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东芝的 AI 质量保证方法
*1 通过对商用制冷和空调设备进行持续监测的氟碳泄漏检测系统指南 *2 截至 2021 年 12 月。适用于风冷热泵型热源设备（风冷冷水机组）。东芝开利株式会社的研究 [参考] 东芝开利株式会社新闻稿 https://www.toshiba-carrier.co.jp/news/press/220126/ [参考] 东芝 SPINEX 市场 https://www.spinex-marketplace.toshiba/ja/services/tccr-net
移动式凝聚粒子计数器 (CPC)
GRIMM 凭借 CPC 型号 5.401 和 5.403 建立了适用于现代热扩散 - 层流 CPC 的冷凝水去除和防溢饱和器设计。这些功能大大提高了准确性和操作性。除了紧凑的设计外，GRIMM 还创造了一款真正便携式的高精度纳米粒子计数器，可用于各种应用。该仪器包括泵、丁醇罐、电池、内部存储器和远程操作选项。这些型号可对小至 4.5 nm 的纳米粒子进行高精度测量，浓度范围高达 10 7 个粒子/cm 3。
65-...中总电离剂量响应的布局依赖性
然而，LDE 对辐射效应的影响尚不清楚，很少有论文关注这一问题，且有限的研究表明器件的辐射敏感性与版图有关。Rezzak 等人 [6] 首次研究了 90 nm 体硅 NMOS 器件中版图相关的总电离剂量 (TID) 响应，结果表明，由于浅沟槽隔离 (STI) 引起的压应力较弱，因此辐射诱导漏电流随栅极至有源区间距的增加而增大。对于 45 nm 应变 SOI RF nFET，不同的源/漏接触间距和栅指间间距可能导致 RF 性能和 TID 退化之间的权衡 [7]。很显然，关于 LDE 对纳米级器件辐射响应的实验研究还很有限，需要进一步研究。
AN-CM-362 升压转换器。单节 AA 或 AAA 电池手电筒
SLG47513 具有相对较低的电流输出，不适合在高频下驱动高电容负载（如 MOSFET 栅极）。但是，它们的数量充足，不仅可以将它们并联连接以增加输出电流（以及驱动 MOSFET 的能力），还可以组合推挽和开漏输出。这允许分别控制 MOSFET 的开启和关闭时间。在这种情况下，引脚 11、12、13 和 16 配置为 2x 推挽输出，并通过 R1 限流电阻对栅极进行充电和放电。但是引脚 3、4、5、6、8、14 和 15 配置为 2x 开漏输出（引脚 3 和 4 为 1x），直接连接到栅极，并且仅对其电容进行放电，从而加快 MOSFET 的关闭时间，提高转换器效率。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
acbs_eu_en_20140807.pdf - 诺亚克电气
SU 单元提供三种主要产品线：SU3.0、SU4.0 和 SU5.0。基本类型 3.0 包含所有主要保护功能：L（长延时保护）、S（短延时保护）、I（瞬时保护）。允许将此类型用作选择性系统中的上游断路器。高级类型 4.0 和 5.0 分别提供额外的 G（接地故障）和 E（接地漏电）保护。这两个功能均基于差动剩余电流的测量。SU4.0 中的 G 功能旨在记录接地故障，即通过 PE 导体的剩余电流，其水平与标称电流相似（为 I n 的 0.1 倍）。与此相反，SU5.0 还可以记录从 0.5 A 级别开始的漏电流，并且具有调整后的不灵敏时间。因此，它适合用作保护，以防止由绝缘不完善、高阻抗故障等引起的漏电流。
IRHLF7S7214 (2N7610T2)
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6
IRHNM597110, IRHNMC597110
2 器件特性 ................................................................................................................................ 4 2.1 电气特性（辐照前） ...................................................................................................................... 4 2.2 源漏二极管额定值和特性（辐照前） ............................................................................................ 5 2.3 热特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4 辐射特性 ...................................................................................................................................... 5 2.4.1 电气特性 — 总剂量辐照后 ...................................................................................................... 5 2.4.2 单粒子效应 — 安全工作区 ...................................................................................................... 6