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金刚石 pn 结二极管贝塔伏打电池性能的温度依赖性
摘要 — 评估了金刚石 pn 结贝塔伏特电池能量转换效率的温度依赖性。我们制造了伪垂直金刚石 pn 结二极管，并表征了其在 5-300 K 电子束辐照下的能量转换效率。金刚石 pn 结二极管在 150-300 K 时的能量转换效率为 18-24%，是硅 PiN 二极管的两倍多。另一方面，在 100 K 以下，由于金刚石的串联电阻增加，二极管的能量转换效率显着下降。在 150K 以上，金刚石 pn 结二极管的能量转换效率的温度依赖性小于硅二极管，这将使金刚石 pn 结贝塔伏特电池成为一种有前途的装置，用于在除低温区域以外的宽温度范围内进行遥感设备的能量收集。
温度游览/事件响应工作表
•在适当的温度下存放疫苗。确保冰箱/冰柜正常工作或将疫苗移至该单元。•请勿丢弃受影响的疫苗。分开或标记疫苗，以便可以轻松识别出潜在的疫苗。•在活动期间，从Osmossis打印一份库存报告，以记录冰箱/冰箱中的疫苗。•电子邮件完成的温度偏移响应工作表在事件发生后的48小时内给您的免疫销售代表（IR）。您的IR将与制造商联系，以确定受影响疫苗的状态。
温度对硫和氧同位素的影响...
水”（Brunner等，2012; Wankel等，2014）和δ34s so4（t），δ34s so4（0），δ18o so4（t）和δ18O SO4（0）227
辐照度和车顶上的温度均匀性2025
电动汽车低碳充电的选项包括从现有的电网网络充电使用PV或其他可持续电源，从当地PV发电的专用充电点充电，或直接和独立地使用车载PV（PV供电车辆）。为了促进减少运输部门的CO 2排放并增强PV市场的扩展，IEA PVPS任务17的目的是阐明PV利用在运输中的潜力，并建议如何实现这些概念。任务17的范围包括各种PV驱动的车辆，例如乘用车，轻型商用车，重型车辆和其他车辆，以及用于电气系统和基础设施的PV应用，例如使用PV，电池和其他电力管理系统充电基础设施。
温度和空间障碍调节的选择性合成
11。The spectra of NMR ................................................................................................................. S26
技术说明：多压力实验的自动流动盐度和温度扰动中心系统
摘要。由于人为强迫，水生系统的快速变化正在为有机体和社区带来挑战性的条件。现在需要更好地理解环境压力源的相互作用，以及将来，这对于确定生态系统对这些扰动的响应至关重要。这项工作描述了一个自动化的Ex eriposm扰动系统，该系统可以在受控设置中操纵水生媒体的几个变量。此扰动系统部署在Kongsfjorden（Svalbard）；在该系统中，将来自峡湾的环境水加热并与多因素设计中的淡水混合，以研究中库群岛中混合kelp群落对未来北极条件的反应。该系统采用了一种拟定的动态偏移场景，其中将标称的调为升温作为设定值以高于实时环境条件的设定值，以模拟未来的变暖。以类似的方式应用了新鲜度成分：盐度的降低是基于峡湾中温度 - 平衡关系跟踪温度偏离的。该系统充当自动混合歧管，调整了温暖和冷藏的环境海水的流量，无操纵的环境海水和淡水熟悉，作为单个混合介质的单一来源到单个Meso-Cosms。这些条件是通过连续
冬季温度和降水驱动阈值的阈值在九个全球气候区域和相关生物群落
在全球范围内，冬季温度正在上升，积雪正在缩小或完全消失。div>以前的研究和发表的文献综述，尚不清楚全球生物群落是否会在冬季温度和降水中跨越重要的阈值，从而导致重大的生态变化。在这里，我们将广泛使用的Köppen-Geiger气候分类系统与最糟糕的案例结合了全球每月温度和降水的预计变化，以说明到本世纪末，跨地球的多个气候区如何体验到冬季条件。然后，我们检查这些变化如何影响相应生物群落内的生态系统。我们的分析表明，在北极，北方和凉爽的温带区域中，极度冷（<-20°C）的潜在普遍损失。我们还表明了温度温度和旱地地区的冰冻温度可能消失（<0°C）和大幅下降。
TI 航天合格温度传感器产品选择指南 (Rev. A)
TI 航天级器件具有不同级别的辐射耐受性，可支持低地球轨道、中地球轨道和地球同步轨道任务。不同的任务可能具有不同的辐射要求，具体取决于距离地球的距离和任务持续时间。本产品概述提供了德州仪器可以提供的航天温度设计、可用选项重要性的见解，以及客户需要将哪些航天设备纳入其系统的最佳决策指导。TI.com 提供航天增强塑料 (SEP)、抗辐射 (SP) QMLP 和抗辐射 QMLV 合格温度传感器。TI 的多样化产品组合提供不同尺寸选项、塑料与陶瓷以及不同的抗辐射选项供您选择。在选择航天设备之前，客户需要考虑系统在太空中的位置，了解系统旨在通过的辐射要求、愿意花费的成本、愿意使用的尺寸和表面积以及风险。
Ni(Pt)Si薄膜形成对团聚阈值温度的影响及对3D成像技术集成的影响
Ni(10 at.% Pt) 单硅化物在微电子中用作接触件，但由于团聚，在相对较低的温度下会遭受性能下降。最近在 28 nm-FDSOI 微电子器件上获得的结果显示，在与 Ni(Pt)Si 薄膜脱湿相关的 550 °C/2 小时退火后，产量损失严重。这种团聚热预算比使用原位或非原位四点探针测量在毯状晶圆上测得的热预算低 100 °C。在此背景下，本文旨在研究 Ni(Pt)Si 形成过程对 Ni(Pt)Si 团聚的影响，采用不同的方法，如 (i) 经典方法，即进行一次退火以形成硅化物并导致团聚，(ii) 通过标准 SALICIDE 工艺“自对准硅化物”形成硅化物，然后进行退火以诱导团聚，以及 (iii) 标准 SALICIDE 工艺形成硅化物，然后用 SiN 层封装顶部硅化物表面，如器件中所用，最后进行团聚退火。我们的研究表明，薄膜的热稳定性受形成过程中选择性蚀刻 (SE) 的顺序以及薄膜是通过单次退火还是双次退火形成的影响。这项研究的另一个结论是，四点探针测量不够灵敏，无法很好地估计团聚现象的真正起点，这对器件是有害的（三重结处形成孔洞）。为了准确确定团聚热预算，迫切需要一些额外的特性，例如倾斜扫描电子显微镜 (倾斜 SEM)。这项研究可以阐明导致团聚的主要参数：薄膜厚度和晶粒尺寸似乎是更重要的参数。 * 通讯作者电子邮件：magali.gregoire@st.com。