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World File Search System温度特性
温度特性近似函数的选择对功率MOSFET热阻测量结果的影响
本文描述了研究结果，说明了确定结温过高的方法和选择用于测量功率 MOS 晶体管热阻过程中的近似测温特性函数对测量结果的影响。研究涉及使用间接电学方法进行的测量。介绍了三种确定晶体管结温过高的方法，分别使用近似测温特性的线性函数和非线性函数。比较了使用每种方法获得的热阻测量结果。还分析了因选择所考虑的方法而导致的测量误差。
基于沟道的FinFET温度特性...
本文介绍了 FinFET 的温度灵敏度以及基于晶体管 Fin 宽度将 FinFET 用作温度纳米传感器的可能性。使用多栅极场效应晶体管 (MuGFET) 仿真工具来检查温度对 FinFET 特性的影响。首先模拟了不同温度和通道 Fin 宽度 (WF = 5、10、20、40 和 80 nm) 下的电流-电压特性，本研究采用了二极管模式连接。在工作电压 V DD 为 0–5 V 时，在最大 ∆I 下，FinFET 具有最佳温度灵敏度。根据结果，温度灵敏度随通道 Fin 宽度 (5-80 nm) 的整个范围线性增加，此外，较低的栅极 Fin 宽度 (WF =5nm) 可以在较低的工作电压 (V DD =1.25 V) 下实现更高的灵敏度。
