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World File Search System溢漏
美国陆军驻夏威夷 2023 年度监测计划...
首字母缩略词和缩写 AMR Aliamanu 军事保留区 AMS 资产管理系统 AUL 授权使用清单 BMP 最佳管理实践 BOD 业务运营部 CABP 化学应用 BMP 计划 CADM 商业活动排放管理 CSRCP 施工现场径流控制计划 CSRC 施工现场径流控制 DCBP 碎片控制 BMP 计划 DPW 公共工程局 ECBP 侵蚀控制最佳管理实践计划 ECI 环境合规检查员 EPA 环境保护署 ENV DPW 环境部 FDR Fort DeRussy FS Fort Shafter FY 财政年度 HDOH 夏威夷卫生部 HMR Helemano 军事保留区 IDDE 非法排放检测和消除 I&M 计划实施和管理计划 IPC 棕榈岛社区 IPMP 安装害虫管理计划 LID 低影响开发 MCM 最低控制措施 MEP 最大限度可行 MOU 谅解备忘录 MP 总体规划 MS4 市政独立雨水管道系统 NOC 终止通知 NPDES 国家污染物排放消除系统PEO 公共教育和推广许可证 NPDES 许可证编号HI S000090 PCSW 施工后雨水管理 PIP 公众介入和参与 P2 污染防治 SB 斯科菲尔德兵营 SIC 标准行业分类 SOP 标准操作程序 SPCC 溢漏预防控制和对策 SWMP 雨水管理计划 SWPPP 雨水污染防治计划 TAMC Tripler 陆军医疗中心
Sunoco Partners Marketing & Terminals LP 的最佳管理实践计划/SWPP
1.0 简介 4 2.0 一般场地描述 4 3.0 签署方要求及计划修订 5 4.0 最佳管理实践委员会 5 5.0 潜在污染源描述 6 5.1 场地规划 6 5.2 重要材料清单 6 5.2.1 重要材料的描述及最佳管理实践 7 5.2.2 重要材料装卸及出入区域 7 5.2.3 车辆存放 8 5.2.4 减少雨水中污染物的结构性和非结构性控制措施 8 5.2.4.1 结构性控制措施 9 5.2.4.2 非结构性控制措施 9 5.3 有害污染物的重大溢出或泄漏 11 5.4 雨水监测数据 11 5.5 潜在污染源摘要 11 5.5.1 设施油罐车装载架 11 5.5.2 设施管道转运作业和泵送 12 5.5.3 驳船卸货/装载设施 12 5.5.4 储罐 12 5.6 雨水排放中可能存在的污染物 13 6.0 雨水管理控制 13 7.0 预防性维护 14 8.0 溢漏预防和响应程序 15 9.0 员工培训 15 10.0 检查 15 11.0 处置程序 16 12.0 记录保存和内部报告程序 16 13.0 非雨水排放 16 14.0 认证 17 表 1 污染预防小组 18 附录 A- 地图 19 通用设备布置 USGS 四边形地图 东波士顿雨水流量资源信息地图
4. SPICE LEVEL 1 MOSFET 模型 - dvdtang.nl
RS- 源极电阻（ Ω ） RSH- 漏极/源极扩散的薄层电阻（ Ω / ） CBD- 零偏置漏极-体结电容（F） CBS- 零偏置源极-体结电容（F） MJ- 体结渐变系数（无量纲） PB- 体结的内置电位（V） • 使用 CBD、CBS、MJ 和 PB，SPICE 可计算漏极-体和源极-体电容的电压依赖性：
泄漏响应和清理计划信息...
1. 通知发生泄漏的物业经理/业主。 2. 根据危害获取适当的个人防护设备。有关信息，请参阅材料安全数据表 (SDS) 或其他参考资料。 3. 阻止泄漏源（直立容器、堵住泄漏口等）。 4. 用护堤或排水沟盖封闭雨水沟，防止泄漏扩散。 5. 保护地漏或其他方式以防泄漏。可根据需要在排水沟周围放置防溢袜和吸收剂。 6. 使用垫子和/或颗粒吸附剂清理泄漏的材料。应将松散的防溢材料分布在整个泄漏区域，从外向内循环。泄漏的材料被吸收后，用刷子和铲子将材料放入适当的容器中。 7. 将垫子放在泄漏物上以吸收泄漏的材料。 8. 取出用过的垫子和/或吸收剂并妥善处理。
对于患者：Capivasertib
• 治疗期间可能会定期进行血液检查。根据检查结果和/或其他副作用，治疗的剂量和时间可能会发生变化。 • 严格按照医生的指示服用 capivasertib 非常重要。确保您了解说明。 • 您可以在进食或空腹时服用 capivasertib。 • 如果您漏服了一剂 capivasertib，请在漏服后 4 小时内尽快服用。如果漏服时间已超过 4 小时，请跳过漏服剂量并恢复正常服药时间。请勿服用超过一剂来弥补漏服剂量。请务必在下次就诊时告知您的医疗团队。 • 如果您呕吐了一剂 capivasertib，请不要服用第二剂。跳过漏服剂量并恢复正常服药时间。告知您的医疗团队，因为将来的剂量可能需要使用预防恶心的药物。 • 其他药物，如伊曲康唑 (SPORANOX®) 和利福平 (ROFACT®) 可能会与 capivasertib 产生相互作用。如果您正在服用这些药物或任何其他药物，请告知您的医生，因为您可能需要进行额外的血液检查或您的剂量可能需要更改。在开始或停止服用任何其他药物之前，请咨询您的医生或药剂师。
Karbalaei, M.、Dideban, D. 和 Heidari, H. (2020) 高 K 绝缘体和源极堆栈对双栅极隧道 FET 性能的影响：模拟
在本文中，我们研究了在漏极侧加入 HfO 2 作为电介质并在源极侧加入硅堆栈对双栅极隧道 FET（DG-TFET）电气性能的影响。为此，我们将传统 TFET 结构与其他四种结构进行了比较，这四种结构的栅极电介质材料要么是同质的，要么是异质的，而漏极侧的绝缘体要么是 SiO 2 要么是 HfO 2 。此外，还提出了一种具有硅源堆栈的结构，并将器件的性能系数与其他对应结构进行了比较。我们的模拟结果表明，漏极侧存在 HfO 2 绝缘体会降低双极传导，而异质栅极电介质则会增强驱动电流和跨导。但是，与传统 TFET 相比，HfO 2 会略微降低源极-栅极和漏极-栅极电容。此外，在所研究的 50 nm 沟道长度 TFET 中，硅源极堆栈与异质栅极电介质和漏极侧的 HfO 2 绝缘体的结合，可实现更高的 I ON /I OFF 比、更低的亚阈值斜率 (S) 和更低的双极传导。
Liebert® EXS 10-20kVA - Vertiv
在将设备连接到交流电源输入和电池电源之前，必须先接地。本设备配有 EMC 滤波器。接地漏电流范围为 0 至 1000 mA。在选择瞬时 RCCB 或 RCD 设备时，应考虑设备启动时可能出现的瞬态和稳态接地漏电流。必须选择对单向直流脉冲 (A 类) 敏感且不受瞬态电流脉冲影响的 RCCB 设备。还必须考虑到负载接地漏电流将由 RCCB 或 RCD 承担。设备必须按照当地电气规范接地。
采用 RF 兼容工艺实现的功率 AlGaN/GaN HEMT 击穿失效机制研究
研究了功率 AlGaN/GaN HEMT 系列的击穿失效机制。这些器件采用市售的 MMIC/RF 技术与半绝缘 SiC 衬底制造。在 425 K 下进行 10 分钟热退火后，对晶体管进行了随温度变化的电气特性测量。发现没有场板的器件的击穿性能下降，负温度系数为 0.113 V/K。还发现击穿电压是栅极长度的减函数。在漏极电压应力测试期间，栅极电流与漏极电流同时增加。这表明从栅极到 2-DEG 区域的直接漏电流路径的可能性很大。漏电流是由原生和生成的陷阱/缺陷主导的栅极隧穿以及从栅极注入到沟道的热电子共同造成的。带场板的器件击穿电压从 40 V（无场板）提高到 138 V，负温度系数更低。对于场板长度为 1.6 l m 的器件，温度系数为 0.065 V/K。2011 Elsevier Ltd. 保留所有权利。
商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 栅极漏电流行为调查
摘要 — 过去十年，碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的商业化不断扩大。栅极氧化物可靠性是 SiC 功率 MOSFET 的主要问题，因为它决定了器件的使用寿命。在这项工作中，我们研究了商用 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 在不同栅极电压下的栅极漏电流。高氧化物电场引发的碰撞电离和/或阳极空穴注入 (AHI) 导致空穴捕获，从而增强了栅极漏电流并降低了器件的阈值电压。由于 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿而产生的电子注入和捕获往往会降低栅极漏电流并增加阈值电压。还对商用 MOSFET 进行了恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量。栅极漏电流的结果表明，场加速因子的变化是由于高栅极氧化物场下栅极电流/空穴捕获增强所致。因此，建议在低栅极电压下进行 TDDB 测量，以避免在正常工作栅极电压下高估寿命。