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钻石填充底部填充材料：SMT 158D8
钻石填充底部填充材料：SMT 158D8（纽约州奥尔巴尼）2021 年 1 月 18 日 YINCAE 很高兴地宣布，我们开发了 SMT 158D8，这是一种毛细管状、流动速度快的高导热底部填充材料，也是一种易于返工的液体环氧树脂。SMT 158D8 是世界上第一个（也是唯一一个）商用钻石填充底部填充材料。SMT 158D8 的导热系数为 >6 W/mK，可轻松流入小间隙，不会发生相分离，具有高耐盐湿性和出色的附着力。此外，与使用焊膏相比，SMT 158D8 跌落测试的性能提高了两个数量级。SMT 158D8 的亮点是它能够将 CPU (POP) 温度降低 10°C。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和焊盘栅格阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装中的裸芯片保护，例如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块。它专为高产量和以工艺速度和散热为主要考虑因素的环境而设计。如需了解有关 YINCAE 的 SMT 158D8 底部填充材料的更多信息，或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以访问我们的网站：www.yincae.com 了解更多信息
新闻稿
新闻发布Yincae的新型SMT 158N系列，即2021年3月11日，纽约州奥尔巴尼（纽约州奥尔巴尼）扬ind，Yincae兴奋地宣布，我们已经开发了SMT 158N系列，包括非流量，低温缓慢固化和高纯度液体液体液体液化液和毛细血管下填充液填充物。由于其独特的特性，SMT 158N系列具有较高的粘度，可用作水坝材料，角键，边缘键或封装。此外，SMT 158N具有膝盖剪切和拉力强度，并且热循环性能明显大于领先的竞争对手的下填充。SMT 158N可以承受极端的温度（-273°C），并且在市场上仍然超过当前竞争对手产品。这不仅对SMT 158N的使用具有非凡的影响，而且还表明它可能在当前行业中具有广泛的用途。该材料可用于翻转芯片，晶圆级芯片秤包装应用程序。虽然还适用于各种高级包装中的裸芯片保护，例如存储卡，芯片载体，混合电路和多芯片模块。它是为了高生产和过程速度和可靠性是关键问题的环境而设计的。该材料很容易分配，最大程度地减少诱导应力，提供出色的可靠性性能（例如温度循环性能）和出色的机械电阻。有关Yincae的SMT 158N系列填充的更多信息，或者要了解有关Yincae产品范围的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您还可以通过访问我们的网站：www.yincae.com
新闻稿
UF 120LA：下一代高可靠性、100% 助焊剂残留物兼容且可返工的底部填充材料 2025 年 2 月 3 日（纽约州奥尔巴尼）——YINCAE 推出了 UF 120LA，这是一款专为先进电子封装而设计的高纯度液态环氧底部填充材料。UF 120LA 具有出色的 20μ 间隙流动性，可免除清洁工艺，降低成本和环境影响，同时确保在 BGA、倒装芯片、WLCSP 和多芯片模块等应用中的卓越性能。UF 120LA 可承受 5x260°C 回流循环而不会发生焊点变形，优于需要清洁的竞争对手。其在较低温度下的快速固化提高了生产效率，使其成为存储卡、芯片载体和混合电路的理想选择。UF 120LA 卓越的耐热性和机械耐久性使制造商能够开发更紧凑、更可靠、更高性能的设备，加速小型化、边缘计算和物联网连接的趋势。这项进步可以提高任务关键型应用的生产效率，例如 5G 和 6G 基础设施、自动驾驶汽车、航空航天系统和可穿戴技术，这些应用的可靠性和使用寿命至关重要。此外，通过简化制造工作流程，UF 120LA 可以缩短消费电子产品的上市时间，从而有可能重塑供应链效率并为规模经济创造新的机会。从长远来看，这项技术的广泛采用可能会彻底改变半导体封装格局，为越来越复杂的电子设备铺平道路，这些电子设备更轻、更高效、在极端环境下更具弹性。主要优势：
单层MOS2在图案化石墨烯上的大规模直接生长范德华超快光活性电路
摘要：二维（2D）范德华异质结合了单个2D材料的独特特性，导致超材料，非常适合新兴的电子，光电，光电和自旋形成现象。在利用这些特性用于未来的混合电路方面的一个重大挑战是它们的大规模实现并集成到石墨烯互连中。在这项工作中，我们证明了二硫化钼（MOS 2）晶体在图案化石墨烯通道上的直接生长。通过通过限制的空间化学蒸气沉积生长技术增强对蒸气转运的控制，我们实现了单层MOS 2晶体在单层石墨烯上的优先沉积。原子分辨率扫描透射电子显微镜揭示了杂结构的高结构完整性。通过深入的光谱表征，我们在石墨烯/MOS 2中揭示了电荷转移，MOS 2将p-型掺杂到石墨烯中，如我们的电气测量所证实。光电导率表征表明，可以在MOS 2层覆盖的石墨烯通道中局部创建光活性区域。时间分辨超快的超快瞬态吸收（TA）光谱揭示了在石墨烯/MOS 2异质结构中加速的电荷衰减动力学，对于以下带隙激发条件的上转换。我们的概念验证结果为范德华异质结构电路的直接增长铺平了道路，对超快光活性纳米电子和播客应用具有重要意义。关键字：石墨烯，TMD，现场效应晶体管，范德华异质结构，超快，光活动电路■简介
ISSCC 2025 征文通知
征集创新和原创论文的主题领域包括（但不限于）：模拟：具有模拟主导创新的电路；放大器、比较器、振荡器、滤波器、参考电路；非线性模拟电路；数字辅助模拟电路；传感器接口电路；MEMS 传感器/执行器接口、10nm 以下技术的模拟电路。数据转换器：奈奎斯特速率和过采样 A/D 和 D/A 转换器；嵌入式和特定应用的 A/D 和 D/A 转换器；时间到数字转换器；创新和新兴的转换器架构。数字电路、架构和系统*：微处理器、微控制器、应用处理器、图形处理器、汽车处理器、机器学习 (ML) 和人工智能 (AI) 处理器以及片上系统 (SoC) 处理器的数字电路、架构、构建模块和完整系统（单片、小芯片、2.5D 和 3D）。用于通信、视频和多媒体、退火、优化问题解决、可重构系统、近阈值和亚阈值系统以及新兴应用的数字系统和加速器。用于处理器的芯片内通信、时钟分配、软错误和容错设计、电源管理（例如稳压器、自适应数字电路、数字传感器）和数字时钟电路（例如 PLL、DLL）的数字电路。数字 ML/AI 系统和电路，包括近内存和内存计算以及针对新 ML 模型（如 Transformer、图形和脉冲神经网络以及超维计算）的硬件优化。图像传感器、医疗和显示：图像传感器；视觉传感器和基于事件的视觉传感器；汽车、激光雷达；超声波和医学成像；可穿戴、可植入、可摄取设备；生物医学传感器和 SoC、神经接口和闭环系统；医疗设备；微阵列；体域网络和身体耦合通信；用于医疗和成像应用的机器学习和边缘计算；显示驱动器、触摸感应；触觉显示器；用于 AR/VR 的交互式显示和传感技术。存储器：用于独立和嵌入式应用的静态、动态和非易失性存储器；存储器/SSD 控制器；用于存储器的高带宽 I/O 接口；基于相变、磁性、自旋转移扭矩、铁电和电阻材料的存储器；阵列架构和电路，以改善低压操作、降低功耗、可靠性、性能改进和容错能力；内存子系统内的应用特定电路增强、用于 AI 或其他应用的内存计算或近内存计算宏。电源管理：电源管理、电源输送和控制电路；使用电感、电容、和混合技术；LDO /线性稳压器；栅极驱动器；宽带隙（GaN / SiC）；隔离和无线电源转换器；包络电源调制器；能量收集电路和系统；适用于汽车和其他恶劣环境的强大电源管理电路；LED驱动器。射频电路和无线系统**：用于接收器、发射器、频率合成器、射频滤波器、收发器、SoC和包含多个芯片的无线 SiP 的射频、毫米波和 THz 频率的完整解决方案和构建模块。创新电路、系统、设计技术、异构封装解决方案等，适用于既定的无线标准以及未来系统或新应用，例如传感、雷达和成像，以及提高频谱和能源效率的应用。安全：展示加密加速器的芯片（例如加密、轻量级加密、后量子加密、隐私保护计算、区块链）、智能卡安全、可信/机密计算、安全电路（例如 PUF、TRNG、侧信道和故障攻击对策、用于攻击检测和预防的电路和传感器）、资源受限系统的安全性、安全微处理器、安全存储器、模拟/混合信号电路安全（例如安全 ADC/DAC、RF、传感器）、安全供应链（例如硬件木马对策、可信微电子）、新兴技术的安全性以及用于逻辑/物理级安全的核心电路级技术。技术方向：集成光子学、硅电子-光子学集成等各个领域的新兴和新型 IC、系统和设备解决方案；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。RF 电路和无线系统**：用于接收器、发射器、频率合成器、RF 滤波器、收发器、SoC 和包含多个芯片组的无线 SiP 的 RF、毫米波和 THz 频率的完整解决方案和构建模块。创新电路、系统、设计技术、异构封装解决方案等，适用于既定的无线标准以及未来系统或新应用，例如传感、雷达和成像，以及那些可提高频谱和能源效率的应用。安全：展示加密加速器的芯片（例如加密、轻量级加密、后量子加密、隐私保护计算、区块链）、智能卡安全、可信/机密计算、安全电路（例如 PUF、TRNG、侧信道和故障攻击对策、用于攻击检测和预防的电路和传感器）、资源受限系统的安全性、安全微处理器、安全存储器、模拟/混合信号电路安全（例如安全 ADC/DAC、RF、传感器）、安全供应链（例如硬件木马对策、可信微电子）、新兴技术的安全性以及用于逻辑/物理级安全的核心电路级技术。技术方向：集成光子学、硅电子-光子学集成等各个领域的新兴和新型 IC、系统和设备解决方案；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。RF 电路和无线系统**：用于接收器、发射器、频率合成器、RF 滤波器、收发器、SoC 和包含多个芯片组的无线 SiP 的 RF、毫米波和 THz 频率的完整解决方案和构建模块。创新电路、系统、设计技术、异构封装解决方案等，适用于既定的无线标准以及未来系统或新应用，例如传感、雷达和成像，以及那些可提高频谱和能源效率的应用。安全：展示加密加速器的芯片（例如加密、轻量级加密、后量子加密、隐私保护计算、区块链）、智能卡安全、可信/机密计算、安全电路（例如 PUF、TRNG、侧信道和故障攻击对策、用于攻击检测和预防的电路和传感器）、资源受限系统的安全性、安全微处理器、安全存储器、模拟/混合信号电路安全（例如安全 ADC/DAC、RF、传感器）、安全供应链（例如硬件木马对策、可信微电子）、新兴技术的安全性以及用于逻辑/物理级安全的核心电路级技术。技术方向：集成光子学、硅电子-光子学集成等各个领域的新兴和新型 IC、系统和设备解决方案；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。以及提高频谱和能源效率的芯片。安全：展示加密加速器的芯片（例如加密、轻量级加密、后量子加密、隐私保护计算、区块链）、智能卡安全、可信/机密计算、安全电路（例如 PUF、TRNG、侧信道和故障攻击对策、用于攻击检测和预防的电路和传感器）、资源受限系统的安全性、安全微处理器、安全存储器、模拟/混合信号电路安全（例如安全 ADC/DAC、RF、传感器）、安全供应链（例如硬件木马对策、可信微电子）、新兴技术的安全性以及用于逻辑/物理级安全的核心电路级技术。技术方向：集成光子学、硅电子-光子学集成等各个领域的新兴和新型 IC、系统和设备解决方案；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。以及提高频谱和能源效率的芯片。安全：展示加密加速器的芯片（例如加密、轻量级加密、后量子加密、隐私保护计算、区块链）、智能卡安全、可信/机密计算、安全电路（例如 PUF、TRNG、侧信道和故障攻击对策、用于攻击检测和预防的电路和传感器）、资源受限系统的安全性、安全微处理器、安全存储器、模拟/混合信号电路安全（例如安全 ADC/DAC、RF、传感器）、安全供应链（例如硬件木马对策、可信微电子）、新兴技术的安全性以及用于逻辑/物理级安全的核心电路级技术。技术方向：集成光子学、硅电子-光子学集成等各个领域的新兴和新型 IC、系统和设备解决方案；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。硅电子-光子集成；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。硅电子-光子集成；用于计量、传感、计算等的量子器件；柔性、可拉伸、可折叠、可打印和 3D 电子系统；用于细胞和分子目标的生物医学传感器；远距离无线功率传输（例如射频和毫米波、光学、超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的集成电路；用于非 CMOS 计算和机器学习的新型平台；集成超材料、替代设备平台中的电路（例如碳、有机、超导体、自旋等）。有线：用于有线系统的接收器/发射器/收发器，包括背板收发器、铜缆链路、芯片间通信、2.5/3D 互连、片上/封装上链路、用于存储器的高速接口；光学链路和硅光子学；用于提高数据速率、带宽密度、功率效率、均衡、稳健性、自适应能力和设计方法的探索性 I/O 电路；有线收发器的构建模块（包括但不限于 AGC、模拟前端、ADC/DAC/DSP、TIA、均衡器、时钟生成和分配电路（包括 PLL/DLL）、时钟恢复、线路驱动器和混合电路）。
EPO-TEK®H20E-MPEPO-TEK®MED-H20EEPO-TEK®MED-H20E
日期：2021年2月生物相容性认证治疗：150°C / 1.5小时Rev：VIII No. < / div>组件：可能有两个替代性生物相容性的治疗时间表，重量的混合比：1：1但尚未获得认证。与Med@epotek.com联系特定的重力：A部分：2.03部分B：3.07有任何疑问。锅寿命：2.5天货架寿命 - 散装：在室温架子固定寿命 - 注射器：-40°C的一年注：●不使用时应保持容器的关闭。●在混合之前和使用前应彻底搅拌填充系统。●产品的性能属性（流变，电导率，其他）可能与数据表上的数据表中所述的性能有所不同。环氧树脂的保证不适用于从环氧树脂的状态/容器中重新加工或重新包装的任何产品，包括但不限于注射器，两杆，两袋，墨盒，小袋，管，管，胶囊，胶囊，胶囊，胶囊，胶卷，胶卷，胶卷，胶卷或其他包装。产品描述：EPO-TEK®MED-H20E是一种具有生物相容性的充满银色的环氧树脂，具有电导率和高导热率。这是一个很好的特征，并依赖于ECA，并具有超过40年的成功设计。它在固化技术中具有多功能性；从盒子烤箱到红外，再到热板，再到对流烤箱，用于电路连接。一些典型的应用是：使用MEM或混合技术的起搏器混合电路，X射线，超声和助听器。典型特性：治疗条件：150°C / 1.5小时不同的批次，条件和应用产生不同的结果。不能保证以下数据。仅用用作指南，而不是用作指南。*表示批次接受测试
新闻稿
快速流动、可返工的底部填充 SMT 88UL2（纽约州奥尔巴尼）2021 年 12 月 20 日 YINCAE 很高兴地宣布，我们已经开发并将 SMT 88UL 升级为 SMT 88UL2，这是一种完全兼容助焊剂残留物、室温快速流动且易于返工的底部填充材料。底部填充材料和助焊剂残留物的兼容性长期以来一直是电子行业的一个传统问题。这种兼容性问题通常会导致双回流工艺和汽车应用过程中的底部填充流动问题、底部填充空洞、底部填充分层和焊料挤出。通常，清洁 SMT 组装中的助焊剂残留物成本太高。SMT 88UL2 设计为与主要制造商的几乎所有焊膏的助焊剂残留物完全兼容。SMT 88UL2 可以在室温下快速流入任何间隙尺寸（小于 1 ），并在较低温度下快速固化，不会出现任何流动和空洞问题，无需清洁助焊剂残留物。我们的 SMT 88UL2 可承受多次 260 C 回流工艺，无需清洗助焊剂残留物，不会出现任何分层、焊料挤出和焊球问题。它表现出了出色的跌落和热循环性能。该材料可用作倒装芯片、芯片级封装、球栅阵列器件、封装上封装和接地栅阵列应用的底部填充材料。它还适用于各种先进封装（如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块）中的裸芯片保护。它专为高产量和以工艺速度和散热为关键考虑因素的环境而设计。有关 YINCAE 的 SMT 88UL2 底部填充材料的更多信息，或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息，请发送电子邮件至：info@yincae.com。您也可以通过访问我们的网站获取更多信息：www.yincae.com
玻璃料对无铅厚膜电阻器开发的评估
2 佛罗里达国际大学，10555 W Flagler St，EC3442 佛罗里达州迈阿密 33174 jones@fiu.edu 摘要 玻璃料是用于生产混合电路的厚膜电阻器 (TFR) 的主要成分。已经评估了 30 多种具有不同成分的商用无铅玻璃料，以开发一种无铅厚膜电阻器，该电阻器与典型的工业厚膜加工兼容，并且具有与含铅电阻器相当的电气性能。从 33 种候选玻璃组合物中选出了两种用于制备基于 RuO 2 的 TFR 油墨，将其丝网印刷在氧化铝基板上并在 850°C 下烧制。这些电阻器的初步结果表明，当 RuO 2 为 5-15% 时，薄层电阻范围从 400 欧姆每平方 ( Ω / □ ) 到 0.4 兆欧姆每平方 ( M Ω / □ )，热温度系数 (HTCR) 在 ±350ppm/°C 范围内。关键词：无铅，玻璃料，厚膜电阻器，薄层电阻，TCR 1 引言 厚膜电阻器 (TFR) 是一种复合材料，其中导电相嵌入连续玻璃基质中 [1]。它已广泛应用于混合微电子电路 [2-5]。通常，将导电粉末（氧化钌、氧化铱、钌酸铅）与玻璃料混合，与有机载体混合以获得可印刷油墨，将该油墨丝网印刷在氧化铝基板上然后烧成。玻璃料是厚膜电阻器的主要成分之一，大多数市售的 TFR 产品都含有铅硼硅酸盐玻璃，其中氧化铅含量相当甚至占主导地位 [6]。为了减少因电子产品消费和处置增加而对环境造成的负面影响，无铅加工的需求一直很高。开发新型无铅厚膜材料是最受认可的解决方案之一。因此，有各种无铅焊料、导电产品和其他封装产品可供选择，它们具有与含铅产品相当的性能；然而，对于无铅 TFR，仅报告了部分令人满意的成分。M. Prudenziati 等人 [1] 使用七种无铅玻璃制备了基于 RuO 2 的 TFR。结果尚无定论，证明了无数复杂现象，包括脱玻化、氧化铝基板上玻璃的相关渗漏、玻璃基质中导电晶粒的异常分布和相分离。MG Busana 等人 [7] 使用铋酸盐玻璃，声称