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World File Search System温度补偿
质量保证 - PDF4PRO
项目 PAL-ES2 – 4232 PAL-ES3 - 4233 产品代码 ATA 000TBA ATA 000TBA 测量方法 电导率法 测量范围 0.00 至 5.00% (g/100g) 0.0 至 33.0% (g/100ml) （测量蒸馏水稀释 10 倍的样品（按重量计算）。以百分比（g/100ml）表示稀释前的样品的盐浓度。） 分辨率 0.01%（盐浓度为 0.00 至 2.99%） 0.1g/100ml 0.1%（盐浓度为 3.0 至 5.0%） 测量精度 显示值 0.05% 显示值 +0.6g/100ml（盐浓度为 0.00 至 1.00%） 相对精度 + 小于 6% 相对精度小于5%（测量值为 10 至 33.0g/100ml）（盐浓度为 1.01 至 5.0%） 温度补偿 10 至 40°C（保证精度范围 15 至 35°C） 国际防护等级 IP65 防水 尺寸和重量 5.5 x 3.1 x 10.9cm，100g（仅主机） 电源 2 节 AAA 电池
STX2410-E
STX2410-E 是一款功能齐全的 EN54-4 认证电源，非常适合用于消防系统应用。它具有智能电池充电、监控和信号发送功能。经调节的 27.6 VDC 输出将为负载提供高达 10 A 的电流，并为备用电池提供高达 0.7 A 的电流进行充电。电源输出在主电池和备用电池操作下均具有电子短路保护功能。通过持续主动电池监控和三级充电器（包括根据电池状况的批量、吸收和温度补偿最终浮动阶段）可确保电池的最大寿命。充满电后，产品将进入 Eco 省电模式，即每 24 小时对电池充电 4 小时，同时仍进行持续监控。这减少了为已充满电的电池充电所浪费的能量，并延长了电池的使用寿命。深度放电保护可防止长时间待机时电池过早失效。
10. 低噪声、抖动混合恒温 SAW 振荡器
当频率与温度的要求过于严格而无法通过基本 XO（晶体振荡器）或 TCXO（温度补偿晶体振荡器）满足时，可使用 OCXO（恒温晶体振荡器）。使用 OCXO，当振荡器外部温度发生变化时，晶体和关键电路的温度会保持恒定。使用恒温器控制振荡器内部的温度可保持此恒定温度。在 OCXO 中，环境温度的变化会被感应到，然后反馈到恒温器控制器，该控制器会持续保持振荡器外壳内部的最佳温度。OCXO 可以将晶体的固有稳定性提高 5000 倍以上。恒温器控制系统并不完善，开环增益不是无限的，恒温器（振荡器）内部存在内部温度梯度，并且在传统恒温器中，恒温器外壳外部的电路会受到环境温度变化的影响，从而“拉动”频率。
NS3000 - 电缆仓库 FZCO
智能电池管理 更宽的输入电压窗口和频率公差有助于最大限度地减少电池传输，减少充电和放电循环次数，延长电池使用寿命并优化充电时间。双转换技术可防止各种电源不稳定，从而限制电池传输。并联冗余配置可以将设备连接到公共电池串，以便在一个 UPS 发生故障时也能获得满容量电池。NS3000 使用三种充电模式来满足最常见电池类型的规格，如密封 VRLA、AGM 或湿铅酸、镍镉。温度补偿充电可监控电池温度并相应地调整充电电压率。电池管理系统能够管理手动和自动测试，监控电池健康和剩余寿命。NS3000 UPS 配有内部开关，用于断开内部电池。
陀螺仪机械和电子相位漂移调查，分辨率为 2 μrad/√Hz
在当前的集成电路实现中，无法实时测量 Δ𝜙 𝐷𝑆，但如果最初校准了误差 Δ𝜙 𝐷𝑆 (𝑇)，则可以实现其在线温度补偿。虽然很少有作品介绍过这个问题 [2-4]，但它们都没有 (i) 设想出专用的装置来测量漂移 Δ𝜙 𝐷𝑆 (𝑇) ，(ii) 确定了此类测量的关键噪声贡献，以及 (iii) 通过实验从电子耦合漂移中分离出由模式分裂和品质因数的温度变化引起的机械漂移。这项工作完成了所有这些任务，使用图 1a 所示的三轴单驱动陀螺仪的俯仰轴作为测试设备。该设备的频率在 20 kHz 范围内，间隔约 500 Hz，驱动和感应品质因数分别在 7000 和 700 范围内 [5]。
1.2-V 2.18-ppm/C 曲率补偿 CMOS...
带隙基准源是模拟、数字或混合信号电路（如模数转换器、数模转换器、低压差稳压器、锁相环和许多其他电子设备）的关键组件[1、2、3、4、5、6、7]。带隙基准源提供的电压具有明确而稳定的特性，并且对电源电压和温度变化不敏感。基准源的准确性和稳定性对后续电路的性能起着重要作用[8、9]。因此，已经提出了许多高阶温度补偿技术来降低 TC。[10、11、12] 中讨论了依赖于温度的电阻比补偿技术。其曲率补偿效果主要由两个温度系数电阻之比决定，该比值将根据工艺角和失配而发生剧烈漂移。文献 [13, 14, 15, 16] 进一步讨论了温度补偿法，利用工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压进行补偿，但亚阈值 MOS 管由于补偿面积较大，因此 TC 受工艺影响较大。文献 [17] 则采用了非线性补偿项 T ln T 的方法，T ln T 是由工作在亚阈值区的 MOS 管栅源电压扩散产生的，
电机起动器 – 低压部分 26 29 ...
b.过载继电器应通过使用最先进的微电子封装技术提供高精度。继电器应适用于 NEMA 1 号至 7 号电机起动器。c. 过载继电器应采用模块化设计，是继电器系列的组成部分，可提供多种保护级别选择，可直接替换现有的机电过载继电器，并符合 UL 标准 508。 d. 过载继电器应具有以下特点： 1.自供电 2.10 级或 20 级固定跳闸特性 3.手动或自动复位 4.缺相保护。当继电器应用于满载电机时，在缺相条件下，继电器应在 2 秒或更短时间内跳闸 5.可见跳闸指示 6.一个常开和一个常闭隔离辅助触点 7.操作常闭触点的测试按钮 8.测试跳闸功能，可同时跳闸常开和常闭触点 9.电流调节范围为 3.2:1 或更大 10.环境温度补偿 11.接地故障保护。继电器应在满载安培设置的 50% 时跳闸 12.堵塞/失速保护。浪涌后，继电器应在满载安培设置的 400% 时跳闸
压力传感器的肖特基二极管温度传感器
开发了具有平面电极排列的小型硅肖特基二极管 (0.8x0.8x0.4 mm 3 ) 芯片 (PSD)，用作温度传感器，在压力传感器的工作条件下工作。PSD 芯片的正向 IV 特性由 Mo 和 n-Si (ND = 3 × 10 15 cm -3 ) 之间的势垒决定。在电源电流 IF = 1 mA 时，实现了正向电压 UF = 208 ± 6 mV 和温度系数 TC = - 1.635 ± 0.015 mV/⁰C（线性度 k T <0.4%，温度范围为 - 65 至 +85 ⁰C）。由于芯片 PSD 包含沿阳极周边的两个 p 型保护环结构，因此反向 IV 特性具有高击穿电压 U BR > 85 V 和低漏电流 IL < 5 μA（25 ⁰C 时）和 IL < 130 μA（85 ⁰C 时）（UR = 20 V）。证明了 PSD 芯片适用于从 - 65 到 +115 ⁰C 的更宽温度范围。温度传感器的独立芯片 PSD 位于距离压力传感器芯片不到 1.5 毫米的位置。PSD 芯片传输输入数据，以通过 ASIC 对压力传感器误差进行温度补偿并进行直接温度测量。关键词：温度传感器、肖特基二极管、Mo/Si-n 屏障、保护环、压力传感器。
luftm单相系列
橱柜单个独立式或壁挂式NEMA 1型钢柜粉末涂有腐蚀和刮擦性。前访问设计。顶部和左侧导管带有淘汰赛。使用IGBT/PWM技术的逆变器逆变器将电池提供的直流电压转换为精确稳定振幅和频率的交流电压，适用于大多数复杂的电气设备。真正的正弦输出波形，失真非常低（线性载荷小于3％）。16个线周期的超负荷能力高达150％。充电器全自动，温度补偿，微处理器控制的充电器充电器在标称AC输入电压下最多24小时充分放电电池。交流输入电流限制和过电压保护。电池系统提供10年，无维护的密封阀调节的铅钙电池。30分钟。在正常工作温度下全负载的标准排放时间。包括低压断开保护。无需特殊通风。自我诊断自动自动测试由每月5分钟和全运行时间的年度功能组成。正式的控制面板包括4行20个字符的OLED显示屏，以及一个控制和监视内部系统的键盘。这允许操作员在发生时轻松“观察”系统功能并检查