拥有的人工智能专利数量与其人工智能研究产出相比非常少，但印度仍位列人工智能专利产量前十大国家之列，自 2012 年以来，受人工智能相关发明快速增长的推动，印度的人工智能专利申请量呈高速增长。印度人工智能专利的四大类别是个人设备和计算、商业、电信和生命科学，这四大类别占印度人工智能专利总数的 70% 以上，表明印度创新者专注于将人工智能应用于传统优势领域。过去二十年，印度在人工智能专利方面取得了长足进步，其专利制度不断更新，企业开始看到使用专利保护其创新成果的好处。话虽如此，印度仍需很长的路要走才能赶上中国和美国，这两个国家目前是人工智能专利的主要来源。
生成AI的潜在用例
ltimindtree是一家全球技术咨询和数字解决方案公司，它使各个行业的企业能够通过利用数字技术来重新构想业务模型，加速创新并最大化增长。作为700多个客户的数字化转型合作伙伴，Ltimindtree带来了广泛的领域和技术专业知识，以帮助促进融合世界中的卓越竞争差异化，客户体验和业务成果。由30多个国家 /地区的82,000多名才华横溢和企业家专业人士提供支持，Ltimindtree（一家Larsen＆Toubro集团公司）结合了以前的Larsen和Toubro Infotech和Mindree的行业概况优势，以解决最复杂的业务挑战和交付规模最高的商业挑战和交付。有关更多信息，请访问https://www.ltimindtree.com/。
有条件生成分子的潜扩散
设计小分子治疗是一个具有挑战性的多参数优化问题。必须共同优化效力，选择性，生物利用度和安全性，以提供有效的临床候选者。我们提出了Coati-LDM，这是潜在扩散模型在有条件地生成特性优化的，类似药物样的小分子的新颖应用中。潜在的分子编码的扩散产生，而不是直接扩散的分子结构，提供了一种吸引人的方式来处理分子特性常见的小且错配的数据集。我们基于针对预训练的自回归变压器和遗传算法的各种扩散引导方案和采样方法，以评估对效力，专家偏好和各种物理化学特性的控制。我们表明，条件扩散允许控制生成分子的性能，具有实用和性能优势，而不是竞争方法。我们还应用了最近引入的粒子引导概念来增强样品多样性。我们前瞻性地调查了一组药物学家，并确定我们可以通过学习的偏好评分有条件地产生与其偏好相一致的分子。最后，我们提出了一种从种子分子开始的分子特性局部优化的部分扩散方法。使用潜在扩散模型在分子编码上的有条件生成小分子，为先前分子产生方案提供了一种高度实用且灵活的替代方案。
绘制印度人工智能潜力图
创新。尽管印度拥有的人工智能专利数量与其人工智能研究产出相比非常少，但印度仍位列人工智能专利产量前 10 名，自 2012 年以来，人工智能专利申请量高速增长，这得益于人工智能相关发明的快速增长。印度人工智能专利的四大类别是个人设备和计算、商业、电信和生命科学，这四大类别占印度人工智能专利总数的 70% 以上，表明印度创新者专注于将人工智能应用于传统优势领域。过去二十年，印度在人工智能专利方面取得了长足进步，其专利制度不断更新，企业开始看到使用专利保护其创新的好处。尽管如此，印度仍需很长的路要走才能赶上中国和美国，这两个国家目前是人工智能专利的主要来源。
パワー化合物半导体日本の视点
1。ST Microelectronics completes acquisition of Norstel AB, a SiC wafer manufacturer, ST Microelectronics, 2019/12/2: https://www.st.com/content/st_com/ja/about/ media-center/press-item.html/c2930.html 2.ROHM集团Sicrystal和St Microelectronics同意提供碳化硅（SIC）Wafers多年来，ST Microelectronics，2020/1/15：https：//newsroom.st.com/ja/ja/ja/media-ia-center/media-center/press-center/press-item/press-item.html/c2936.html，3。3.cree |。ST Microelectronics在意大利建立了新的集成SIC WAFER工厂，ST Microelectronics，2022/10/5：https：//newsroom.st.com/ja/ja/media-center/media-center/press-item.htm.html/ c3124.html 5。Stmicro在意大利建立新的SIC WAFER工厂，在欧洲首次，Nikkei Crosstech，2022/10/18：https：//xtps：//xtech.nikkei.com/atcl/news/news/news/news/news/13938/13938/ 6.Infineon和Cree同意长期供应Sic Wafers，Infineon，2018/3/16：https：//www.infineon.com/cmms/cmms/jp/jp/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/Wolfspeed builds a new large-scale SiC factory in Germany, production begins in 2017, Nikkei Crosstech, 2023/2/28: https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/news/18/14642/ 8.Infineon收购了硅碳化物专家Siltechtra，Infineon，2018/12/7：https：//www.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/press/press/press/press/press-releases/2018/2018/2018/Infineon通过GT Advanced Technologies，Infineon，2020/11/9：https：//wwwww.infineon.com/cms/cms/cms/jp/jp/about-infineon/ press/press/press/press/press/2020/infxx20202011-2011-2011-2011-014.html 10。有关电力半导体的SIC外延晶片：与Infineon Technologies签署的销售和联合开发协议，Showa Denko，2021年5月6日：https：//wwwwww.resonac.com/jp/
上海埃诚攸微电子有限公司
1. 充电过程 IU5365E 采用完整的涓流充电、恒流充电、过充电、浮充 电四个过程进行充电。当电池电压小于涓流点时，系统以 I *20% 充电电流充电；当电池的电压大于涓流点时，系 C C 统以 I 充电电流充电；当电池电压达到所设定的过充电电 CC 压值 ， 充电电流逐渐减小，当电流减小到所设定的过充电 结束电流值时，过充电结束，系统进入到浮充电过程 ， 浮 充电电压为过充电电压V 的 90% 。 OC 浮充电模式的存在可以弥补由于电池自放电或者负载耗电 所导致的电池能量损失。在浮充电状态，如果输入电源和 电池仍然连接在充电器上，电池电压仍然逐渐下降到所设 置的过充电电压V 的 85% 时，系统会重新恢复充电状态。 OC
有关人工智能和消费者的问题
• 制造商等因交付的产品存在缺陷，导致他人生命、身体或财产受到损害的，应承担赔偿责任（《产品责任法》第 3 条）。第 2 条) • “缺陷”是指产品缺乏“通常应当具备的安全性”（《产品责任法》第2条第2款）
空调设备维修及检测服务（通讯站）
（8）其他 a. 如果需要重新投标，将立即进行。但是，如果通过邮寄投标，则投标将于 2024 年 7 月 31 日星期三下午 1:15 执行。 （一）邮寄投标：将投标表放入写有标题的小信封内并密封。然后将此表和资格审查结果通知书副本放入标有“（投标标题）附有投标表”的信封内，并通过挂号信（简单挂号信也可以）于 2024 年 7 月 25 日星期五下午 5 点之前寄送至第 324 会计中队承包团队。在这种情况下，请拨打下面列出的人员以确认消息已到达。 如需重新投标，投标必须于 2024 年 7 月 30 日星期二中午之前到达第 324 会计中队承包团队。 双方当事人签字、盖章即为合同成立。但中标人收到通知后，可不再签订合同。 如果您代表他人竞标，则必须提交授权委托书。 有关招标的询问：1016 Shukuume，Chitose，Hokkaido，066-8577，日本地面自卫队，Higashi Chitose Garrison，第324会计单位，合同部分（联系：Kobori：Kobori：Kobori）日本的Higashi chitose Garrison地面自卫力量（联系：KIDO），电话：0123-23-5131（分机3324）（9）公告的地点和期间发布：（a）发布的地点：（a）Higashi-Chitose，Higashi-Chitose，Sapporo，Sapporo和Shimamamatsu Garrison Carking tobles tobles toble toble norder corment B. ，2024年7月12日 - 2024年7月26日，星期五
球形浮标的自由衰减升沉运动
摘要：我们在自由衰减跌落试验中研究了球形浮标的升沉运动。我们采用了一种综合方法来研究浮标的振动，包括实验测量和互补的数值模拟。实验是在配备一系列高速运动捕捉摄像机和一组高精度波浪仪的波浪池中进行的。模拟包括三组复杂程度不同的计算。具体来说，在一组计算中，流体体积 (VOF) 方法用于求解重叠网格上的不可压缩两相 Navier-Stokes 方程，而其他组中的计算则基于 Cummins 和质量弹簧阻尼器模型，这两个模型都植根于线性势流理论。实验数据与 VOF 模拟结果之间表现出极好的一致性。尽管准确性较低，但这两个降阶模型的预测也被发现相当可信。关于浮标的运动，所得结果表明，浮标从大约等于其静态平衡吃水高度（约为其半径的 60%）释放后，经历了近乎谐波阻尼的振动。进行的分析表明，浮标的吃水长度对振动的频率和衰减率有很大影响。例如，与平衡状态下半浸没的相同尺寸的球形浮标（即吃水等于半径）相比，测试浮标的振动周期大约短 20%，其振动幅度衰减速度几乎是每个周期的两倍。总体而言，本研究为浮球的运动响应提供了更多见解，可用于优化能量提取浮标设计。