带隙参考(BGR)是模拟,混合信号,射频和生物医学应用中的关键电路。它提供了与温度无关的电压/电流,以引用低液位调节器(LDO)或临界电路的偏置电压。其输出电压也应对过程电压和温度(PVT)角敏感得多(Wong等,2004)。同时,对于在电池电源上运行的生物医学设备的功率必须是超低功率;因此,电池寿命很大。低温漂移电路是可穿戴生物医学设备中的关键模拟块。例如,具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路(Nagulapalli等,2017)。 因此,这显示了高度准确的参考电路的必要性。例如,具有1 mV分辨率的ADC需要具有0.5 mV最差温度漂移的BGR电路(Nagulapalli等,2017)。因此,这显示了高度准确的参考电路的必要性。
𝑅(𝑇)=𝑅0[1 +𝑇(𝑇−𝑇0)](1)其中r 0是参考温度t 0处的电阻,而tα是温度系数。图。1(b)。少数低电阻细胞转化为金属的传导机制。RRAM阵列中的电导与神经网络中的代表权重成正比22。因此,通过将RRAM细胞随机编程为八个不同的电导,从直观地检查了电导漂移,如图1(c)。可以观察到电导分布在300K处非常紧密,并且随着温度升高而变得更宽。随着电导的增加,相邻电导之间的重叠发生在较低的温度下,这显着降低了神经形态计算的准确性。
[5] R. Schmidt 和 U. Scheuermann,“使用芯片作为温度传感器 - 陡峭横向温度梯度对 Vce(T) 测量的影响”,2009 年第 13 届欧洲电力电子及应用会议,巴塞罗那,2009 年,第 1-9 页。
[1] AS Burghate,RM Kedar,PB Agrawal和ML Narwade,2000.不同浓度和温度下70%二氧六环-水混合物中查尔酮的粘度和热力学研究。东方化学杂志,16(3):503-506。[2] Y. Srinivasa Rao,2008.聚合物厚膜电阻器电阻温度系数(TCR)研究。微电子国际,25(3):33-36。[3] ML Zhang和DA Drabold,2012.电阻率温度系数理论:应用于非晶Si和Ge。探索物理前沿快报杂志,98:17005。[4] Georgios E. Papanastasiou和Ioannis I. Ziogas,1992.某些反应介质的物理行为。 3. 甲醇二氧六环混合物在几种温度下的密度、粘度、介电常数和折射率变化,化学与工程数据杂志,37(2): 167-172。
8.1. 温度系数................................................................................................................................................................11 8.2. 长期稳定性...............................................................................................................................................................11 8.3. 噪声性能.................................................................................................................................................................12 8.4. 典型电压参考连接................................................................................................................................................12 8.4.1. 输入电容.................................................................................................................................................................12 8.4.2. 负载电容.................................................................................................................................................................12 8.5. 布局指南.................................................................................................................................................................12
LM50/LM50-Q1 可以很好地处理电容负载。无需任何特殊预防措施,LM50/LM50-Q1 即可驱动任何电容负载。LM50/LM50-Q1 具有标称 2 k Ω 输出阻抗(如图 17 所示)。输出电阻的温度系数约为 1300 ppm/°C。考虑到此温度系数和电阻的初始公差,LM50/LM50-Q1 的输出阻抗不会超过 4 k Ω。在极其嘈杂的环境中,可能需要添加一些过滤以最大限度地减少噪声拾取。建议从 V IN 到 GND 添加 0.1 μ F 以旁路电源电压,如图 16 所示。在嘈杂的环境中,可能需要在输出到地之间添加一个电容器。具有 4 k Ω 输出阻抗的 1 μ F 输出电容器将形成 40 Hz 低通滤波器。由于 LM50/LM50-Q1 的热时间常数比 RC 形成的 25 ms 时间常数慢得多,因此 LM50/LM50-Q1 的整体响应时间不会受到显著影响。对于更大的电容器,这种额外的时间滞后将增加 LM50/LM50-Q1 的整体响应时间。
摘要提出了在标准0.18-μmCMOS技术中制造的超低功率子带电压参考电路。利用V BE和V Th的负温度特性,使用寄生BJT和MOSFET的组合的新型自偏的电路构型用于实现纳米瓦特功率派遣的温度补偿的子频带电压参考。测量结果表明,提议的电路提供的平均参考电压为261.6 mV,变化系数为0.86%。线调节(LR)为0.26%/V,在27°时的电源电压范围为0.9 V至1.8 V,电源排斥比(PSRR)为-49 dB时为-100 Hz。在一次性修剪的情况下,在一组18个样品中执行的测量结果显示,温度系数的平均温度系数为25.9 ppm/℃,温度范围为-20至100°。功率耗散为1.8 NW,电源电压为0.9 V时为27℃。芯片面积为0.0038毫米2。关键词:超低功率,子频率电压参考,CMOS,温度系数,芯片区域分类:集成电路(内存,逻辑,模拟,RF,传感器)
磁传感器主要用于铁磁物体(例如武器或车辆)检测、磁性标签读取、磁性三维位置跟踪等。[1, 4]。这些应用对传感器性能都有特定的要求。最重要的规格包括磁场分辨率、范围、灵敏度、线性度、偏移、功耗、尺寸、空间分辨率、噪声和温度系数 [5]。近二十年来,已经开发出各种技术和磁传感器来测量从 10-12 到 10-4 T 的低磁场和超低磁场,具有高灵敏度和线性度以及低噪声 [6-9]。
技术数据电源电源电压:230/115 V AC 50/60 Hz±10%或24 V DC±20%功率消耗:3 VA工作温度:-10 ... +60°C额定电压:250V〜ACC。VDE 0110 between input, output/supply voltage Degree of pollution 2, over-voltage categoric III Test voltage : 4 kV=, between input, output/supply voltage - conformity : EN55022, EN60555, IEC61000-4-3/4/5/11/13 Input Current input : 0/4 ... 20 mA Ri 10 Ω overload max.3倍电压输入:0 ... 10 V RI 100kΩ过载最大。3倍RTD(PT100):-100 ... 400̊C传感器电流<1mA(无自加热)精度:电压/电流±0.1%,±1位数; RTD(PT100)±0.2°C,±1位数字温度系数电压/电流:0.005%/k RTD(PT100):0.01°C/K显示:LED 14.2 mm红色,黄色,黄色,绿色,绿色,蓝色,蓝色或20.3 mm红色指示: - 2000数字范围:-199999。 -1999“或“ 9999”)用2 Hz显示亮度闪烁(选项):从2 ... 100%步骤少,带有照片传感器模拟输出电压:0 ... 10 V dc dc max。5 MA,线性化,短路证明准确性:0.1%温度系数:0.005%/k情况:DIN 96x48毫米,材料PA6-GF; UL94 V-0尺寸:前96x48毫米,安装深度100毫米重量:300 g连接:夹具端子,2mm²单线,1.5mm²柔性电线,AWG14保护:前IP65,端子IP20,端子IP20,手指安全ACC。德国BGV A3
摘要。介绍了光电微波振荡器的设计方案和自由运行状态下的特性研究结果,提出了一种利用锁相环将其与高稳定晶体振荡器信号同步的方法,并分析了光电微波参考振荡器频率不稳定性实验研究的结果。具有光增益和 10 GHz 振荡频率的光电微波参考振荡器在与微波载波 10 kHz 频率偏移处同时提供超低相位噪声(小于 -142 dB Hz -1 )和振荡频谱中的低杂散水平(不超过 -94 dBc)。在这种情况下,振荡频率的温度系数由高稳定晶体振荡器的温度不稳定性决定。