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Inn纳米线太阳能电池在Si上，用溅射沉积的无定形Si层中的无定形SI
在这里，我们报告了Inn纳米线太阳能电池的第一个实验证明，该电池是通过以1.78 eV的带隙能量溅射来沉积的。通过在N -Inn/ P -SI结构中添加无定形Si（A -SI）缓冲液，我们在保持其材料质量的同时，提高了所得设备的光伏性能。我们首先通过DC溅射在Si（100）上优化了Si的沉积，获得了带隙能量为1.39 eV的无定形材料。然后，我们研究了A-SI缓冲层（0 - 25 nm）对Inn纳米线对Si（100）底物的结构，形态，电气和光学性质的厚度的影响。使用15 nm缓冲液N -Inn/A-Si/P-Si纳米线异质结式太阳能电池表现出令人鼓舞的短路电流密度为17 mA/cm 2，开路电压为0.37 V，填充因子为35.5％，指向2.3％以下2.3％以下（Am 1 Sun）（AM 1.5G）（AM 1.5G）。这些工作降低了距离溅射的A-SI的组合，可以用作潜在的钝化层，而纳米结构的活性层的光捕获增强可提高溅射的III-nitride设备的光伏效率。
04.1 电流稳定模式下液相磁控溅射锡
如果没有各种薄膜涂层应用方法，现代技术将难以想象。在各种切削工具（钻头、刀具、铣床等）上沉积硬化涂层可以减少磨损并延长其使用寿命。在不同光学部件表面沉积薄膜，可以获得具有所需参数的产品。对于微电子技术来说，涂层厚度从几纳米到几十微米不等。磁控溅射目前被广泛用于涂覆各种材料的薄膜。在此过程中，靶材阴极在真空室中被工作气体的离子溅射，从而在零件上沉积薄膜涂层 [1 – 5] 。磁控溅射系统 (MSS) 的主要缺点是所生产涂层中原子的能量成本很高 [6,7]。但是，如果阴极处于液相，则可以将涂层涂覆率提高 10 倍，并将能源成本降低 1/4，同时保持涂层质量。涂层形成率与典型的真空电弧蒸发 [ 1 ] 相当。阴极材料利用率低（不高于 40%）是采用固相阴极的 MSS 的另一个缺点。采用液体阴极的 MSS 可以将材料利用率提高到几乎 100%，从而大大降低经济成本并实现无浪费生产。本研究的目的是根据从液相溅射的锡阴极的实验数据来选择加工模式并评估阴极溅射系数和放电参数。阴极溅射是使用经过改装的永磁磁控溅射系统进行的，以便
静态掩蔽技术在磁控溅射技术中线性可变滤光片生产中的应用
从设计角度来看，获得可变滤波器的可能性取决于多层涂层的光谱特性与某些层（如果不是全部）厚度的依赖关系。在由两个金属镜形成的法布里-珀罗滤波器的特定情况下，腔层厚度的简单变化会使其中心波长发生偏移。这种简单的结构具有自然提供宽抑制带的优势，但不足以提供尖锐的过渡带通，并导致高吸收损耗。为了改善最后一点，一种解决方案是使用所谓的感应透射滤波器方法，其中金属层放置在介电法布里-珀罗滤波器腔内电场分布最小处 [2-4]。然而，生产具有任意指定抑制、宽度和锐度特性的滤波器的唯一方法是使用标准的全介电方法，该方法由多腔法布里-珀罗结构与附加介电短波长和长波长通断滤波器相关联形成。在这种情况下，所有层的厚度必须通过一个公共因子进行调整，从而产生比例的波长偏移，以产生可变滤波器[5,6]。
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
溅射 (Fe,Mn)3O4 尖晶石氧化物薄膜用于微型...
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磁控溅射生长的钒酸锶薄膜的结构、电学和光学特性
Axel Rouviller、Moussa Mezhoud、Alex Misiak、Meiling Zhang、Nicolas Chery 等人。磁控溅射生长的钒酸锶薄膜的结构、电学和光学特性。ACS Applied Electronic Materials，印刷中，6 (2)，第 1318-1329 页。�10.1021/acsaelm.3c01642�。�hal-04400444�
磁控共溅射生长的富 Ge Al2O3 薄膜相变的光谱表征
研究了不同 Ge 含量的 Ge-rich-Al 2 O 3 薄膜在热刺激下光学和结构特性的演变。发现无论 Ge 含量如何，沉积态薄膜和在 TA 550 C 下退火的薄膜都是非晶态的。非晶态 Ge 团簇在 TA = 550 C 时形成，而在 TA = 600 C 时它们的结晶化最为明显，Ge 含量越高，退火时间越短。在 TA = 550 C 下退火的薄膜显示出宽广的光致发光光谱。其形状和强度取决于 Ge 含量和激发能量。在 TA = 600 C 下退火会导致出现额外的 UV 带，这些带源自 GeO x 相覆盖的 Ge 团簇的形成。对激发光谱进行了分析，以区分这些薄膜中的发光机制，并区分 Ge 相（非晶团簇和/或纳米晶体）中载流子复合的贡献以及通过界面或宿主缺陷的贡献。还估算了自由载流子的浓度和迁移率。
残余应力和微观结构对溅射生长的 Cu/W 纳米多层机械性能的影响请确认 ORCID 准确无误。如果您希望为没有 ORCID 的作者添加 ORCID，您可以立即添加。有关 ORCID 的更多信息，请参阅 https://orcid.org/。G. Lorenzin 0000-0003-4206-4443 FF Klimashin 0000-0002-2152-7165 J. Yeom 0000-0002-6937-5551 Y. Hu 0000-0001-9845-362X
W 的高耐磨性和机械强度与 Cu 的高热导率相结合，使 Cu/W 系统成为等离子体实验中散热器和耐辐射应用的有吸引力的候选材料。然而，多层膜和涂层的最终机械性能在很大程度上取决于层的微观结构。在这项工作中，系统地研究了具有不同内部界面密度的 Cu/W 纳米多层膜在两种相反的面内应力状态下的机械性能，并与文献进行了批判性讨论。使用具有最先进的神经网络势的原子模拟来解释杨氏模量和硬度的实验结果。结果表明，微观结构，特别是与应力状态相互关联的孔隙率和界面无序相关的过量自由体积，对机械性能有很大影响，尤其是 Cu/W 纳米多层膜的杨氏模量。
Office.admindeans@iisc.ac.in 植物病毒样颗粒作为治疗性抗体的车辆 医疗保健技术（CCHT）证书课程 印度科学学院班加罗尔 这是用于使用金溅射目标的RFQ（请求） 指令方案 数字健康和成像 入学2022切断课程课程报告[... 通过CFTI进入方式为M. Tech的入学通知，... 在 本地招标 在
i。第五列可以包含OEM中的其他备注。您可以利用此机会突出技术功能并符合先前列的响应。5。供应商强调其设备优于竞争对手6的设备。在商业投标中，请提供设备和所需配件等的逐项成本。7。请为任何建议/可选的配件/附加项目提供逐项成本，以增强设备可用性，功能，准确性或可靠性。供应商报价与其产品组合允许一样多的附加组件。8。在报价中，要求您提供备件，配件和预期使用2年使用的消耗品的逐项成本。9。请指示设备10.任何问题或澄清都可以针对：
磁铁溅射的无定形硅– SIO2量化纳米胺
规格作为基于差异较小的材料的设计。除了折射指数外，材料还必须满足其他要求，其中的材料在波长范围内具有可忽略的损失。但是，在介电材料中，折射率和吸收边缘是连接的。[1]具有高折射率的材料在长波长下具有吸收边缘，而低折射率材料在短波长下具有吸收边缘。tio 2是具有最高折射率的介电材料，在频谱的可见范围（VIS）中，开始在≈400nm处发射。具有更高折射率的处置材料，而在VIS中保持透明，将具有广泛的实际相关性，因为它将允许使用层较低的层且整体厚度降低的干扰设计。如本文所示，纳米胺的沉积速率超过了TIO 2之一。预计厚度降低和高沉积速率都会导致涂料系统的生产率提高和制造成本降低。除了制造纳米酰胺外，一种将折叠指数与散装材料特性脱离的方法是扫视角度沉积，[2,3]中形成了柱状纤维结构，从而减少了有效的折射率。因此，将在散装层和具有相同材料的柱状结构的层面层之间发生干扰效应。[4,5]。在2016年[7]由于没有不同材料之间的接口，这打开了有趣的效果，例如板极化器或更高的激光损伤抗性。如参考文献所述，一种可比较的方法是由有机膜的离子蚀刻形成的自组织结构。再次，通过蚀刻降低了层的有效折射率，该蚀刻引入了局部和未定位的多孔结构。[6]如果将层用作抗反射设计中的最外层，则此效果是有益的。至于瞥见角度沉积，自组织层的缺点是对环境条件的敏感性提高。一个最近克服两个特征之间联系的概念是量化纳米胺（QNL）的，这是Willemsen，Jupé等人首次报道的。