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O2等离子体处理对电学和介电常数的影响...
研究了 O 2 等离子体处理对 Ba 0 ： 7 Sr 0 ： 3 TiO 3 (BST) 薄膜电特性和介电特性的影响。将沉积态和退火态的 BST 薄膜暴露于 O 2 等离子体后，BST 薄膜的漏电流密度可以得到改善。通常，在施加 1.5 V 电压下，与未经等离子体处理的样品相比，漏电流密度可以降低 3 个数量级。研究发现，等离子体处理改变了表面形貌。BST 薄膜的电容降低了 10% 至 30%。等离子体处理样品的漏电流密度的改善和介电常数的降低可归因于 BST 薄膜中碳污染的减少。时间相关电介质击穿 (TDDB) 研究表明，所有样品在 1 V 电压偏置下均有超过 10 年的使用寿命。© 2000 Elsevier Science Ltd. 保留所有权利。
操作说明书 - VEGAPULS 6X - 两线制 4 … 20 mA/HART
16.1 无线电许可证 ................................................................................................................ 122 16.2 防爆区域认证 .............................................................................................................. 122 16.3 防溢保护认证 .............................................................................................................. 122 16.4 食品和药品认证 ...................................................................................................... 122 16.5 一致性 ...................................................................................................................... 122 16.6 NAMUR 建议 ............................................................................................................. 122 16.7 IT 安全性 ...................................................................................................................... 123 16.8 安全完整性等级 (SIL) ............................................................................................................. 123 16.9 材料和测试认证 ............................................................................................................. 123 16.10 环境管理体系 ............................................................................................................. 123
成人肺炎球菌疫苗接种时间
* 也适用于在任何年龄接种过 PCV7 且未接种过其他肺炎球菌疫苗的人 ¶ 如果没有 PPSV23，可以使用 PCV20 或 PCV21 † 对于免疫功能低下、人工耳蜗植入或脑脊液漏 (CSF) 的成年人，请考虑最短间隔（8 周） § 对于免疫功能低下、人工耳蜗植入或脑脊液漏的成年人，PPSV23 的最短间隔为自上次接种 PCV13 以来≥8 周，自上次接种 PPSV23 以来≥5 年
a-1706-6174.pdf - Thieme Connect
结直肠癌 (CRC) 是全球第三大癌症死亡原因 [1]。通过结肠镜检查发现和切除癌前病变可有效降低 CRC 的死亡率 [2]。然而，最近的一项荟萃分析显示，22% 的结肠直肠腺瘤在筛查结肠镜检查中被漏诊，而这些漏诊的病变是大多数间期 CRC 的病因 [3]。导致腺瘤漏诊的主要独立问题有两个：1) 未能识别息肉（认知限制）；2) 存在盲点（技术缺陷）[4]。计算机辅助技术——计算机辅助检测 (CADe) 和计算机辅助质量改进 (CAQ) 系统的发展使得腺瘤检出率 (ADR) 得到提高；CADe 旨在增强认知性能，而 CAQ 旨在避免技术缺陷 [5 – 9]。尽管这些技术在改善ADR方面显示出令人鼓舞的结果，但现有证据也揭示了这两种技术的缺陷[7,10]。即使病变在视野内，由于人类认知的限制，它们也可能被遗漏[11]。例如，视野内的息肉可能由于不显眼、仅短暂可见或出现在屏幕边缘而被忽视[12]。基于深度学习的CADe系统可以通过在内窥镜监视器上实时显示识别癌前息肉的视觉警报来改善ADR[5-7,13]。然而，尽管CADe有效，但先前的一项随机研究报告称，CADe辅助结肠镜检查中腺瘤的漏诊率高达18%[7]。同样，非可视化是漏诊的主要原因，因为病变可能在结肠镜检查期间隐藏在褶皱或碎片后面。此类不可见病变可通过细致的黏膜检查技术更好地暴露，而细致的黏膜检查技术需要稳定且缓慢的撤出速度。快速撤出是导致结肠镜检查盲点的重要技术故障[14]。计算相似度为
LAB03：MOSFET 实验室 - andrew.cmu.ed
开发微电子电路时，一个常见的设计范例是“标准单元”的概念。由于 PMOS 和 NMOS 晶体管在集成电路上的制造方式，微电子电路设计人员将每种晶体管类型放在自己的行中会很有帮助。由于 PMOS 晶体管的源极通常连接到正电源轨或另一个 PMOS 晶体管的漏极，因此将所有 PMOS 放在顶行很有帮助（见图 2）。相反，NMOS 晶体管的源极几乎总是连接到另一个 NMOS 的漏极或接地。这就是为什么 NMOS 晶体管总是在底部的原因。
太空中心休斯顿活动场地
使您的活动在俯瞰独立广场的活动中令人难忘。享受5,000平方英尺的现代现代空间，可欣赏一架历史悠久的航天飞机飞机，渡过高保真的班车复制品。该建筑物配备了私人洗手间，餐饮厨房和视听设备。轻松访问中心的主楼，它还允许客人溢出到飞机周围的草坪上。
具有再生长接触和截止/... 的 Si 基 GaN HEMT
摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触，栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm，峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一，非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性，Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
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